专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]触控屏幕的结构及其制造方法-CN200910307037.8有效
  • 刘佳玫;郑再来;廖维仑;叶冠华;吴宏基 - 群康科技(深圳)有限公司;群创光电股份有限公司
  • 2009-09-15 - 2011-04-20 - G02F1/1362
  • 本发明涉及一种触控屏幕结构及其形成方法,该触控屏幕结构包括一基板、多条扫描线、多条数据线、多条数据传输线、多个薄膜晶体管以及多个侦测电容。所述扫描线、数据线、数据传输线、薄膜晶体管以及侦测电容皆设置在基板上。数据线与扫描线在基板上划分出多个呈阵列排列的像素区域。每条数据传输线设置于对应数据线旁。各薄膜晶体管电性连接至对应的扫描线与数据线。各侦测电容电性连接至对应的扫描线与数据传输线。当环境光照射在侦测电容结构时,侦测电容结构的非晶硅层会产生电荷变化,侦测电容的电容值改变就可以做为讯号判读的依据。侦测电容的结构可以改善因光强弱或长时间照射组件的衰退现象,并提高灵敏度以及准确性。
  • 屏幕结构及其制造方法
  • [发明专利]薄膜晶体管基板的制造方法-CN200810142026.4有效
  • 叶冠华;郑再来;吴宏基 - 群康科技(深圳)有限公司;群创光电股份有限公司
  • 2008-08-22 - 2010-02-24 - H01L21/84
  • 本发明涉及一种薄膜晶体管基板的制造方法,其包括下列步骤:提供一基板,其上制作多晶硅膜图案,该多晶硅膜图案包括多个第一种类型薄膜晶体管的源极接触区及漏极接触区和多个第二种类型薄膜晶体管的源极接触区及漏极接触区;对第一种类型薄膜晶体管的源极接触区与漏极接触区进行重掺杂;在多晶硅膜表面形成栅极绝缘膜,其上形成栅极金属线;对第二种类型薄膜晶体管源极接触区与漏极接触区进行自我对准式重掺杂;在栅极绝缘膜和栅极金属线的表面形成介电层;制作连接通道连通该多晶硅膜至该介电层的表面;在连接通道形成电极金属线;其中第一种类型薄膜晶体管与第二种类型薄膜晶体管的重掺杂相互补偿。此制造方法掩膜的数量减少,制造成本有优势。
  • 薄膜晶体管制造方法

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