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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]阻变存储器-CN201310444816.9有效
发明人： M·A·范布斯科克 -专利权人： ADESTO技术公司
申请日： 2013-09-23 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种阻变存储器。在本发明的一个实施例中，存储单元包括具有第一端子和第二端子的第一阻变元件、和具有第一端子和第二端子的第二阻变元件。该存储器还包括三端子晶体管，其具有第一端子、第二端子、和第三端子。三端子晶体管的第一端子耦合至第一阻变元件的第一端子。三端子晶体管的第二端子耦合至第二阻变元件的第一端子。三端子晶体管的第三端子耦合至字线。
存储器

[发明专利]具有半金属或半导体电极的非易失性存储器-CN201480016247.0有效
发明人： J·R·詹姆森 -专利权人： ADESTO技术公司
申请日： 2014-03-17 - 公布日： 2018-12-14 - 主分类号： H01L47/00 文献下载
摘要：一种在不同阻抗状态之间可编程的存储器元件包括，包含半金属或半导体(半金属/半导体)的第一电极层；第二；以及形成在第一和第二电极之间并且包括绝缘材料的开关层；其中半金属/半导体的原子通过施加电场提供了绝缘材料的导电性的可逆改变。
具有金属半导体电极非易失性存储器

[发明专利]可编程的阻抗储存元件和相应的方法-CN201480011579.X在审
发明人： W·T·李;J·王;C·高帕兰;J·A·希尔茨;Y·马;K·C·蔡;J·桑切斯;J·R·詹姆森;M·A·范巴斯柯克;V·P·戈皮纳特 -专利权人： ADESTO技术公司
申请日： 2014-03-03 - 公布日： 2016-03-02 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种可在不同的阻抗状态之间编程的存储元件可包括第一电极；转换层，该转换层接触第一电极并包含至少一种金属氧化物；和接触所述转换层的缓冲层。缓冲层可包括第一金属、碲、第三元素和在缓冲层之内分布的第二金属。第二电极可接触缓冲层。
可编程阻抗储存元件相应方法

[发明专利]可变阻抗存储元件的接触结构与方法-CN201280023443.1在审
发明人： C·格帕兰 -专利权人： ADESTO技术公司
申请日： 2012-06-25 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： G11C11/34 文献下载
摘要：存储元件可以包括：开口，其在至少一个绝缘层上，该绝缘层形成于蚀刻停止层上，该开口在其底部暴露第一电极部分和所述蚀刻停止层;第二电极部分，在所述开口的至少侧表面上形成，并接触第一电极部分，第二电极部分不填充所述开口，并且基本上不形成于至少一层绝缘层的顶部表面上;至少一个存储层，形成于至少一个绝缘层顶部表面并与第二电极部分接触，所述至少一个存储层可以在至少两个阻抗状态之间可逆地可编程。还公开了形成这样的存储元件的方法。
可变阻抗存储元件接触结构方法

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共 4 条

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