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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]用于沉积III-V主族半导体层的方法和装置-CN201610190479.9有效
发明人： F·拉达伊威特;M·德费尔;M·科尔伯格 -专利权人：艾克斯特朗欧洲公司
申请日： 2016-02-02 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明涉及沉积III‑V主族半导体层的装置，所述装置具有工艺腔(1)、构成工艺腔底部的、用于容纳一个或多个待镀基片的基座(2)、用于将基座加热到工艺温度的加热装置(3)以及进气机构(4)，所述进气机构具有用来将氢化物和金属有机化合物引入工艺腔中的至少一个第一和第二工艺气入口区(5，6，7)。建议腐蚀气入口(9)沿氢化物和金属有机化合物的流动方向(23)在工艺气入口区下游通入工艺腔中，其中设置控制装置并布置工艺气入口区和腐蚀气入口，使得从工艺气入口区流出的工艺气在沉积半导体层时不进入腐蚀气入口，并且净化工艺腔时从腐蚀气入口流出的腐蚀气不进入工艺气入口区。腐蚀气入口由进气机构周围的工艺气腔盖环形区和用来固定盖板的环形固定元件构成。
用于沉积 iii 半导体方法装置

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