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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]后侧晶片修改-CN202180076269.6在审
发明人： D·沃尔珀特;D·J·德舍纳;L·A·克莱文格;M·罗曼;S·戈什 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2021-11-01 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种方法可包括获得晶片的特性数据。特性数据可对应于处于处理状态的晶片，并且可包括晶片的一组应力值。该晶片可以包括前侧、与前侧相对的后侧、以及一组区域。该一组应力值可以包括对应于第一区域的第一应力值。在处理状态下，可以在晶片的前侧上完成一个或多个前侧处理。该方法可以包括确定第一应力值超过应力阈值并生成补偿图。补偿图可以标识用于形成一个或多个沟槽的一个或多个区域。该方法可以包括基于补偿图，发起在第一区域中的晶片的后侧上形成第一沟槽。
晶片修改

1
共 1 条

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