“D·M·埃默特”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果8个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]制备有机锡化合物的方法-CN202280015804.1在审
发明人： D·凯珀;D·M·埃默特;T·夸纳 -专利权人：恩特格里斯公司
申请日： 2022-01-31 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： C07F7/22 文献下载
摘要：本发明提供一种用于制备具有烷基及烷基氨基取代基的某些有机锡化合物的便利方法。所述方法以高度纯形式提供有机锡前驱化合物，例如三(二甲基酰胺基)异丙基锡。因此，所述方法的产物尤其适于在例如用于微电子装置制造中的极紫外光(EUV)光刻技术中沉积高纯度氧化锡膜。
制备有机化合物方法

[发明专利]制备有机锡化合物的方法-CN202280014585.5在审
发明人： D·M·埃默特;T·H·鲍姆;T·M·卡梅龙 -专利权人：恩特格里斯公司
申请日： 2022-01-28 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C07F7/22 文献下载
摘要：本发明提供一种用于制备具有烷基和烷基氨基或烷基和烷氧基取代基的某些有机锡化合物的便利方法。所述方法提供高纯度形式的所述有机锡化合物，所述有机锡化合物尤其适于用作在例如用于制造某些微电子装置的极紫外光(EUV)光刻技术中沉积高纯度氧化锡膜的前体。
制备有机化合物方法

[发明专利]VI族前体化合物-CN202180048904.X在审
发明人： D·M·埃默特;T·H·鲍姆 -专利权人：恩特格里斯公司
申请日： 2021-07-08 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： C07F11/00 文献下载
摘要：本发明提供一种用于制备下文阐述为式(I)的各种VI族前体化合物的便捷方法，其适用于将某些VI族金属气相沉积于固体衬底，尤其微电子半导体装置衬底上。还提供一种用于制备这类前体化合物的方法。另外，本发明提供一种利用本发明的前体化合物将VI族金属气相沉积于微电子装置衬底上的方法。
vi 族前体化合物

[发明专利]制备有机锡化合物的方法-CN202180047472.0在审
发明人： D·M·埃默特;T·M·卡梅龙;D·凯珀;T·H·鲍姆 -专利权人：恩特格里斯公司
申请日： 2021-07-02 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： C07F7/22 文献下载
摘要：本发明提供一种用于制备某些具有烷基和烷氨基取代基的有机锡化合物的高效且有效的方法。所述方法提供呈高纯度结晶形式的有机锡化合物，所述有机锡化合物在例如用于制造某些微电子装置的极紫外光(EUV)光刻技术中特别适于用作沉积高纯度氧化锡薄膜的前体。
制备有机化合物方法

[发明专利]制备碘硅烷的方法及由其所得的组合物-CN202180034469.5在审
发明人： S·A·拉内曼;T·M·卡梅龙;D·凯珀;D·M·埃默特;T·H·鲍姆;J·W·迪布 -专利权人：恩特格里斯公司
申请日： 2021-04-23 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本发明提供可用于通过卤离子交换反应将氯‑及溴‑硅烷转化为高度希望的碘硅烷(例如H2SiI2及HSiI3)的络合物。介导此反应的物质是包含铝的碘化物反应物。
制备硅烷方法所得组合

[发明专利]蚀刻或沉积的方法-CN202180014408.2在审
发明人： R·L·赖特二世;T·H·鲍姆;D·M·埃默特 -专利权人：恩特格里斯公司
申请日： 2021-01-15 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供一种方法，用于(a)蚀刻Al2O3、HfO2、ZrO2、W、Mo、Co、Ru、SiN或TiN的膜，或(b)将钨沉积于选自Al2O3、HfO2、ZrO2、W、Mo、Co、Ru、Ir、SiN、TiN、TaN、WN及SiO2的膜的表面上，或(c)将钨选择性沉积于金属衬底(例如W、Mo、Co、Ru、Ir及Cu)上，而非沉积于金属氮化物或介电氧化物膜上，所述方法包括在工艺条件下在还原气体存在下使所述膜暴露于WOCl4。
蚀刻沉积方法

[发明专利]氧卤化物前驱物-CN202080054603.3在审
发明人： D·M·埃默特;R·小赖特;T·H·鲍姆;B·C·亨德里克斯 -专利权人：恩特格里斯公司
申请日： 2020-07-08 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： C01B11/00 文献下载
摘要：本发明提供一种制备钼和钨氧卤化物化合物的方法，所述氧卤化物化合物适用于将含有钼和钨的薄膜沉积于微电子装置的各个表面上。在本发明方法中，在固态介质中或在包含有包含碱金属盐和/或碱土金属盐的共晶掺合物的熔融相反应中加热三氧化钼或三氧化钨。由此形成的钼或钨氧卤化物可以蒸气形式分离且结晶以提供高纯性前驱物化合物，例如MoO2Cl2。
卤化物前驱

[发明专利]VI族前驱物化合物-CN202080017228.5在审
发明人： D·M·埃默特;T·H·鲍姆;R·小赖特 -专利权人：恩特格里斯公司
申请日： 2020-02-27 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： C23C16/18 文献下载
摘要：本发明提供用于制备各种VI族前驱物化合物的简便方法，所述VI族前驱物化合物可用于将这类VI族金属气相沉积于固体衬底、尤其微电子半导体装置衬底上。所述方法提供获得这类挥发性材料的有效手段，然后所述挥发性材料可作为要沉积于所述衬底上的含钼、铬或钨的材料的来源。另外，本发明提供用于将所述化合物气相沉积于微电子装置衬底上的方法。
vi 前驱物化

1
共 8 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top