专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]用于蚀刻光刻掩模的方法与设备-CN202180057024.9在审
  • F·涂;H·施奈德;M·鲍尔;P·斯皮斯;M·鲁姆勒;C·F·赫尔曼斯 - 卡尔蔡司SMT有限责任公司
  • 2021-08-06 - 2023-05-02 - G03F1/74
  • 用于光刻掩模(100)、特别是用于非透射式EUV光刻掩模的粒子束诱导蚀刻的方法具有以下步骤:a)在工艺气体环境(ATM)中提供(S1)光刻掩模(100),b)将聚焦粒子束(110)发射(S2)到光刻掩模(100)上的目标位置(ZP)上,c)供应(S3)至少一个第一气体成分(GK1)至工艺气体环境(ATM)中的目标位置(ZP),其中第一气体成分(GK1)可通过活化转化为反应形式,其中反应形式与光刻掩模(100)的材料反应以形成挥发性化合物,以及d)供应(S4)至少一个第二气体成分(GK2)至工艺气体环境(ATM)中的目标位置(ZP),其中在预定工艺条件下暴露于粒子束(100)的第二气体成分(GK2)形成沉积物,其包含硅与氧、氮和/或碳的化合物。
  • 用于蚀刻光刻方法设备

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