“C·H·拉姆”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果7个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]单掩模相变存储器工艺集成-CN201180039400.8无效
发明人： M·J·布赖特韦什;C·H·拉姆;H-L·隆;E·A·约瑟夫 -专利权人：国际商业机器公司;旺宏电子股份有限公司
申请日： 2011-07-11 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明的一个实例实施例示出了一种制造相变存储器单元的方法。所述方法包括在绝缘衬底内形成非亚光刻过孔。所述绝缘衬底嵌在与半导体晶片的第一金属化层（金属1）相同的层上，并包括底部和侧壁。亚光刻孔穿过所述非亚光刻过孔的所述底部形成并延伸至掩埋导电材料。用导电非相变材料填充所述亚光刻孔。此外，在所述非亚光刻过孔内沉积相变材料。
单掩模相变存储器工艺集成

[发明专利]适于高温操作的相变存储器器件-CN201080050550.4无效
发明人： M·J·布莱特韦斯;C·H·拉姆;B·拉简德兰;S·劳克斯;A·G·施罗特;D·科雷布斯 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2010-11-10 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： C23C16/00 文献下载
摘要：一种相变存储器单元，包括：底部电极；顶部电极，与底部电极分开；以及生长主导型相变材料，沉积于底部电极和顶部电极之间并且接触底部电极和顶部电极并且在其侧壁处由绝缘材料包围。重置状态的相变存储器单元仅包括在相变存储器单元的有效体积内的生长主导型相变材料的非晶相。
适于高温操作相变存储器器件

[发明专利]相变存储元件-CN201080053113.8有效
发明人： M·J·布赖特维施;C·H·拉姆 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2010-10-26 - 公布日： 2012-09-12 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：一种制造在半导体结构中的相变存储元件以及具有该元件的半导体结构的方法，该方法包括：在底电极的上表面蚀刻开口，所述开口被形成为具有等于半导体结构中的同一层处的介质层中形成的金属区域的高度，在开口内沉积保形膜并且凹陷所述保形膜以暴露底电极的上表面，在开口中沉积相变材料，凹陷开口中的相变材料，以及在凹陷的相变材料上形成顶电极。
相变存储元件

[发明专利]面积有效仿神经电路-CN201080051985.0有效
发明人： M·J·布赖特韦什;C·H·拉姆;D·S·莫德哈;B·拉金德兰 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2010-08-25 - 公布日： 2012-09-12 - 主分类号： G06N3/063 文献下载
摘要：一种仿神经电路包括：第一场效应晶体管，处于在所述第一场效应晶体管的第一栅极和第一漏极之间建立电连接的第一二极管配置。所述仿神经电路还包括：第二场效应晶体管，处于在所述第二场效应晶体管的第二栅极和第二漏极之间建立电连接的第二二极管配置。所述仿神经电路还包括：可变电阻材料，电连接到所述第一漏极和所述第二漏极二者，其中所述可变电阻材料提供可编程电阻值。所述仿神经电路附加地包括：第一结，电连接到所述可变电阻材料并提供到神经元电路的输出的第一连接点；以及第二结，电连接到所述可变电阻材料并提供到所述神经元电路的所述输出的第二连接点。
面积效仿神经电路

[发明专利]用于完全非晶相变存储器孔隙单元的化学机械抛光停止层-CN201080036669.6有效
发明人： M·J·布赖特维希;C·H·拉姆 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2010-07-29 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种用于制造相变存储器孔隙单元的方法，其包括形成底部电极；在底部电极上形成第一介电层；在第一介电层上形成牺牲层；在牺牲层上形成隔离层；以及在隔离层上形成第二介电层。该方法还包括形成位于底部电极上方的过孔，该过孔延伸至牺牲层；蚀刻穿过牺牲层至第一介电层以形成限定为延伸通过牺牲层与第一介电层的孔隙；在牺牲层上和在孔隙内沉积相变材料，并且移除形成于孔隙外部的相变材料；移除牺牲层以暴露出孔隙，该孔隙垂直对准；以及在孔隙上方形成顶部电极。
用于完全相变存储器孔隙单元化学机械抛光停止

[发明专利]使用相变器件的三元内容可寻址存储器-CN201080010880.0有效
发明人： C·H·拉姆;R·K·蒙托耶;B·拉詹德朗;B·季 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2010-01-26 - 公布日： 2012-02-01 - 主分类号： G11C15/04 文献下载
摘要：一种内容可寻址存储器器件，具有存储高、低和随意这些三元数据值的多个存储器单元。内容可寻址存储器器件的一个方面在于存储器单元中的第一存储器元件和第二存储器元件的使用。第一存储器元件和第二存储器元件在并联电路中电耦合到匹配线。第一存储器元件耦合到第一字线，第二存储器元件耦合到第二字线。第一存储器元件配置用于在三元数据值为低的情况下存储低阻态以及在三元数据值为高或者随意的情况下存储高阻态。第二存储器元件配置用于在三元数据值为高的情况下存储低阻态，以及在三元数据值为低或者随意的情况下存储高阻态。
使用相变器件三元内容寻址存储器

[发明专利]用于提高内容可寻址存储器中感测容限的编码技术-CN201080008624.8有效
发明人： L·拉斯特拉斯-莫塔诺;M·弗兰切斯基尼;C·H·拉姆;B·拉金德兰 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2010-01-25 - 公布日： 2012-01-18 - 主分类号： G11C15/00 文献下载
摘要：披露了使用编码数据字和搜索字的内容可寻址存储器以及用于操作此类设备的技术。在一个实施例中，所述数据字被转换为代码字，所述代码字保证当所述数据字与所述搜索字不匹配时，在存储器搜索操作期间不同二进制值的至少两个代码字位不匹配。在另一实施例中，所述搜索字被转换为搜索代码，以便当所述数据字和所述搜索字之间的至少一个位不匹配时，所述代码字和所述搜索代码之间的汉明距离大于给定阈值。
用于提高内容寻址存储器中感测容限编码技术

1
共 7 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top