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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]吸收性衣物及其生产方法-CN200680056002.6无效
发明人： A·瑟德贝里;S·内德斯塔姆;L·贝克 -专利权人： SCA卫生用品公司
申请日： 2006-10-03 - 公布日： 2009-08-19 - 主分类号： A61F13/49 文献下载
摘要：一种吸收性衣物包括具有第一和第二横向端边缘(8a，8b)的容纳组件(8)，所述容纳组件包括在面向穿戴者的一侧上的可渗液的内护片(6)、不可渗液的外护片(7)以及位于内和外护片之间的吸收芯部(5)。该衣物还包括至少一个接合至容纳组件(8)的横向端边缘之一的腰板(9，10)，所述腰板(9，10)沿着接缝(11，12)接合至容纳组件(8)，在接缝中，腰板的面向穿戴者的一侧面对容纳组件的内护片(6)。该衣物可沿着所述接缝(11，12)在横向(x)上折叠地包装和存放。本发明还涉及一种生产该衣物的方法。
吸收性衣物及其生产方法

[发明专利]高电压自定位MOS元件的集成-CN01818221.6有效
发明人： A·瑟德贝里;P·奥洛夫松;A·利温特 -专利权人： LM艾瑞克生电话公司
申请日： 2001-11-01 - 公布日： 2004-01-28 - 主分类号： H01L21/266 文献下载
摘要：本发明涉及一种方法，该方法用于在一n阱CMOS制造工艺中将一高电压NMOS晶体管分别与一低电压NMOS晶体管及一低电压PMOS晶体管集成在一起，其仅须在一常规CMOS制造工艺中增加两个附加制造工艺步骤：(i)一掩模步骤，及(ii)一离子注入步骤，其中离子注入步骤用于在衬底(1)中形成高电压MOS晶体管的一掺杂沟道区(31)，该沟道区自定位于高电压MOS晶体管栅极区(25)的边缘。离子注入(35)通过掩模(33)在一相对于衬底表面法线倾斜一角度(α)的方向上进行，由此生成部分位于高电压MOS晶体管栅极区之下的掺杂沟道区。
电压定位 mos 元件集成

[发明专利]半导体元件及其制造方法-CN98813167.6无效
发明人： A·瑟德贝里;H·舍丁 -专利权人：艾利森电话股份有限公司
申请日： 1998-11-16 - 公布日： 2003-12-24 - 主分类号： H01L21/763 文献下载
摘要：包括埋置导电层(108)例如埋置集电极的半导体包括一个沟槽，沟槽壁上覆盖一层(109′)，在层(109′)中掺杂剂的扩散比在单晶硅中快。在离沟槽壁(109′)很近的地方掺杂接触区。掺杂剂扩散穿过层(109′)形成到埋置层(108)的低阻连接。所述层(109′)包括多晶硅或多孔硅，或硅化物。如果层(109′)的材料自身不导电，元件的尺寸可以显著降低。
半导体元件及其制造方法

[发明专利]CMOS处理过程-CN00808861.6有效
发明人： A·瑟德贝里 -专利权人：艾利森电话股份有限公司
申请日： 2000-04-17 - 公布日： 2002-06-26 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种在低压CMOS处理过程中不用额外的处理步骤即可产生高压CMOS晶体管的方法。该高压MOS晶体管意于用作模拟线驱动器并在用作低压AD/DA转换器的同一硅区上产生。这样,低压块和高压块就可直接彼此兼容,例如具有相同的阈值电压,这种方法也使总方案的设计得以简化。
cmos 处理过程

[发明专利]电子电路及其制造方法-CN98813482.9无效
发明人： S·T·－B·维克伦德;A·瑟德贝里 -专利权人：艾利森电话股份有限公司
申请日： 1998-12-04 - 公布日： 2001-02-14 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：一种电子线路包含具有给定不精确度标称电导的第一电子元件,该电路还包含至少一个和元件并联的附加场效应晶体管,该电子线路的电导是可调节的。所有场效应晶体管的源极接至公共源极,所有场效应晶体管的漏极接至公共漏极,并且控制单元单独控制每个场效应晶体管的树极电压。最好通过将每个场效应晶体管的栅极电压接至公共栅极或公共源极来控制栅极电压。元件可用于构成开关或放大器,或者控制与本发明中电子线路串联的、包含其它电子元件的电路的电导。
电子电路及其制造方法

[发明专利]减小绝缘体基外延硅半导体元件中电场强度的方法和器件-CN98805461.2无效
发明人： H·舍丁;A·瑟德贝里;N·厄格伦;I·汉贝里 -专利权人：艾利森电话股份有限公司
申请日： 1998-03-24 - 公布日： 2000-06-21 - 主分类号： H01L23/60 文献下载
摘要：跨越电元件(1)周围的沟槽的导体(13)电连接到隔离的中间导电区(15),从而将场强集中移到电元件(1)之外,移到中间导电区(14)内。这样便可以防止电元件(1)中发生雪崩击穿。
减小绝缘体外延半导体元件电场强度方法器件

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