专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]振动场下晶体生长装置和生长方法-CN200810040954.X有效
  • 刘岩;艾飞;潘秀红;张英;金飞;高国忠;冯楚德;金蔚青 - 中国科学院上海硅酸盐研究所
  • 2008-07-24 - 2009-04-15 - C30B30/06
  • 本发明涉及振动场下晶体生长装置和生长方法,所述的生长装置包括炉体(1)、传动机构(2)、样品安瓿(3)、振动发生器(4)、支架(5)、传动杆(6)和导向杆(7),其中炉体(1)竖直放置,样品安瓿(3)垂直穿过炉体(1)在炉体(1)中沿垂直方向相对移动,样品安瓿(3)下端固定安装在振动发生器(4)上;传动机构(2)通过传动杆(6)与炉体(1)连接,并带动炉体(1)沿轴向上下移动。炉体(1)套穿安装在导向杆(7)上,沿导向杆(7)的轴向上下移动,传动机构(2)及导向杆(7)均安装在固定支架(5)上。本发明在晶体生长过程中引入了轴向的外加振动场,可以有效控制熔体中的对流,改变固液界面形状,通过探索最佳工艺参数,提高晶体品质和成品率。
  • 振动晶体生长装置生长方法

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