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[实用新型]承载盘-CN200720092222.6有效
发明人：蔡鸣 -专利权人： 郑州华硕精密陶瓷有限公司
申请日： 2007-10-18 - 公布日： 2008-09-10 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种承载盘，它包括圆盘体，沿轴向开设在所述圆盘体外周面上的V形槽，所述圆盘体由碳化硅陶瓷材料制成；在圆盘体的盘面上沿轴向贯穿盘面开设有多个微孔；所述微孔的孔径≤0.02mm，孔隙率≥30％。与现有的承载盘对比，其优点主要体现在以下几点：1.流体阻力小，可自由通过各种气体或液体；2.孔密度高，比表面积大，可起到过滤净化作用；3.耐高温，热膨胀系数小，优良好的蓄热功能；4.具有更好的抗酸碱腐蚀能力。由于所具有的上述优点，从而达到提高大规模集成电路生产效率和生产规模目的。
承载

[发明专利]易损石墨件的保护方法-CN200710054912.7有效
发明人：蔡鸣 -专利权人： 郑州华硕精密陶瓷有限公司
申请日： 2007-08-08 - 公布日： 2008-03-12 - 主分类号： C04B41/45 文献下载
摘要：本发明公开了一种易损石墨件的保护方法，首先，取8－10％的聚乙烯醇和碳化硅微粉分别按照重量份1－1.5∶1和1.6－3.5∶1的比例配制成A、B两种制剂；将未使用过的石墨件做拉毛处理后，将B制剂均匀涂覆在石墨件表面，放置于阴凉处风干后再重复涂覆一层B制剂，再次风干后即可投入使用；经处理后石墨件的其抗氧化性和强度可以提高一倍以上；如果石墨件出现断裂、破损现象，可将A制剂涂抹在断口处后将破损部分重新粘合在一起，待风干后在断口粘接处再次涂抹A制剂，反复2－3次后将该石墨件送入2000℃的高温炉内烧结12－18小时，使补断处的强度达到原强度的90％以上，增加了石墨件的使用寿命。
易损石墨保护方法

[发明专利]高电阻常压烧结碳化硅制品的生产方法-CN200710054911.2有效
发明人：蔡鸣 -专利权人： 郑州华硕精密陶瓷有限公司
申请日： 2007-08-08 - 公布日： 2008-01-16 - 主分类号： C04B35/576 文献下载
摘要：本发明公开了一种高电阻常压烧结碳化硅制品的生产方法，它主要包括下述步骤：第一步：提纯，即将粒度为d50≥3.5μm的碳化硅粉加水后用硝酸、氢氟酸按照重量份1∶1比例配制成混合酸液进行提纯；第二步：打细，将提纯后的碳化硅料浆研磨至亚微粉级；第三步：加入聚乙烯醇、聚乙二醇、碳化硼后配制喷雾造粒用料浆；第四步：将料浆用泥浆泵抽出，通过喷枪打入喷雾造粒塔顶部，落到造粒塔底部后得到80－240目的碳化硅粉料；第五步：将上述碳化硅粉料放入模具中用压力机压制成生坯制品；第六步：烧结，将制得的生坯制品放入真空电阻炉内烧结，得到体积电阻值高达10⁸－10¹⁰/0.01－0.2ohm－cm的常压烧结碳化硅制品，在IT及电工行业中使用可以完全满足其要求。
电阻常压烧结碳化硅制品生产方法

[发明专利]常压烧结碳化硅制品的快速烧结法-CN200610107002.6有效
发明人：蔡鸣 -专利权人： 郑州华硕精密陶瓷有限公司
申请日： 2006-09-07 - 公布日： 2007-02-21 - 主分类号： C01B31/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种常压烧结碳化硅制品的快速烧结法，A.在900℃以前，无论产品形状大小为何，均可按12～15℃/分钟的速度升温；B.900℃以后，可按15～18℃/分钟的速度快速升温至1600℃，并保温0～5分钟；C.而后再按8～10℃/分的速度升温至2300℃，保温25～30分钟，即完成烧结，得到产品密度平均在3.10～3.15g/cm³之间。按照本发明烧结方法，每炉的碳化硅制品烧结时间在4－6小时即可完成，同时保证产品质量，既不过烧、不欠烧，产品密度平均在3.10－3.15g/cm³之间。生坯成型碳化硅制品中的成型助剂在800℃前全部分解挥发，其残余量为氮、碳，大大提高了烧成成品质量，达到了节能高效常压烧结碳化硅制品的目的。
常压烧结碳化硅制品快速

[发明专利]喷雾造粒制备亚微米级碳化硅微粉的方法-CN200610107001.1有效
发明人：蔡鸣 -专利权人： 郑州华硕精密陶瓷有限公司
申请日： 2006-09-07 - 公布日： 2007-02-21 - 主分类号： C01B31/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种喷雾造粒制备亚微米级碳化硅微粉的方法，1.将粒度为10－150μ的碳化硅粉与水混合搅拌制成料浆；2.提纯：取硝酸与氢氟酸按1∶1的比例配成混合酸，与第一步料浆充分混合，用水冲洗；3.打细：将第二步所得料浆打碎至亚微米级d50≤0.6μm；4.再提纯：在第三步所得料浆中加入3－5％重量份的硝酸与氢氟酸按1∶1比例配成的混合酸，混合搅拌以去除其杂质后，用水冲洗粉料；5.在第四步所得浆料中加入占料总量的1～2％的分散剂氢氧化钠；6.喷雾造粒：将第五步配制好的料浆通过喷雾造粒使其成为干燥的亚微米级碳化硅颗粒。本发明优点在于采用喷雾干燥技术对超微Sic浆料进行整形、干燥，彻底解决Sic超微粉制备过程中浆料干燥与分散难题。
喷雾制备微米碳化硅方法

[发明专利]常压烧结碳化硅生坯制品的模压成型方法-CN200610107003.0有效
发明人：蔡鸣 -专利权人： 郑州华硕精密陶瓷有限公司
申请日： 2006-09-07 - 公布日： 2007-02-21 - 主分类号： B28B15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种常压烧结碳化硅生坯制品的模压成型方法，它的加工步骤为：第一步、在配制成的料浆中，即粉浆固含量为65％左右，按照5～15％质量份和3～12％质量份分别加入成型助剂聚乙烯醇和聚乙二醇，并充分搅拌均匀；第二步、用二流体式喷雾造粒塔对料浆进行喷雾造粒；第三步、用第二步所得粉料放入所需生坯制品的模具中，粉料含水率为3－6％；第四步、按照常规压制工艺将生坯模压，保压时间为15－20秒，然后将模具反转放置后再模压，保压15－20秒；第五步、按照第四步模压工艺重复进行3－5次即得到密度为1.82g/cm³－1.88g/cm³的常压烧结碳化硅生坯制品。本发明的优点在于解决了小吨位压力机模压大尺寸常压烧结碳化硅生坯制品吨位不足的问题。
常压烧结碳化硅生坯制品模压成型方法