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[发明专利]用于金属化半导体元件背面的基于激光的方法和加工台-CN201380043573.6有效
发明人： H·豪泽;J·内卡尔达;R·普罗伊;B·布拉西 -专利权人：弗劳恩霍弗实用研究促进协会
申请日： 2013-08-08 - 公布日： 2017-01-18 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明涉及将半导体元件的背面金属化的方法，该半导体元件是光伏太阳能电池的一部分或在光伏太阳能电池制造工艺中的前体，包括以下方法步骤A、将至少一个至少单层的金属箔膜施加到半导体元件背面；B、局部加热至少金属箔膜，从而在局部区域暂时实现金属箔膜熔化。重要的是，在金属箔膜和半导体元件背面之间至少在局部形成空隙，该空隙填充有填料，该填料具有小于1.4的光学折射率。本发明还涉及尤其采用这种方法而制造的太阳能电池以及用于执行这种方法的加工台。
用于金属化半导体元件背面基于激光方法加工

[发明专利]太阳能电池-CN201080042146.2无效
发明人： M·赫姆勒;H·豪泽;P·伯格;B·布拉西;M·佩特斯;J·C·戈尔德施密特 -专利权人：弗劳恩霍弗实用研究促进协会;弗赖堡阿尔伯特-路德维格大学
申请日： 2010-09-13 - 公布日： 2012-08-22 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本发明涉及一种太阳能电池，包括：一个硅层、一个构造成用于光输入的正面和一个背面，所述硅层具有第一掺杂类型的掺杂，其中，硅层是掺杂的基层(1、21、31)，在硅层的背面上设置至少一个织构层(2、22、32)和一个金属层(4、24、34)，必要时分别设置在另外的中间层上，并且织构层至少在一个部分区域内具有背面织构，所述背面织构构造成光学的衍射结构。重要的是，在背面织构和金属层(4、24、34)之间设置至少一个织构中间结构(3、23、33)，其中，金属层(4、24、34)与织构层(2、22、32)和/或与基层(1、21、31)导电地连接，织构中间结构(3、23、33)至少在800nm至11OOnm的波长范围内是基本透明的，并至少在该波长范围内具有小于织构层折射率的折射率n，所有设置在基层(1、21、31)和织构中间结构(3、23、33)之间的层的折射率与硅的折射率最大相差30％，并且直接设置在基层(1、21、31)的背面上的层是在少数载流子的复合方面使表面钝化的钝化层。
太阳能电池

[发明专利]太阳能电池及其制造方法-CN201080025254.9有效
发明人： B·布拉西;M·佩特斯;J·C·戈尔德施密特;M·赫姆勒;H·豪泽;P·伯格 -专利权人：弗劳恩霍弗实用研究促进协会;弗赖堡阿尔伯特-路德维格大学
申请日： 2010-06-07 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本发明涉及一种太阳能电池，该太阳能电池包含硅基底(1)、用于光子聚束而设置的正面(2)以及背面(3)。重要的是，所述正面至少在部分区域具有正面纹理，该正面纹理是以大于1μm的周期长度周期性地沿着空间方向A的，并且所述背面至少在部分区域具有背面纹理，该背面纹理是以小于1μm的周期长度周期性地沿着空间方向B的，其中，所述空间方向A与所述空间方向B之间的角度为80°至100°之间。
太阳能电池及其制造方法