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[发明专利]一种倾角大于70°煤厚小于5m的急倾斜煤层地下气化方法-CN202110275928.0有效
发明人：吴仁伦;邢乃文;杨胜利;岳豪;杜明燊;胡林枫 -专利权人：中国矿业大学（北京）
申请日： 2021-03-15 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： E21B43/295 文献下载
摘要：本发明公开了一种针对于煤层倾角大于70°煤层厚度小于5m的煤层原位地下气化方法；该发明包括了确定气化工作面及点火位置、地下煤层气化的钻孔掘进、地下气化管线的与点火装置的布置、地下气化作业等步骤。本发明通过地下气化的方法，对地下煤层进行钻孔掘进，将待采采区改造成多个煤炭气化炉，减少了传统的机械化采煤中煤层巨大的倾角带来的一系列繁杂的工序、作业的风险以及煤炭资源的浪费，并通过钻探技术最大化减少人员下井的工序，做到自动化采煤；同时通过合理的管线布置，最大程度的改善了过往地下气化对煤层倾角的局限性，为未来的倾角大于70°的急倾斜煤层的开采方法提供了新的选择。
一种倾角大于 70 小于倾斜煤层地下气化方法

[实用新型]一种三维拼图儿童玩具-CN201920091808.3有效
发明人：王枫红;钟杰;邢乃文;刘广晗 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2019-01-21 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： A63F9/12 文献下载
摘要：本实用新型公开一种三维拼图儿童玩具，包括底座、顶盖、内胆、电子元件和多个拼图块，所述底座、顶盖和多个拼图块均具有导电触点，底座内设有电源模块，电源模块与底座上的导电触点电性连接，内胆设置于底座上，拼图块具有磁性，拼图块通过磁力吸附于内胆表面，底座上的导电触点与相邻的拼图块的导电触点相互接触，相邻的两个拼图块的导电触点相互接触，顶盖上的导电触点与相邻的拼图块的导电触点相互接触，电子元件位于底座上，电子元件与电源模块电性连接，底座、顶盖和多个拼图块上的导电触点均导通后，与电源模块一起构成导电回路，电源模块驱使电子元件工作。通过各拼图块内置电路，当拼图拼接完整后提供反馈，提高拼图玩具的可玩性。
拼图块导电触点底座电源模块顶盖电性连接内胆本实用新型磁力吸附导电回路儿童玩具内胆表面内置电路拼图玩具可玩性导通拼接三维反馈

[发明专利]一种碳化硅晶须的制备方法及相关应用-CN201210135249.4无效
发明人：张培根;郭晟旻;邢乃文;梁建栋;王开阳 -专利权人：江苏瑞力新材料科技有限公司
申请日： 2012-05-04 - 公布日： 2013-11-06 - 主分类号： C01B31/36 文献下载
摘要：该发明公开了一种纳米SiC晶须的制备方法，具有高达100％的晶须产率。工艺原料为商业碳源和稻壳白灰的均匀混合物。在惰性气氛中将该混合物加热到高温(1500℃)，并且在该温度下保温一段时间。反应后，产物主要是β-SiC纳米晶须(光滑表面或者表面有小颗粒而呈串珠结构)。将反应产物在空气中加热到700℃，保温(120分钟)除去残余的碳元素，以得到高纯度的SiC晶须产品。所得SiC晶须直径为200nm到400nm，长度为数十微米。SiC的一系列优异的性质使其具有广泛的应用，例如用于复合材料中的增强相，以及在热流体中用于增加热传递系数。本发明中，串珠结构的SiC晶须用于复合材料的增强，比起传统的光滑纤维效果更加明显；SiC晶须对于热流体的热传递系数有大幅度提高。
一种碳化硅制备方法相关应用