专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]具有磁极尖端屏蔽的磁记录头-CN201080070099.2在审
  • 高凯中;E·梅洛切;薛建华;E·S·林维勒;D·韩;H·殷 - 希捷科技有限公司
  • 2010-09-15 - 2013-10-23 - G11B5/127
  • 披露一种包括磁极尖端屏蔽的写元件。在所披露的实施例中,例如磁极尖端屏蔽包括由分级的磁矩材料制成的侧屏蔽部以形成分级的侧屏蔽部,该分级的侧屏蔽部具有沿侧屏蔽部的长度在下磁道方向上减小的磁矩。在另一实施例中,磁极尖端屏蔽包括具有缩短长度的侧屏蔽部,该具有缩短长度的侧屏蔽部沿磁极尖端的侧边缘的部分长度延伸。在所示实施例中,侧屏蔽部由带轮廓的本体形成,该带轮廓的本体具有在磁极尖端的前缘之前的凹进部。凹进部分具有圆滑的凹进表面轮廓,它在磁极尖端的前缘之前的磁极尖端屏蔽的前缘部之间的间隙区形成圆形化的外形。
  • 具有磁极尖端屏蔽记录
  • [发明专利]磁通屏障-CN201110278069.7无效
  • E·梅洛切;陆斌;贾立欣;薛建华;J·D·韦斯特伍德;M·A·古宾斯;A·卡扎库 - 希捷科技有限公司
  • 2011-09-08 - 2012-04-04 - G11B5/115
  • 提供一种数据存储系统,该数据存储系统具有可减小消除磁通并增强写能力的屏障。该数据存储系统包括写入元件。该写入元件具有带有扩口区域的写入极。磁通屏障沿着该写入极的扩口区域定位。该磁通屏障说明性地由具有简易磁性平面的面内磁性各向异性的材料所制成。在另一实施例中,数据存储系统包括写入元件,该写入元件具有气垫表面和位于该气垫表面处的屏蔽件。该屏蔽件具有大约是零的磁导率。该屏蔽件说明性地包括交替的正磁导率的层和负磁导率的层。屏蔽件可选地包括多个屏蔽件,多个屏蔽件可包括顶部屏蔽件、底部屏蔽件以及侧部屏蔽件。
  • 屏障

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