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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]高性能射频开关-CN201680048254.8有效
  • 马尼沙·N·沙哈;阿米塔瓦·达斯 - 泰戈尔技术股份有限公司;马尼沙·N·沙哈;阿米塔瓦·达斯
  • 2016-06-16 - 2019-08-09 - H01L29/66
  • HEMT单元包括彼此串联地电连接的两个或更多个氮化镓(“GaN”)高电子迁移率晶体管(“HEMT”)器件。HEMT单元包括HEMT单元漏极、HEMT单元源极和HEMT单元栅极。HEMT单元漏极与该串联中的第一个GaN HEMT器件的漏极连接。HEMT单元源极与该串联中的最后一个GaN HEMT器件的源极连接。HEMT单元栅极连接到与第一个GaN HEMT器件的栅极连接的第一二维电子气(“2DEG”)栅极偏置电阻器。HEMT单元栅极连接到与第二GaN HEMT器件的栅极连接的第二2DEG栅极偏置电阻器。第一和第二2DEG栅极偏置电阻器位于HEMT单元的2DEG层中。还公开了一种多掷RF开关。
  • 性能射频开关
  •  1 
  • 共 1 条
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