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[发明专利]制造用于EUV光刻的反射光学元件的方法-CN201280029959.7有效
发明人： A.库兹尼佐夫;M.格里森;R.W.E.范德克鲁杰斯;F.比杰科克 -专利权人：卡尔蔡司SMT有限责任公司
申请日： 2012-06-19 - 公布日： 2018-04-06 - 主分类号： G21K1/06 文献下载
摘要：为了减少存在活性氢时多层系统的最上层中的起泡和分裂以及碎裂的趋势，提出了一种制造用于EUV光刻的反射光学元件(50)的方法，该元件在位于5nm至20nm范围内的工作波长下具有最大反射率，该方法包括以下步骤将多层系统(51)施加至基板(52)，该多层系统由一个布置在另一个上方的三十个至六十个层堆(53)构成，其中各个层堆具有厚度为dMLs的、由在工作波长下具有较高折射率实部的材料构成的层(54)和厚度为dMLa的、由在工作波长下具有较低折射率实部的材料构成的层(55)，其中厚度比为dMLa/(dMLa+dMLs)=ΓML；将一个、两个、三个、四个或五个另外的层堆(56)施加至多层系统，所述至少一个另外的层堆具有厚度为ds的、由在工作波长下具有较高折射率实部的材料构成的层(54)和厚度为da的、由在工作波长下具有较低折射率实部的材料构成的层(55)，其中厚度比为da/(da+ds)=Γ且其中Γ≠ΓML。
制造用于 euv 光刻反射光学元件方法

[发明专利]EUV反射镜布置、包括EUV反射镜布置的光学系统以及操作包括EUV反射镜布置的光学系统的方法-CN201280015247.X有效
发明人： U.丁格;F.比杰科克;M.拜拉克塔;O.迪尔 -专利权人：卡尔蔡司SMT有限责任公司
申请日： 2012-03-21 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： G21K1/06 文献下载
摘要：一种EUV反射镜布置(100)，具有彼此并排布置并且共同形成所述反射镜布置的反射镜表面的多个反射镜元件(110、111、112)。每个反射镜元件具有基板(120)和多层布置(130)，所述多层布置被施加到所述基板上，并关于来自极紫外范围(EUV)的辐射具有反射效果，所述多层布置包括多个层对(135)，该层对具有由高折射率层材料和低折射率层材料组成的交替层。所述多层布置具有活性层(140)，该活性层布置在辐射进入表面和基板之间，并由压电活性层材料组成，可通过电场的作用来改变所述活性层的层厚度(z)；对于每个活性层，提供电极布置，用于产生作用于所述活性层的电场。
euv 反射布置包括光学系统以及操作方法