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[发明专利]发光二极管组件-CN201280017115.0无效
发明人： T·D·洛斯;E·J·塔萨;B·P·克勒;D·T·埃默森 -专利权人：科锐
申请日： 2012-01-24 - 公布日： 2014-02-05 - 主分类号： G09F9/33 文献下载
摘要：按照第一实施例，LED组件(400)包括单片衬底(405)、设置在衬底表面的LED芯片(415)阵列以及覆盖LED芯片(415)并且具有附连到衬底的透镜基底(420a)的光学透镜(420)，其中LED芯片(415)定位成提供从透镜基底(420a)的垂直中心线移位的峰值发射。按照第二实施例，该LED组件包括单片衬底、设置在衬底表面的LED芯片阵列以及光学透镜阵列，各光学透镜覆盖LED芯片的至少一个并且具有附连到衬底的透镜基底，其中LED芯片的至少一个定位成提供从相应透镜基底的垂直中心线移位的峰值发射。
发光二极管组件

[发明专利]发射调谐方法和利用方法制造的器件-CN200980121201.4有效
发明人： A·奇特尼斯;J·埃德蒙;J·C·布里特;B·P·克勒;D·T·埃默森;M·J·伯格曼;J·S·凯巴卢 -专利权人：克里公司
申请日： 2009-03-31 - 公布日： 2011-05-04 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：一种用于制造发光二极管(LED)芯片的方法，包括典型地在晶圆上提供多个发光二极管，并用转换材料涂敷所述发光二极管，以使至少一些来自所述发光二极管的光穿过所述转换材料并被转换。来自发光二极管芯片的光发射包括来自转换材料的光，典型性地与发光二极管的光相组合。至少一些发光二极管芯片的发射特性被测量，并且发光二极管上的至少一些转换材料被移除，以改变发光二极管芯片的发射特性。本发明特别地可应用于在晶圆上制造发光二极管芯片，其中发光二极管芯片具有在目标发射特性的范围内的光发射特性。该目标范围可落入CIE曲线上的发射区域内，以减少对来自晶圆的发光二极管的装仓的需求。通过对发光二极管上的转换材料微加工，晶圆中的发光二极管芯片的发射特性可被调谐至期望的范围。
发射调谐方法利用制造器件

[发明专利]用于发光器件的单晶荧光体光转化结构-CN200880025158.7无效
发明人： R·P·莱托奎恩;N·W·小梅登多普;B·P·克勒;A·查克拉博尔蒂 -专利权人：克里公司
申请日： 2008-05-02 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： C09K11/79 文献下载
摘要：固态发光器件包括固态发光晶粒和光转化结构。所述光转化结构可包括单晶荧光体且可在所述固态发光晶粒的发光表面上。所述光转化结构可经由粘合层连接至所述固态发光晶粒的发光表面。所述光转化结构还可直接在所述固态发光晶粒的发光表面上。本发明还公开了相关方法。
用于发光器件荧光转化结构