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[发明专利]显示面板及显示面板的制作方法-CN202211099634.8在审
发明人： 阳志林;张末 -专利权人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2022-09-07 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供一种显示面板及显示面板的制作方法，显示面板包括多个发光器件；多个像素驱动电路，每一像素驱动电路包括：驱动晶体管、第一发光控制晶体管和第一复位晶体管；其中，像素驱动电路层包括依次堆叠的第一有源层、第一导电层、第二有源层，第一有源层包括第一复位晶体管和第一发光控制晶体管中的一个的第一有源图案，第一导电层包括第一栅极，第二有源层包括第一复位晶体管和第一发光控制晶体管中的另一个的第二有源图案，其中，在像素驱动电路层的厚度方向上，第一栅极的投影至少与第一有源图案的沟道区的投影和第二有源图案的沟道区的投影重叠，以提高LTPO技术在实现高PPI时指纹识别区的透过率。
显示面板制作方法

[发明专利]驱动背板及显示面板-CN202211566992.5在审
发明人： 阳志林 -专利权人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2022-12-07 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本申请公开了一种驱动背板及显示面板。所述驱动背板包括衬底、设置在衬底上的金属氧化物薄膜晶体以及阻氢部。其中，金属氧化物薄膜晶体管包括氧化物半导体部；阻氢部包括第一阻氢部和第二阻氢部；第一阻氢部设置在氧化物半导体部靠近衬底的一侧，且氧化物半导体部在衬底上的正投影和第一阻氢部在衬底上的正投影至少部分重叠；第二阻氢部设置在氧化物半导体部的外侧，在垂直于衬底的平面上，氧化物半导体部的正投影和第二阻氢部的正投影至少部分重叠。本申请提高了金属氧化物薄膜晶体管的稳定性。
驱动背板显示面板

[发明专利]GOA电路及显示面板-CN202211175357.4在审
发明人： 阳志林 -专利权人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2022-09-26 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： G09G3/20 文献下载
摘要：本申请提供一种GOA电路及显示面板。GOA电路包括多个级联设置的GOA单元，GOA单元包括第一节点控制模块、第二节点控制模块、延迟抑制模块以及输出模块。其中，延迟抑制模块将第二节点的稳定电位输出至第三节点。相较于现有的GOA电路，本申请的GOA电路利用延迟抑制模块将第二节点的稳定电位输出至第三节点，待第二节点的电位稳定后再输出至第三节点，从而使得输出模块输出的信号不会出现下降沿台阶。
goa 电路显示面板

[发明专利]像素电路及显示面板-CN202211058743.5在审
发明人：张筱霞;戴超;阳志林 -专利权人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2022-08-30 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： G09G3/32 文献下载
摘要：本申请公开了一种像素电路及显示面板，属于显示技术领域，该像素电路包括驱动晶体管、写入晶体管、第一发光控制晶体管、第二发光控制晶体管以及第一初始化晶体管，通过在一帧的充电阶段前后分别初始化至少一次驱动晶体管的源极或者漏极的电位，如此可以稳定驱动晶体管的源极或者漏极的电位。
像素电路显示面板

[发明专利]阵列基板及显示面板-CN202210927862.3在审
发明人： 阳志林;戴超;张淑媛 -专利权人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2022-08-03 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本申请公开一种阵列基板及显示面板。所述阵列基板包括基板、有源层、第一金属层以及第二金属层。其中，所述有源层设置在所述基板上；所述第一金属层设置在所述有源层远离所述基板的一侧，所述第一金属层包括扫描线；所述第二金属层设置在所述第一金属层远离所述基板的一侧，所述第二金属层包括源极、漏极以及辅助扫描线，所述源极和所述漏极分别与所述有源层电连接，所述辅助扫描线与所述扫描线电连接。本申请能够降低扫描线的阻抗，从而降低阵列基板的负载，同时简化制程工艺。
阵列显示面板

[实用新型]一种床上办公用可调节桌板-CN202122343246.7有效
发明人： 阳志林 -专利权人： 阳志林
申请日： 2021-09-26 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： A47B13/08 文献下载
摘要：本实用新型提供一种床上办公用可调节桌板，涉及办公家具领域。该床上办公用可调节桌板，包括支撑机构，支撑机构的上方转动连接有调节机构，调节机构的内侧固定安装有限位机构，调节机构的顶端固定安装有桌板，所述支撑机构包括两个底板，两个底板左右对称设置。该床上办公用可调节桌板，通过旋转螺纹套筒能够带动限位套向上移动，进而使得限位套位于固定轴与支撑套筒之间，此时不能够进行摆动，逐一旋转延伸架使得环块卡接在环槽内是，完成固定，通过旋转前端的两根螺纹轴使得桌板的前端下降并倾斜，通过改变旋转圈数的多少，改变倾斜角度的多少，解决了现有技术中不能够改变倾斜角度的问题。
一种床上公用调节

[发明专利]显示面板及显示面板的制备方法-CN202210072145.7在审
发明人：龚吉祥;阳志林 -专利权人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2022-01-21 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种显示面板及制备方法。显示面板包括屏蔽层、薄膜晶体管器件层，以及对应设置的第一过孔、第二过孔，设置在绑定区域内的第三过孔。其中，第一过孔、第三过孔均设置为阶梯孔，且第一过孔、第二过孔和第三过孔通过同一蚀刻工艺蚀刻形成。采用一道光罩处理，节省光罩次数并降低生产成本。
显示面板制备方法

[实用新型]一种便于使用电脑的办公家具-CN202121975879.3有效
发明人： 阳志林 -专利权人： 阳志林
申请日： 2021-08-20 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： A47B21/013 文献下载
摘要：本实用新型提供一种便于使用电脑的办公家具，涉及办公家具技术领域。该便于使用电脑的办公家具，包括桌板和四个桌子腿，四个桌子腿分别固定安装在桌板的底面四个角位置，所述桌板的中间位置开设有方槽，方槽的前端与桌板的前端连通，方槽的内部设置有辅助板，桌板的后端开设有轴槽，轴槽的内部设置有转轴，转轴的左右两端分别与轴槽的左右侧壁转动连接，辅助板的后端与转轴固定连接，转轴的外部固定套接有蜗轮。该便于使用电脑的办公家具，通过设置辅助板和把手，达到了在改变桌面角度使用笔记本的时候增加与笔记本之间的摩擦力，解决了现有技术的办公桌在使用笔记本电脑的时候使用十分不便，易出现滑落的问题。
一种便于使用电脑办公家具

[发明专利]一种阵列基板及其制造方法-CN202010434849.5在审
发明人： 阳志林;马国永;黄霜霜;赵辉;喻玥 -专利权人：南京中电熊猫液晶显示科技有限公司
申请日： 2020-05-21 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明提供一种阵列基板及其制造方法，本发明提供一种阵列基板的制造方法采用6道光罩步骤形成阵列基板，分别为形成第一金属层(第1道光罩)、形成半导体有源层和像素电极层(第2道光罩)、形成保护层(第3道光罩)、形成源极和漏极(第4道光罩)、形成绝缘保护层(第5道光罩)以及共用电极层(第6到光罩)。本发明精简了金属氧化物阵列基板的制造步骤，提供高迁移率金属氧化物半导体TFT器件，同时解决了金属氧化(尤其是源极和漏极的氧化问题)的问题，提升产品品质；本发明在金属氧化物半导体层分别直接与源极和漏极接触，较有沟道保护层的其它设计接触面积大，接触阻抗较低。
一种阵列及其制造方法

[发明专利]一种阵列基板及其制造方法-CN202010434763.2在审
发明人：黄霜霜;阳志林;马国永;喻玥;李连峰;赵辉 -专利权人：南京中电熊猫平板显示科技有限公司;南京中电熊猫液晶显示科技有限公司;南京华东电子信息科技股份有限公司
申请日： 2020-05-21 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明提供一种阵列基板及其制造方法，制造方法包括如下步骤：依次沉积金属氧化物半导体层和第二金属层，首先经曝光和刻蚀，去除位于像素电极所在区域的第二金属层，保留位于沟道区域上方的第二金属层，并形成位于像素区域的源极和漏极未分开的临时金属层和位于外围区域的桥接部；然后对未被第二金属层覆盖的金属氧化物半导体层进行低阻抗化处理形成像素电极。本发明利用1道光罩形成临时金属层和临时半导体层区域，通过离子注入方式形成像素电极，利用临时金属层对半导体层区域进行遮蔽保护了半导体层区域，通过对金属氧化物半导体层和第二层金属层采用连续两次湿法刻蚀形成像素电极、源极、漏极和沟道区域。
一种阵列及其制造方法

[发明专利]阵列基板及其制造方法-CN202010135098.7在审
发明人： 阳志林;赵辉;马国永;喻玥;薛小刚 -专利权人：南京中电熊猫平板显示科技有限公司;南京中电熊猫液晶显示科技有限公司;南京华东电子信息科技股份有限公司
申请日： 2020-03-02 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种阵列基板，包括位于像素区域的金属遮光层；覆盖金属遮光层的绝缘过渡层；位于所述绝缘过渡层上的源漏极和数据线，其中所述源漏极位于像素区域，所述数据线位于端子区；位于源漏极上的金属氧化物沟道半导体层和金属氧化物像素电极半导体层；栅极绝缘层，所述栅极绝缘层覆盖金属氧化物沟道半导体层、金属氧化物像素电极半导体层和源漏极；位于栅极绝缘层上的栅极和栅极线，栅极位于像素区域，栅极线位于端子区；覆盖在栅极上和金属氧化物像素电极半导体层上的绝缘保护层，以及位于端子区的过孔；第一透明电极，所述第一透明电极包括位于像素区域的公共电极以及位于端子区的形成连接数据线和栅极线的公共电极。
阵列及其制造方法

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