专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]flash的冗余替换方法、装置、寄存器和存储芯片-CN202310888219.9在审
  • 林朝明;朱雨萌;冯嘉;黄凯怡;康治伟 - 芯天下技术股份有限公司
  • 2023-07-19 - 2023-08-18 - G11C29/24
  • 本发明涉及存储芯片技术领域,具体公开了一种flash的冗余替换方法、装置、寄存器和存储芯片,其中,方法包括步骤:依地址顺序同时选中存储区的存储单元和冗余区的冗余单元进行检测,并分别生成存储单元检测结果和冗余单元检测结果;在存储单元检测结果为坏,以及冗余单元检测结果为坏或冗余单元检测结果对应的冗余单元已用于替换时,获取冗余单元检测结果为好且未用于替换的冗余单元来替换该存储单元检测结果为坏的存储单元;该方法利用冗余单元检测结果为好且未用于替换的冗余单元来进行替换处理,使得替换后的存储单元为好存储单元,省去了flash的冗余替换处理中的二次检测过程,并提高了良品率,且能充分利用冗余区的冗余单元。
  • flash冗余替换方法装置寄存器存储芯片
  • [发明专利]Nand闪存自动坏块标记方法、装置、存储介质和终端-CN202011466653.0在审
  • 黄凯怡;唐维强;周幸福 - 深圳市芯天下技术有限公司
  • 2020-12-14 - 2021-02-05 - G11C29/00
  • 本发明公开了一种Nand闪存自动坏块标记方法、装置、存储介质和终端,整个过程在单片机中实现,使Nand flash中所有块在全部要求的数据模式进行坏块查找,若某一块在某种数据模式下出现数据读出错误,则标记该块为坏块,最终完成Nand flash中所有坏块标记;本技术方案在单片机中完成一个坏块标记耗时远比机台短,特别在校验数据时,单片机程序中可任意配置ECC纠错位数,而机台要实现同样条件判断的耗时是非常长的,单片机程序五分钟内即可完成一个坏块标记;而且单片机成本比机台价格便宜很多,用较低价格购入多片单片机就可实现大量nand flash并行测试,在短时间内完成大量nand flash的坏块标记。
  • nand闪存自动标记方法装置存储介质终端
  • [发明专利]修正脑血容积的方法及装置、血管照影设备-CN201410048609.6有效
  • 孙琦;黄凯怡 - 西门子(中国)有限公司
  • 2014-02-11 - 2018-02-13 - A61B6/00
  • 本发明实施方式公开了修正脑血容积的方法及装置。方法包括在患者脑部动脉几何结构的图像序列中的每帧图像上检测出各动脉的分叉点;对于任一组地位相同的动脉,在每帧图像上为各动脉选取感兴趣区域;对于每个感兴趣区域,从图像序列中提取该感兴趣区域的血流的TIC;根据各感兴趣区域的TIC,计算对应动脉的血流参数值;对于任一组地位相同的动脉,计算不同动脉间的血流偏差,根据血流偏差,为每根动脉生成CBV补偿因子M;基于患者脑部动脉的3D CBV图像横切面的解剖结构,将该横切面划分成多个动脉供血区,根据每个动脉供血区对应动脉的M,对该动脉供血区的CBV值进行修正。本发明减少了不均匀的CM分布对脑灌注对称性的影响。
  • 修正容积方法装置血管设备

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