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[发明专利]非挥发性存储器元件及其制造方法-CN202011441535.4在审
发明人： 颜祥修;蔡博安 -专利权人：力晶积成电子制造股份有限公司
申请日： 2020-12-08 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： H01L27/11519 文献下载
摘要：本发明公开一种非挥发性存储器元件及其制造方法，其中该非挥发性存储器元件的制造方法，包括在基底内形成元件隔离结构、在基底上形成浮动栅极、内层介电层与浮动栅极接触窗以及于内层介电层上形成内连线结构。所述内连线结构包括交替堆叠的多层金属层与多层金属层间介电(IMD)层以及连接上下金属层的多个介层窗。在所述方法中，形成内层介电层之后，在元件隔离结构上方的内层介电层与金属层间介电层中的至少一层内，同时形成第一梳型接触窗作为浮动栅极延伸部以及第二梳型接触窗作为控制栅极。在形成所述内连线结构期间，同时形成电连接浮动栅极延伸部至浮动栅极接触窗的结构。
挥发性存储器元件及其制造方法

[发明专利]硅控整流器与静电放电箝制电路-CN201510400312.6有效
发明人：张俊彦;颜祥修;张邵勤;江哲维 -专利权人：张俊彦;颜祥修;奇景光电股份有限公司
申请日： 2015-07-09 - 公布日： 2018-08-28 - 主分类号： H01L27/082 文献下载
摘要：本发明是关于一种硅控整流器与静电放电箝制电路，其中该硅控整流器包含分离的第一型场、第二型第一场及第二型第二场，形成于第一型井内；连续第一型掺杂区，形成于第一型场内；分段第二型掺杂区，形成于第二型第一场内；及分段第一型掺杂区，形成于第二型第二场内。本发明的一种硅控整流器的新颖架构，其具增强的保持电压。本发明提出另一种多晶硅电阻触发的堆叠硅控整流器，其不会增加触发电压。
整流器静电放电箝制电路