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[发明专利]相移掩模及使用其的图案形成体的制造方法-CN202010891721.1在审
发明人：安达俊;三浦阳一;高见泽秀吉;早野胜也;大川洋平;渡边浩司;谷绚子 -专利权人：大日本印刷株式会社
申请日： 2014-08-21 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： G03F1/32 文献下载
摘要：一种相移掩模及使用其的图案形成体的制造方法，是应用ArF准分子激光曝光光的半色调型的相移掩模，该相移掩模具有透明基板和半透光膜图案，该半透光膜图案形成于所述透明基板上且仅包含Si及N或者仅包含Si、N以及O，该半透光膜图案在ArF准分子激光曝光光的波长下的消光系数为0.2～0.45的范围内，在ArF准分子激光曝光光的波长下的折射率为2.3～2.7的范围内，在ArF准分子激光曝光光的波长下的透光率为15％～38％的范围内，膜厚为57nm～67nm的范围内，该半透光膜图案具有被晶片解析的主图案和辅助所述主图案的解析而不被晶片解析的辅助图案，所述辅助图案为凸状图案且具有60nm以下的宽度或深度。
相移使用图案形成制造方法

[发明专利]掩模坯料、带有负型抗抗蚀膜的掩模坯料、相移掩模及使用其的图案形成体的制造方法-CN201480045458.7有效
发明人：安达俊;三浦阳一;高见泽秀吉;早野胜也;大川洋平;渡边浩司;谷绚子 -专利权人：大日本印刷株式会社
申请日： 2014-08-21 - 公布日： 2020-09-11 - 主分类号： G03F1/32 文献下载
摘要：本发明通过提供如下掩模坯料而解决上述课题，该掩模坯料，其特征在于，用于制造应用ArF准分子激光曝光光的半色调型的相移掩模，具有透明基板与半透光膜，该半透光膜形成于上述透明基板上且仅包含Si及N或仅包含Si、N、及O的半透光膜，且上述半透光膜，其在ArF准分子激光曝光光的波长下的消光系数为0.2～0.45的范围内，在ArF准分子激光曝光光的波长下的折射率为2.3～2.7的范围内，在ArF准分子激光曝光光的波长下的透光率为15％～38％的范围内，进而膜厚为57nm～67nm的范围内。
坯料带有负型抗抗蚀膜相移使用图案形成制造方法

[发明专利]掩模坯料、相位位移掩模及其制造方法-CN201580015667.1有效
发明人：渡边浩司;早野胜也;高见泽秀吉;大川洋平;安达俊;谷绚子;三浦阳一 -专利权人：大日本印刷株式会社
申请日： 2015-01-29 - 公布日： 2019-09-03 - 主分类号： G03F1/32 文献下载
摘要：本发明提供一种掩模坯料，其具有透明基板、形成于所述透明基板上的半透明层、形成于所述半透明层上的中间层、和形成于所述中间层上的遮光层，所述遮光层由不含过渡金属的单一金属材料构成，所述遮光层的膜厚为40nm以下，层叠有所述半透明层、所述中间层、所述遮光层的3种层的层叠体相对于曝光光的光学密度，为作为遮光区域发挥功能的值以上；因此，其可用于制造即使遮光图案膜减薄仍具有高遮光性，可减小EMF偏差值，图案加工性、耐光性、耐药品性优异，适合于晶圆上的半间距40nm以下的光刻技术的半色调型相位位移掩模。
坯料相位位移及其制造方法

[发明专利]光掩模、光掩模的制造方法及修正方法-CN201080007022.0有效
发明人：长井隆治;高见泽秀吉;毛利弘;森川泰考;早野胜也 -专利权人：大日本印刷株式会社
申请日： 2010-02-04 - 公布日： 2012-01-04 - 主分类号： G03F1/32 文献下载
摘要：提供一种使用在以ArF准分子激光为曝光光源的、基于变形照明的投影曝光中、能够确保作为辅助图案的焦点深度放大效果、同时在不使辅助图案发生析像的情况下形成主图案的高对比度的转印图像的具有辅助图案的半色调掩模及其制造方法。光掩模是在设有通过投影曝光而向转印对象面转印的主图案和形成在主图案的附近且不转印的辅助图案的光掩模，其特征在于，主图案和辅助图案通过由同一材料形成的半透明膜构成，使透过主图案的光与透过透明基板的透明区域的光产生180度的相位差，且使透过辅助图案的光与透过透明基板的透明区域的光产生70度～115度范围的规定的相位差。
光掩模制造方法修正