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[发明专利]用于拉出引导件的导轨-CN202080032516.8在审
发明人： S·克劳斯;R·韦切特;P·弗雷赫特;F·劳 -专利权人：保罗海蒂诗有限及两合公司
申请日： 2020-04-24 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： A47B88/493 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于拉出引导件(5)的导轨，其上设置有至少一个成角度的保持支架(6)，所述保持支架具有至少一个用于紧固装置的开口(7)以用于将所述导轨固定在部件上，其中具有用于滑动元件和/或滚动接触体的至少一个运行轨的轨道(11)固定在所述至少一个成角度的保持支架(6)上，并且至少一个突出的第一压纹部分(10)形成在所述至少一个成角度的保持支架(6)上，其中至少一个突出的第二压纹部分(9，14，15)形成在所述成角度的保持支架(6)上，所述第二压纹部分与所述至少一个第一压纹部分(10)成角度地定向，并且所述至少一个开口(7)由所述两个压纹部分(9，10，14，15)在至少两侧至少在一定程度上包围。这允许避免由紧固装置引起的对抽屉的侧壁的损坏。
用于拉出引导导轨

[发明专利]治疗肿瘤的方法-CN201880044783.X在审
发明人： F·卢克斯;O·蒂耶芒;J-L·佩尔弗蒂尼;E·德奇;F·劳;A·阿卢奇 -专利权人： NH阿吉克斯治疗公司;克劳德伯纳德-里昂第一大学;国家科学研究中心;国家医疗保健研究所;古斯塔夫鲁西研究院
申请日： 2018-07-04 - 公布日： 2020-03-24 - 主分类号： A61K41/00 文献下载
摘要：本发明涉及治疗肿瘤的方法。特别地，本发明提供了纳米颗粒与电离辐射结合用于治疗肿瘤的新用途，其中纳米颗粒的联合作用诱导肿瘤细胞的衰老和/或同类相食。
治疗肿瘤方法

[发明专利]在经修饰的随机寡核苷酸的存在下的核酸扩增-CN200910126827.6有效
发明人： W·安肯鲍尔;D·海因德尔;F·劳 -专利权人：霍夫曼-拉罗奇有限公司
申请日： 2009-03-18 - 公布日： 2010-04-07 - 主分类号： C12P19/34 文献下载
摘要：本发明涉及在经修饰的随机寡核苷酸的存在下的核酸扩增。本发明涉及包含优选热稳定的DNA聚合酶、脱氧核苷酸、至少一种引物寡核苷酸或一对扩增引物和随机化的5-8聚体寡核苷酸的组合物，其特征在于所述寡核苷酸包含用有机疏水部分进行的修饰。此种组合物对于执行热启动PCR特别有用。
修饰随机寡核苷酸在下核酸扩增

[发明专利]用于改进的核酸扩增的聚阴离子-CN200910171180.9有效
发明人： W·安肯鲍尔;D·海因德尔;R·科尔布;F·劳;E·沃尔特 -专利权人：霍夫曼-拉罗奇有限公司
申请日： 2009-09-08 - 公布日： 2010-03-17 - 主分类号： C12N15/11 文献下载
摘要：本发明涉及包含结构[Xx-(CH₂)m-磷酸基-Yy]n的新颖化合物，其特征在于3≤m≤6，30≤n≤60，每个x和y彼此独立地为0或1，每个X和Y彼此独立地为任意的可光度测量的实体，条件是末端X也可为-OH基或磷酸基，进一步的条件是末端Y也可为-OH基。这种化合物可用作基于核酸扩增的合适的热启动PCR添加剂。
用于改进核酸扩增聚阴离子

[发明专利]具沟槽晶体管的存储单元-CN02825405.8无效
发明人： F·劳;D·塔卡斯;J·威尔勒 -专利权人：因芬尼昂技术股份公司
申请日： 2002-12-10 - 公布日： 2005-04-06 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：该沟槽深度以一种方式被最适化使得电子及电洞注入该储存层(11)的位置相合，该储存层(11)位于该沟槽壁及该栅极电极(4)之间的毗邻层(10、12)。该源极区域(2)与该漏极区域(3)掺杂的接合改变为相反符号(亦即该半导体本体(1)的传导形式之符号)及毗邻该信道区域(5)邻接该沟槽底部(7)的弯曲区域或是该侧向沟槽壁(6、8)的弯曲下方区域。
沟槽晶体管存储单元

[发明专利]电荷捕捉记忆单元-CN200410054548.0有效
发明人： F·劳;J·威尔勒 -专利权人：因芬尼昂技术股份公司
申请日： 2004-07-23 - 公布日： 2005-02-09 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：提供位于一半导体本体(1)顶部源极/漏极区域之间的沟道区域，其系横越于具有形成一凸起(7)的半导体材质之纵向。特别地，该凸起系为半圆柱形。这使得放射状电场之强度可均匀分布，且避免该沟道区域侧向边缘上的电场强度尖峰。一ONO储存层顺序(9)系位于该沟道区域与该栅极电极之间，以作为一字符线(10，11)的部分。
电荷捕捉记忆单元

[发明专利]带有至少两个彼此绝缘的元件的集成电路装置及生产方法-CN96195393.4无效
发明人： F·劳;W·克劳斯内德尔;M·恩格哈特 -专利权人：西门子公司
申请日： 1996-06-24 - 公布日： 2002-11-06 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：一个带有至少两个元件的集成电路装置在基片上包括一种在元件之间的绝缘结构(4’，5)，该结构至少覆盖沟槽(3)的一个侧壁，并且其在沟槽底部比在沟槽颈部要厚。其中元件被设置在基片上部表面以及沟槽底部的不同平面里。绝缘结构形成元件之间的垂直绝缘。
带有至少两个彼此绝缘元件集成电路装置生产方法