专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]用于有机电子材料的新型取代苯并萘噻吩化合物-CN201880068389.X有效
  • 法比安·尼科尔森;F·G·布鲁内蒂;堂依伊织;T·魏茨;S·蔡;M·欧斯塔基 - CLAP有限公司
  • 2018-10-11 - 2023-07-07 - C07D409/04
  • 本发明涉及一种化学式1、2的化合物,其中,R1和R2为C1‑30‑烷基、C2‑30‑烯基、C2‑30‑炔基、C5‑7‑环烷基、C6‑14‑芳基或5至14元杂芳基,其中,C1‑30‑烷基、C2‑30‑烯基及C2‑30‑炔基可以被选自由卤素、苯基、O‑C1‑20‑烷基、O‑C2‑20‑烯基及O‑C2‑20‑炔基组成的组中的一个或多个取代基取代,C5‑7‑环烷基、C6‑14‑芳基及5至14元杂芳基可以被选自由卤素、C1‑20‑烷基、C2‑20‑烯基、C2‑20‑炔基、O‑C1‑20‑烷基、O‑C2‑20‑烯基及O‑C2‑20‑炔基组成的组中的一个或多个取代基取代,Ra、Rb、Rc及Rd可以各自独立地选自由C1‑30‑烷基、C2‑30‑烯基、C2‑30‑炔基、C6‑14‑芳基及5至14元杂芳基组成的组中,其中,C1‑30‑烷基、C2‑30‑烯基及C2‑30‑炔基可以被选自由卤素、苯基、O‑C1‑20‑烷基、O‑C2‑20‑烯基及O‑C2‑20‑炔基组成的组中的一个或多个取代基取代,C5‑7‑环烷基、C6‑14‑芳基及5至14元杂芳基可以被选自由卤素、C1‑20‑烷基、C2‑20‑烯基、C2‑20‑炔基、O‑C1‑20‑烷基、O‑C2‑20‑烯基及O‑C2‑20‑炔基组成的组中的一个或多个取代基取代,n和o各自独立地为0、1、2、3、4或5,m和p各自独立地为0、1、2或3。并且,本发明涉及包括化学式1或2的化合物的电子器件。
  • 用于有机电子材料新型取代噻吩化合物
  • [发明专利]半导体-CN201780030802.9有效
  • P·哈约兹;D·克尔布莱因 - CLAP有限公司
  • 2017-05-15 - 2022-05-03 - C08G61/12
  • 本发明涉及包含一种式‑[Ar3]c‑[Ar2]b‑[Ar1]a‑Y(R1)n1(R2)n2‑[Ar1’]a’‑[Ar2’]b’‑[Ar3’]c’‑(I)重复单元的聚合物,其中Y为可任选取代的二价杂环基或环体系,Ar1、Ar1’、Ar2、Ar2’、Ar3及Ar3’彼此独立地为可任选取代的C6‑C24亚芳基或可任选取代的C2‑C30亚杂芳基;式(I);R1及R2中的至少一个为式(II)基团;及其作为有机半导体在有机器件,尤其是在有机光伏器件和光电二极管或在含有二极管和/或有机场效晶体管的器件中的用途。本发明聚合物可具有在有机溶剂中的优异溶解性和优异成膜性。此外,当本发明聚合物用于有机场效晶体管、有机光伏器件和光电二极管中时,可观察到高能量转化效率、优异的场效应迁移率、良好的开/关电流比和/或优异的稳定性。
  • 半导体
  • [发明专利]萘并引达省并二噻吩和聚合物-CN201680081409.8有效
  • P·哈约兹;D·克尔布莱因;I·麦卡洛克;A-C·克纳尔 - CLAP有限公司
  • 2016-12-08 - 2021-07-16 - C07D495/02
  • 本发明涉及含有至少一个式1单元的聚合物以及式1’化合物,其中在式1和1'中,n是0、1、2、3或4;m是0、1、2、3或4;X在每次出现时是选自O、S、Se或Te;Q在每次出现时是选自C、Si或Ge;R在每次出现时是选自氢、C1‑30烷基、C2‑30链烯基、C2‑30炔基、C5‑12环烷基、C6‑18芳基;R2、R2'、R*在每次出现时独立地选自氢,C1‑30烷基,C2‑30链烯基,C2‑30炔基,C5‑12环烷基,C6‑18芳基,5‑20员杂芳基,OR21,OC(O)‑R21,C(O)‑OR21,C(O)‑R21,NR21R22,NR21‑C(O)R22,C(O)‑NR21R22,N[C(O)R21][C(O)R22],SR21,卤素,CN,SiRSisRSitRSiu和OH;L1和L2在每次出现时各自独立地选自C6‑30亚芳基、5‑30员亚杂芳基。
  • 引达省噻吩聚合物
  • [发明专利]用于制造顶栅底接触有机场效应晶体管的图案化方法-CN201980012464.5在审
  • 林玮翔;M·周;李俊珉;李奇锡;S·贝克尔 - CLAP有限公司
  • 2019-02-27 - 2020-12-22 - H01L51/05
  • 本发明涉及一种在基板上制造顶栅底接触有机场效应晶体管的方法,所述有机场效应晶体管包括:源极和漏极、半导体层、固化的第一介电层及栅极;所述方法包括:i)步骤,涂布包含有机半导体材料的组合物以形成半导体层;ⅱ)步骤,涂布包含第一介电材料及至少具有两个叠氮基团的交联剂的组合物以形成第一介电层;ⅲ)步骤,通过光处理固化第一介电层的一部分;ⅳ)步骤,去除第一介电层的未固化的部分;及ⅴ)步骤,去除未被固化的第一介电层覆盖的半导体层的部分;其中,所述第一介电材料包含由至少一个聚合物嵌段A及至少两个聚合物嵌段B构成的星形聚合物,所述各个聚合物嵌段B连接于聚合物嵌段A;所述聚合物嵌段B的重复单元的60mol%以上从由组成的群组中选择;所述R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7及R8分别独立,并且是H或者C1‑10‑烷基。
  • 用于制造顶栅底接触有机场效应晶体管图案方法

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