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[发明专利]用于制作半导体激光二极管的方法以及激光二极管-CN201810859373.2有效
发明人： C·科里亚索;G·米奈格海尼;R·保莱蒂 -专利权人：会聚光子学意大利有限责任公司
申请日： 2018-07-30 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01S5/125 文献下载
摘要：本公开涉及用于制作半导体激光二极管的方法以及激光二极管。一种在具有稳定波长的半导体激光器的平面部分中制作具有分布式光栅反射器(RT)的激光二极管的方法，包括：提供由基板、布置在基板上的第一包覆层、布置在第一包覆层上并适于发射辐射的有源层和布置在有源层上的第二包覆层以及接触层形成的二极管，所述包覆层适于形成异质结以允许电流到有源层中的有效注入和光学限制。制造方法提供以在器件的第一部分上产生波导以用于光学辐射的限制，并且在器件的其余部分上产生用于光反射和限制的两种不同光栅。通过光刻和随后的蚀刻来实现用于限制光学辐射的波导，而光栅的制作需要高分辨率光刻和从平面区域起的浅蚀刻。
用于制作半导体激光二极管方法以及

[发明专利]半导体激光二极管及其制造方法-CN201710223119.9有效
发明人： R·保莱蒂;C·科里亚索;P·卡莱法蒂 -专利权人：普里马电子股份公司
申请日： 2017-02-23 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： H01S5/125 文献下载
摘要：本发明涉及一种激光二极管器件，包括：衬底；至少一个第一披覆层，设置在所述衬底上；活性层，设置在所述第一披覆层上并且布置为发射辐射；至少一个第二披覆层，设置在所述活性层上，所述披覆层适于形成异质结，从而允许电流有效注入所述活性层和光限制；第一端面和第二端面，相对于所述披覆层与所述活性层横向设置，并且通过干法或湿法刻蚀和/或其组合形成在所述层中；周期性结构，设置在所述第二端面附近以及所述第二披覆层内部，并且属于光腔，其中所述第一端面代表输出镜，由所述活性层产生的辐射从其出射，以及所述第二端面由周期性结构集成，代表具有高反射率的第二镜，从而由所述活性层产生的辐射几乎完全通过所述第一镜出射。
半导体激光二极管及其制造方法