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[发明专利]光侦测器结构-CN201710542447.5有效
发明人： J·J·埃利斯莫纳格汉;J·C·S·霍尔;M·H·哈提尔;E·W·基埃瓦拉;S·M·尚克 -专利权人：格罗方德半导体公司
申请日： 2016-06-27 - 公布日： 2019-02-15 - 主分类号： H01L27/144 文献下载
摘要：本发明揭示一种光侦测器方法及光侦测器结构。在该方法中，多晶或非晶的光吸收层形成在介电层上以使其接触光波导的单晶半导体核心。该光吸收层接着以一或多个应变缓解层密封且进行快速熔化生长(RMG)工序以结晶化该光吸收层。该(多个)应变缓解层是为了控制应变缓解而调变，以致在该RMG工序期间，该光吸收层保持免于破裂。接着移除该(多个)应变缓解层且在该光吸收层之上形成密封层(例如，填充该RMG工序期间发展的表面凹陷)。随后，通过该密封层植入掺质以形成用于(多个)PIN二极管的扩散区域。由于该密封层相对薄，可在该扩散区域内达到想要的掺质轮廓。
侦测方法结构

[发明专利]光侦测器方法及光侦测器结构-CN201610479979.4有效
发明人： J·J·埃利斯莫纳格汉;J·C·S·霍尔;M·H·哈提尔;E·W·基埃瓦拉;S·M·尚克 -专利权人：格罗方德半导体公司
申请日： 2016-06-27 - 公布日： 2018-04-17 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明揭示一种光侦测器方法及光侦测器结构。在该方法中，多晶或非晶的光吸收层形成在介电层上以使其接触光波导的单晶半导体核心。该光吸收层接着以一或多个应变缓解层密封且进行快速熔化生长(RMG)工序以结晶化该光吸收层。该(多个)应变缓解层是为了控制应变缓解而调变，以致在该RMG工序期间，该光吸收层保持免于破裂。接着移除该(多个)应变缓解层且在该光吸收层之上形成密封层(例如，填充该RMG工序期间发展的表面凹陷)。随后，通过该密封层植入掺质以形成用于(多个)PIN二极管的扩散区域。由于该密封层相对薄，可在该扩散区域内达到想要的掺质轮廓。
侦测方法结构