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[发明专利]升华系统-CN202180079290.1在审
发明人： V·洛佩兹迪亚斯;C·海斯勒;F·巴尼奇;J·克劳斯;L·菲斯特;O·德卡斯特罗;H·Q·霍恩;R·巴拉玛 -专利权人：卢森堡科学技术研究院
申请日： 2021-11-24 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： G01N1/42 文献下载
摘要：用于从风化层升华水冰和/或水冰的系统和方法。该系统包括处于高至超高真空下的升华室(30)，热管理系统(1)的护罩(6)伸入该升华室中。升华的水被收集以进一步分析或在线分析。例如，冷阱(60、72、74、76、78)可用于捕集水，并将其传送至样品管(92)进行分析。
升华系统

[发明专利]热管理系统-CN202180079288.4在审
发明人： V·洛佩兹迪亚斯;C·海斯勒;F·巴尼奇;J·克劳斯;L·菲斯特;O·德卡斯特罗;H·Q·霍恩;R·巴拉玛 -专利权人：卢森堡科学技术研究院
申请日： 2021-11-24 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： B01L3/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种热管理系统(1)，包括：低至极低温的热源(2、4)；用于加热源(2、4)的加热元件(16)；屏蔽部(6)，适于与样品(8)和源(2、4)通过传导交换热量；控制器(24)，被校准以用于将沿屏蔽部(6)的温度梯度维持在预定范围内；真空密封馈通，包括热绝缘元件(12)，真空密封馈通在第一界面周围界定真空密封空间(14)，使得屏蔽部(6)与热源(2、4)仅通过传导并仅在第一界面(6.11)处交换热量。该热管理系统的优选目的是升华水冰和/或陷在表土的水冰，并定位在真空腔室中。热绝缘元件(12)配置为将热源(2、4)与真空腔室物理分离，屏蔽部(6)可以突出到该真空腔室中的，使得来自样品的已升华混合物不遇到将导致其沉积在屏蔽部或真空腔室的壁上的较冷点。
管理系统

[发明专利]具有结构氧掺杂的硅及其生产方法和用途-CN00118627.2无效
发明人： C·海斯勒;H·U·赫夫斯;W·科克;S·图尔姆;O·布雷滕斯坦 -专利权人：拜尔公司
申请日： 2000-06-16 - 公布日： 2001-01-03 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明涉及具有高的氧含量同时具有高的晶格位错密度的硅及其生产方法。这种硅可以用在光电转换中。基于按照本发明的这种材料的太阳能电池表现出高水平的效率,尽管其高的氧含量。
具有结构掺杂及其生产方法用途