“闻心怡”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果35个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]磁传感器阵列集成结构-CN201621283971.2有效
发明人： 闻心怡;尤晓健;董海防;蔡如桦;刘禹希;马剑;陈刚 -专利权人：中国船舶重工集团公司第七一九研究所
申请日： 2016-11-28 - 公布日： 2017-07-14 - 主分类号： G01R33/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种磁传感器阵列集成结构，所述磁传感器阵列由偏置磁铁、体声波谐振器阵列芯片、芯片管脚、陶瓷封装基座、磁流体和玻璃覆片组成。所述体声波谐振器阵列芯片包括硅衬底、布拉格声反射层、底电极、压电薄膜层、顶电极、过孔填充、电极焊盘。本实用新型所涉及的磁传感器阵列首次提出了利用高频剪切波检测磁流体在饱和偏置场下对外磁场的流变响应的磁测量机理，充分利用磁流体响应范围广和厚度剪切波模式体声波谐振器分辨率高、集成高度高的优点，实现了一种高精度、宽量程的新型磁传感器阵列，可以有效满足微弱磁场成像对磁传感器阵列的技术需求。
传感器阵列集成结构

[实用新型]基于微波共振吸收的铁矿分析装置-CN201320589603.0有效
发明人： 闻心怡;王磊;景东风;肖杰雄;赵爱国;肖国林;肖前进 -专利权人：中国船舶重工集团公司第七一九研究所
申请日： 2013-09-24 - 公布日： 2014-03-19 - 主分类号： G01N22/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及基于微波共振吸收的铁矿分析装置，该分析装置包括：微波循环器、入射波导、检测波导短路波导，三段波导通过微波循环器连接成“T”字型。本实用新型通过测量不同低频磁场下所述铁矿粉末样品的微波共振吸收曲线，然后将微波共振吸收曲线与各成分的标准曲线进行比对，从而得出所述铁矿粉末样品中的成分及各成分的比例。
基于微波共振吸收铁矿分析装置

[发明专利]基于微波共振吸收的铁矿分析方法及装置-CN201310438251.3有效
发明人： 闻心怡;王磊;陈虹;钱家昌;赵爱国;肖前进;张辉意;夏兴隆 -专利权人：中国船舶重工集团公司第七一九研究所
申请日： 2013-09-24 - 公布日： 2013-12-25 - 主分类号： G01N22/00 文献下载
摘要：本发明涉及基于微波共振吸收的铁矿分析方法及装置，所述方法包括：将待测的铁矿粉末样品置于磁场空间中，所述磁场空间包括磁场方向相互垂直的低频磁场及高频微波磁场；检测不同低频磁场强度下经铁矿粉末样品吸收后的微波能量；将铁矿粉末样品的微波共振吸收曲线与各种成分的标准曲线进行比对，从而得出铁矿粉末样品中的成分及各成分的比例。所述装置包括：微波循环器、入射波导、检测波导短路波导，三段波导通过微波循环器连接成“T”字型。本发明通过测量不同低频磁场下所述铁矿粉末样品的微波共振吸收曲线，然后将微波共振吸收曲线与各成分的标准曲线进行比对，从而得出所述铁矿粉末样品中的成分及各成分的比例。
基于微波共振吸收铁矿分析方法装置

[发明专利]一种用于铁电存储器的铁电薄膜电容及其制备方法-CN200810236807.X无效
发明人：于军;闻心怡;王耘波;周文利;高俊雄;李建军;赵远 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2008-12-10 - 公布日： 2009-05-20 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明属于铁电存储器技术领域，公开了一种铁电存储器用铁电薄膜电容及其制备方法。铁电薄膜电容依次由硅基底、二氧化硅层、二氧化钛粘结层、金属铂导电层、铅酸钡下电极层、铁电薄膜层和铅酸钡上电极层构成；其中铅酸钡下电极层厚度为100～200nm；铁电薄膜为掺铌的锆钛酸铅材料，其厚度为200～300nm；铅酸钡上电极层厚度为100～200nm；和传统基于铂电极的铁电薄膜电容相比，本发明铁电薄膜电容器工艺温度更低，矫顽场更小，抗疲劳特性更好。
一种用于存储器薄膜电容及其制备方法

[发明专利]铁电存储器用铁电薄膜的紫外光辅助制备方法-CN200810236930.1无效
发明人：于军;李建军;王耘波;周文利;高俊雄;闻心怡;吴云翼;周光惺 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2008-12-19 - 公布日： 2009-05-20 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种铁电存储器用铁电薄膜的紫外光辅助制备方法，属于微电子信息功能材料与器件领域。本发明铁电存储器用PZT前驱体溶液浓度为0.1～0.3mol/l。每次旋转匀胶后，都对薄膜进行烘烤并辅以均匀紫外光辐照，光照度为10～15mW/cm²，接着进行热解处理，最后PZT薄膜在550～600℃下退火处理。本发明铁电存储器用PZT铁电薄膜为多晶薄膜，具有良好的铁电性能、抗疲劳性能及漏电流特性，且结晶温度低的优点，可与现有的Si半导体工艺兼容。
存储器用薄膜紫外光辅助制备方法