“谌祝廷”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果4个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种微波介质材料TmVO4-CN202210384760.1有效
发明人：李波;谌祝廷;穆宁波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-04-13 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： C04B35/50 文献下载
摘要：本发明属于电子陶瓷及其制造领域，提供一种微波介质材料及其制备方法；所述微波介质材料为TmVO4，晶相为TmVO4，属于四方晶体结构。本发明提供一种微波介质材料在1100～1250℃烧结温度下具有低的介电损耗，Q×f值为40000～60000GHz，介电常数为11～12，谐振频率温度系数为‑35～‑50ppm/℃。该微波介质材料制备工艺简单、生产成本低，有利于实现工业化生产。
一种微波介质材料 tmvo base sub

[发明专利]一种微波介质材料HoVO4-CN202211060457.2有效
发明人：李波;陈丽;谌祝廷 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-08-31 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明属于电子陶瓷及其制造领域，具体提供一种微波介质材料HoVO4及其制备方法。本发明提供的微波介质材料的化学式为HoVO4，由单一HoVO4晶相组成，属于四方锆石晶体结构，微观结构致密、晶粒生长均匀、原子堆积率高，从而获得了优良的微波介电性能：介电常数为11.1～11.6、Q×f值为22000～28000GHz、谐振频率温度系数为‑39～‑18ppm/℃；该微波介质材料的成本低廉、工艺简单，有利于工业化生产，可应用于介质谐振器、滤波器等微波器件的制造。
一种微波介质材料 hovo base sub

[发明专利]一种微波陶瓷材料PrVO4-CN202211137134.9在审
发明人：李波;谌祝廷;郑宇欣 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-09-19 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： C04B35/50 文献下载
摘要：本发明属于电子陶瓷及其制造领域，提供一种微波陶瓷材料PrVO4及其制备方法。所述微波陶瓷材料的化学式为PrVO4，晶相为PrVO4，具有四方晶体结构。所述微波陶瓷材料在1200～1300℃烧结拥有良好的微波性能：介电常数为11～12，Q×f值为8000～45000GHz，谐振频率温度系数为‑30～‑40ppm/℃。该微波陶瓷材料制备工艺简单、生产成本低，有利于实现工业化生产。
一种微波陶瓷材料 prvo base sub

[发明专利]一种高强度高模量镁铝硅基板材料及其制备方法-CN202110333542.0有效
发明人：李波;张平;谌祝廷 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-03-29 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： C04B35/14 文献下载
摘要：本发明属于电子陶瓷材料领域，具体提供一种高强度高模量镁铝硅基板材料及其制备方法，适用于超大规模集成电路封装基板；该基板材料组成成分为：MgO为11～16wt％、Al2O3为18～28wt％、SiO2为47～53wt％、ZrO2为2～10wt％、B2O3为2～6wt％、BaO为1～5wt％。本发明通过BaO掺杂，有效抑制了Indialite相Mg2Al4Si5O18的形成，促进了石英固溶体相(MgAl2Si3O10)0.6的生成，最终形成了(MgAl2Si3O10)0.6和Indialite的相嵌结构，进而使得材料内应力增加，获得良好的机械性能：抗弯强度达到310MPa、杨氏模量达到110GPa，且热膨胀系数较低：4.3～4.7×10‑6/℃，能够显著提高集成电路封装的可靠性；同时，本发明提供的镁铝硅基板材料还具有介电常数低、介质损耗低、制备工艺简单、制备成本低等优点，有利于工业化生产，对于超大规模集成电路封装基板具有潜在的应用价值。
一种强度高模量镁铝硅基板材料及制备方法