专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]工业网络系统中从设备的配置-CN202211317394.4在审
  • C.王;A.辛格 - 施耐德电气工业公司
  • 2022-10-26 - 2023-04-28 - H04L41/0803
  • 用于在通信系统中配置从设备的方法,其中,主设备和从设备经由调试线成链连接,并经由现场总线并行连接,每个从设备被大于或等于1的指数索引,指数1的从设备连接到主设备,为了注册指数k等于或大于1的从设备,主设备:经由现场总线广播地发送地址配置帧,该地址配置帧包含用于具有指数k的从设备的定义地址的地址配置的指令,经由现场总线广播地发送设备信息的请求,该请求包含定义的地址,在接收到包含设备信息和定义地址的应答后,经由现场总线广播地发送命令,用于经由调试线向指数k+1的从设备发送调试信号,该命令包含定义地址,将接收到的设备信息存储在信息表中,该设备信息包含指数k的从设备的标识符和指数k的从设备的类型。
  • 工业网络系统设备配置
  • [发明专利]开关装置的磁体的位置可靠性-CN202210728805.2在审
  • F.C.布埃纳文图拉;C.王 - 施耐德电器工业公司
  • 2022-06-24 - 2023-01-03 - H01H3/28
  • 一种开关装置,包括:壳体,可移动元件,由头部、第一磁体和第二磁体制成并且可滑动地安装在壳体中,该可移动元件适于相对于壳体在释放位置和接合位置之间移动,印刷电路板,包括微控制器和上部面,在该上部面预先安装有第一磁感测元件和第二磁感测元件,第一和第二磁感测元件定位成面向第一和第二磁体,其中,第一和第二磁感测元件被配置成分别检测分别由第一和第二磁体产生的第一和第二磁场,其中,第一磁体的磁极配置与第二磁体的磁极配置相反,并且由第一磁体产生的第一磁场相对于由第二磁体产生的第二磁场反向并且大小相等,其中,第一和第二磁感测元件能够从第一和第二磁场分别产生第一和第二输出信号。
  • 开关装置磁体位置可靠性
  • [发明专利]用于光通信的系统、平台和方法-CN202010799663.X有效
  • C.王 - X开发有限责任公司
  • 2017-09-25 - 2021-12-21 - H04B10/25
  • 本发明涉及一种光通信的系统、平台以及方法。所述系统包括:光环行器,具有第一端口、第二端口和第三端口;单模光纤,耦合到所述光环行器的第一端口;双包层光纤,耦合到所述光环行器的第二端口;和多模光纤,耦合到所述光环行器的第三端口;发射器,耦合到所述单模光纤,所述发射器使用第一信道发送第一光信号,其中所述发射器包括可调谐发射器;接收器,耦合到所述多模光纤,所述接收器与所述发射器进行发送的同时使用第二信道接收第二光信号;和多模可调谐滤波器,耦合在所述多模光纤和所述接收器之间;其中所述光环行器在所述单模光纤、所述双包层光纤和所述多模光纤中路由第一或第二光信号。
  • 用于光通信系统平台方法
  • [发明专利]用于风轮机转子毂的内部阶梯组件-CN201610110419.1有效
  • C.王;M.M.K.西瓦南萨姆;V.S.米萨拉 - 通用电气公司
  • 2016-02-29 - 2021-03-23 - F03D1/06
  • 本发明涉及用于风轮机转子毂的内部阶梯组件。具体而言,一种用于风轮机的转子毂可大体上包括毂本体,其限定多个叶片凸缘和与叶片凸缘间隔开的多个接近端口。此外,转子毂可包括在毂本体的内部内延伸的阶梯组件。阶梯组件可包括多个平台,其中各个平台限定平表面,且与该多个接近端口中的相应一个沿周向对准。阶梯组件还可包括在各对相邻平台之间延伸的连接框架以便将相邻平台联接到彼此。连接框架可沿限定在相邻平台之间的基准线纵向地延伸。平台可关于彼此定位,使得基准线关于由相邻平台限定的平表面成非垂直的角度延伸。
  • 用于风轮转子内部阶梯组件
  • [发明专利]形成分裂栅存储器单元的方法-CN201910588914.7在审
  • 邢精成;C.王;G.Y.刘;刁颖;X.刘;N.杜 - 硅存储技术公司
  • 2019-07-02 - 2021-01-05 - H01L27/11521
  • 本公开涉及形成分裂栅存储器单元的方法。本发明公开了一种形成存储器设备的方法,包括在第一导电层上形成第二绝缘层,该第一导电层形成在第一绝缘层上,该第一绝缘层形成在半导体基板上。在第二绝缘层中形成向下延伸到第一导电层的一部分并且暴露该第一导电层的一部分的沟槽,该部分被蚀刻或氧化以具有凹形上表面。沿沟槽的侧壁形成两个绝缘间隔部,该两个绝缘间隔部具有彼此面对的内表面和彼此背离的外表面。源极区形成于基板中的绝缘间隔部之间。第二绝缘层以及第一导电层的一部分被去除以在绝缘间隔部下方形成浮栅。在浮栅的侧表面上形成第三绝缘层。沿外表面形成两个导电间隔部。在基板中相邻于导电间隔部形成漏极区。
  • 形成分裂存储器单元方法

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