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- [实用新型]一种新型跳频滤波器-CN202321321130.6有效
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黄九荣;马世娟;肖永平;倪晓东
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中科芯集成电路有限公司
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2023-05-29
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2023-09-26
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H03H7/12
- 本实用新型涉及微波射频及通信技术领域,特别涉及一种新型跳频滤波器,包括:输入耦合电感、第一调谐电感、第二调谐电感、第一调谐电容、第二调谐电容、级间耦合电感、输出耦合电感、第一到地电感和第二到地电感;所述输入耦合电感、所述级间耦合电感和所述输出耦合电感之间依次相接;所述第一到地电感的一端接入所述输入耦合电感和输入端口Port1之间,另一端接地;所述第一调谐电感和所述第一调谐电容的一端依次接入所述输入耦合电感和所述级间耦合电感之间,另一端接地。本实用新型满足滤波功能的电路基础上增加匹配大电感值,使得滤波器在跳频过程中保持相对带宽稳定,同时驻波变化不大,在设计和调试过程中,可以轻易的达到指标要求。
- 一种新型滤波器
- [发明专利]一种高近端抑制的低通滤波器-CN202310835119.X在审
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马世娟;郭鑫;肖永平;黄九荣;倪晓东
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中科芯集成电路有限公司
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2023-07-10
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2023-09-05
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H01P1/20
- 本发明涉及一种高近端抑制的低通滤波器,所述滤波器基片材料采用基板、硅基或陶瓷,包括:滤波器基片,所述的滤波器基片层叠为两层,第一层为滤波器结构图形和地,第二层为地;50ohm传输单元,所述50ohm传输单元设置于滤波器基片第一层的两端;若干个主路单元,所述主路单元设置于50ohm传输单元之间;若干个谐振单元,所述谐振单元设有与之对应位置的主路单元一端,且与之组成一级的树状连接结构;若干个耦合单元,所述耦合单元设于相邻两谐振单元之间。本发明的低通滤波器,根据滤波器的设计基本原理以及谐振单元中数值变化对性能影响的变化规律,提出在相邻两谐振单元间增加耦合结构的方法,提高低通滤波器的近端抑制度。
- 一种高近端抑制滤波器
- [发明专利]一种二阶跳频滤波器-CN202310555879.5在审
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马世娟;肖永平;黄九荣;倪晓东
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中科芯集成电路有限公司
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2023-05-17
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2023-08-18
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H03H7/01
- 本发明公开一种二阶跳频滤波器,属于通信领域,包括输入耦合电感、第一级间耦合电感、第二级间耦合电感、第三级间耦合电感、输出耦合电感、第一调谐电容和第二调谐电容。输入耦合电感、第一级间耦合电感、第二级间耦合电感和输出耦合电感依次连接;第一调谐电容的第一端连接在输入耦合电感和第一级间耦合电感之间,第二端接地;第二调谐电容的第一端连接在第二级间耦合电感和输出耦合电感之间,第二端接地;第三级间耦合电感的第一端连接在第一级间耦合电感和第二级间耦合电感之间,第二端接地。本发明的器件值适中,器件选型较易;器件数量少,利于产品小型化;可采用高Q值器件,实现产品低损耗。
- 一种二阶跳频滤波器
- [发明专利]一种高远端抑制度的LTCC低通滤波器-CN202211580614.2在审
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马世娟;肖永平;黄九荣;倪晓东
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中科芯集成电路有限公司
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2022-12-09
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2023-06-13
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H03H7/01
- 本发明公开一种高远端抑制度的LTCC低通滤波器,属于通信领域,包括设置于陶瓷体内的微波组件;微波组件包括电感L1~L6、电容C1~C5;电感L1的一端形成传输第一端口,另外一端与电感L3的一端及内部其他组件连接;电感L2的一端形成传输第二端口,另外一端与电感L4的一端及内部组件连接;电感L5、电容C4构成第一枝节,位于电感L1的顶层金属上方;电感L6、电容C5构成第二枝节,位于电感L2的顶层金属上方;电容C1位于电感L1和L3之间,电容C3位于电感L3和L4之间,电容C2位于电感L4和L2之间。本发明提高了LTCC低通滤波器的远端抑制度,具有高效、简单的优点,能够使远端8GHz频点的抑制度提高15dB;在保证LTCC低通滤波器尺寸的前提下,提高LTCC低通滤波器的远端抑制度。
- 一种远端抑制ltcc滤波器
- [发明专利]一种平面结构滤波器-CN202211590330.1在审
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黄九荣;马世娟;肖永平;倪晓东;刘骁知
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中科芯集成电路有限公司
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2022-12-12
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2023-05-09
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H01P1/212
- 本发明涉及微带线、带状线、微波领域的滤波器技术领域,特别涉及一种平面结构滤波器,包括上下依次布设的三层结构:上层,包括位于同一层的至少三个谐振单元、两个馈电单元和一个耦合枝节;若干谐振单元交替线性排列,第一馈电单元与第一谐振单元相连接,第二馈电单元与最后一个谐振单元相连接,耦合枝节与任意相邻的三个谐振单元的首尾两个谐振单元相连接,一起组成一个耦合回路,形成传输零点;中间层,介质基板;下层,金属地层。本发明不采用额外添加谐振单元的形式,仅仅添加一个耦合结构,使得在原有的响应基础上出现四个传输零点,使得滤波器的尺寸更小,插损更小,带外抑制更高。
- 一种平面结构滤波器
- [发明专利]全向双频段吸波材料-CN201610271892.8有效
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包永芳;肖磊;黄九荣
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电子科技大学
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2016-04-27
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2020-07-10
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H01Q17/00
- 本发明提供一种全向双频段吸波材料,包括第一介质层、第二介质层及空气层,第一介质层包括介质板、介质板上表面的顶部金属丝、介质板下表面的底部金属丝,顶部金属丝包括中间的十字形、以及十字形两交叉线的4个末端分别固连的圆弧段,4个圆弧段大小相同且均布于以十字形中心为原点的同一个圆上,相邻圆弧段之间留有相同大小的间隙,底部金属丝包括中间的十字形以及十字形外部的连续圆环,顶部金属丝和底部金属丝的十字形中心重合;所述第二介质层和第一介质层结构相同,且所述两介质层中的十字形中心对齐;本发明将两个人工电磁结构通过空气层叠加在一起,对不同的极化入射波都有很好的吸收效能从而同时满足了双频和全向性。
- 全向双频段吸波材料
- [发明专利]人工电磁屏蔽材料-CN201610180562.8有效
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包永芳;黄九荣;陈波;肖磊;吕俊材
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电子科技大学
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2016-03-24
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2018-08-24
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H01Q17/00
- 本发明提供一种人工电磁屏蔽材料,包括10层以上的介质板,每层介质板上印有连续或不连续的金属丝构成的金属丝阵列,所述金属丝阵列为大于8行且行间距为ax的连续金属丝,或者为行数大于8、列数大于8且行间距及列间距为ax和ay的非连续金属丝,所述行间距及列间距ax和ay同时都要小于λg/2,即所述金属丝阵列错开布拉格散射条件,λg为所需要屏蔽的截止波长;本人工电磁屏蔽材料结构简单,所需的介质板可以为任意的介电常数的介质,连续金属丝的屏蔽效能为高通,为超宽带屏蔽材料,涵盖频段宽,起始频率为0,本发明可以对任意方向的电磁波进行屏蔽。
- 人工电磁屏蔽材料
- [发明专利]复合左右手结构宽带移相器-CN201610770602.4在审
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包永芳;吕俊材;黄九荣
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电子科技大学
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2016-08-30
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2017-01-11
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H01P1/18
- 本发明提供一种复合左右手结构宽带移相器,从下之上依次包括背面覆铜层、介质基板、正面电路,正面电路包括P1区、P2区、P3区,P2区包括两个复合左右手结构移相单元,每个单元包括中间的交指部分、焊盘、金属化通孔,两个复合左右手结构移相单元之间通过右手传输线连接;P1区是威尔金森功分器,威尔金森功分器的两个输出端分别连接P2区和P3区,隔离电阻跨接在P2区和P3区之间;P3区是右手传输线移相单元,右手传输线移相单元为右手传输线,P3区输出端口port3和P2区的输出端口port2对齐;本发明含有新型的复合左右手移相单元,与传统移相器相比,能够实现宽带移相,如果采用MEMS技术的话,该结构移相器可以微型化运用于薄膜集成电路。
- 复合左右手结构宽带移相器
- [发明专利]小型化复合左右手结构宽带滤波器-CN201610781146.3在审
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包永芳;吕俊材;黄九荣
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电子科技大学
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2016-08-30
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2016-11-23
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H01P1/203
- 本发明提供一种小型化复合左右手结构宽带滤波器,从下至上依次包括背面覆铜层、介质基板、正面电路,正面电路包括五个复合左右手传输线谐振器,每个复合左右手传输线谐振器包括交指部分、直微带线、通孔焊盘、金属化通孔,五个复合左右手传输线谐振器平行竖直排列,相邻的两个谐振器的交指部分和直微带线上下交替排列,左右两端的谐振器的直微带线上分别连接两条微带线用作输入输出端口,本发明含有新型的复合左右手传输线谐振器,与传统谐振器相比更加紧凑小型,相邻的两个谐振器的交指部分和直微带线上下交替排列,谐振单元之间产生了强耦合,有利于构成宽带带通滤波器,在实现宽带带通特性的情况下,极大的减小了尺寸。
- 小型化复合左右手结构宽带滤波器
- [发明专利]三七的种植方法-CN201210179024.9无效
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黄九荣
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黄九荣
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2012-05-31
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2013-12-18
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A01G1/00
- 本发明涉及中草药种植技术领域,具体涉及一种三七种植方法。其特征在于该方法通过对三七在种植期内进行选种、拌种剂种子处理、播种及株、行距控制,采用保水节肥措施、移苗期及苗期管理来实现三七种植的全程管理。本发明的有益效果在于通过采取对种子的特殊处理,合理密植,适时播种,有效施肥,有效的提高了三七植株的成活率,从而提高了种植效益。且该方法简单易行,一般农户即可掌握。
- 三七种植方法
- [发明专利]藏药绿萝花的种植方法-CN201110407365.2无效
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黄九荣
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黄九荣
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2011-12-08
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2013-06-19
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A01H4/00
- 本发明公开一种藏药绿萝花的种植方法,涉及一种藏药的栽培,属于生物技术领域。其特征在于:春季,进行分株繁殖,将绿萝花根部分丛,每丛3~4个假鳞茎,分别栽入基质中选取绿萝花具有3~4叶片,3~5条根,根长4~5cm,栽入基质中条件为湿度80%、温度20℃下培养。其有益效果在于:通过利用植物激素消除自由基、促进细胞分化作用,促进绿萝花愈伤组织分化生长的小植株,可以在短时间内获得较大量的绿萝花,从而根本上解决了绿萝花种源短缺,且生长时间短的问题。
- 藏药绿萝花种植方法
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