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[发明专利]一种LED芯片及其制作方法-CN202311167970.6在审
发明人：李晓静;黄璐;乔元鹏;许宗琦;马英杰 -专利权人：扬州乾照光电有限公司
申请日： 2023-09-11 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本申请提供了一种LED芯片及其制作方法，该制作方法包括：形成LED芯片的堆叠结构，堆叠结构包括依次层叠的第一半导体层、有源层和第二半导体层，第一半导体层和第二半导体层的掺杂类型相反；在第一半导体层背离第二半导体层的一侧形成凹槽，凹槽延伸至第二半导体层；形成电极结构，电极结构包括：第一电极，位于第一半导体层背离第二半导体层的一侧，且与第一半导体层电连接；第二电极，位于凹槽内，与第二半导体层电连接；其中，凹槽设置有隔离结构，隔离结构用于增大第二电极到第一电极的电流路径。该隔离结构能对电起到一定的阻挡作用，从而避免电流集中在靠近第二电极的一侧，提高电流分布的均匀性，降低LED芯片的损耗，提高了LED芯片的发光效率。
一种 led 芯片及其制作方法

[发明专利]一种近红外LED外延结构制作方法及外延结构-CN202111660695.2有效
发明人：张祥;蔡和勋;马英杰;伏兵;许宗琦 -专利权人：扬州乾照光电有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种近红外LED外延结构制作方法及外延结构，该制作方法包括：在衬底表面依次形成N型层、发光层、P型层、过渡层以及欧姆接触层，欧姆接触层为GaP层，P型层包括P型限制层和P型窗口层，P型窗口层为AlxGa1‑xAs层；过渡层包括第一过渡层和第二过渡层，第一过渡层为Al组分含量沿背离衬底表面方向从x均匀减小为0的AlyGa1‑yAs层；第二过渡层为P组分含量沿背离衬底表面方向从0均匀增加为1的GaAs1‑zPz层，从而使得过渡层能够稳定实现P型窗口层到欧姆接触层的晶格与带隙的过渡，有助于提高近红外LED的工作性能，并使得过渡层与P型窗口层以及欧姆接触层实现良好的欧姆接触。
一种红外 led 外延结构制作方法

[发明专利]半导体器件及其制作方法-CN202111468676.X在审
发明人：伏兵;嵇庆培;马英杰;蔡和勋;许宗琦 -专利权人：扬州乾照光电有限公司
申请日： 2021-12-03 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体器件及其制作方法，所述半导体器件包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有相对的第一表面和第二表面；设置于所述第一表面的外延结构，所述外延结构具有多层交替设置的第一吸杂层和第二吸杂层；设置于所述外延结构背离所述第一表面一侧表面的第一功能层；设置于所述第一功能层背离所述外延结构表面的有源层；设置于所述有源层背离所述第一功能层表面的第二功能层。由此可知，本方案采用多层交替设置的第一吸杂层和第二吸杂层代替传统的GaAs缓冲层，不仅可以削弱衬底缺陷和杂质对外延结构的影响，还可以降低反应室环境的本底杂质浓度以及氧元素残留，为生长高质量外延材料提供条件，同时降低成本和生长时间。
半导体器件及其制作方法