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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202310541566.4在审
发明人：赵翊翔;周志昇;杨舒庭;翁廷玮;徐鹏皓;黄俊贤;陈泓旭;许宏彰;张志维;蔡明兴 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-05-15 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本案涉及一种半导体装置及其制造方法。本案描述的预清洗技术可用以从半导体装置去除原生氧化物及/或其它污染物，这样的去除方式能降低截断、剪断及/或侧壁间隔物厚度减小的可能性。如本案所述，保护层形成在位于晶体管的栅极结构上方的盖层上。然后执行预清洗操作以从晶体管的源极/漏极区的顶表面去除原生氧化物。在预清洗操作中，被消耗的是保护层而不是盖层的材料。如此一来，保护层的使用降低了从盖层去除材料的可能性及/或减少了在预清洗操作期间材料从盖层去除的量。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]用于在开口中形成金属层的方法及其形成装置-CN201711044384.7有效
发明人：王喻生;林钰庭;许宏彰;刘晓萍;吕鸿彬;林远文 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-10-31 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：方法包括形成具有与晶体管的金属栅极处于相同水平的部分的层间电介质(ILD)。ILD和金属栅极是晶圆的一部分。蚀刻ILD以形成接触开口。将晶圆放入PVD工具内，其中，金属靶位于PVD工具中。金属靶与位于金属靶上方的磁体具有第一间隔，并且与晶圆具有第二间隔。第一间隔与第二间隔的比率大于约0.02。在晶圆上沉积金属层，其中，金属层具有位于接触开口中的底部，以及位于接触开口中的侧壁部分。实施退火以使金属层的底部与源极/漏极区域反应以形成硅化物区域。
用于开口形成金属方法及其装置

[发明专利]半导体器件结构及其形成方法-CN201710010166.5有效
发明人：刘晓萍;许宏彰;苏鸿文;蔡明兴;林睿哲;林圣轩;李亚莲;高研硕 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-01-06 - 公布日： 2019-10-08 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种用于形成半导体器件结构的方法。方法包括在衬底上方形成栅极堆叠件、间隔件层和介电层。方法包括去除介电层的第一部分以在介电层中形成第一孔。介电层的第二部分位于第一孔下方。方法包括在栅极堆叠件和间隔件层上方形成第一保护层。方法包括在第一保护层上方形成第二保护层。第二保护层包括金属化合物材料，以及第一保护层和第二保护层包括相同的金属元素。方法包括去除介电层的第二部分以形成通孔。方法包括在通孔中形成导电接触结构。本发明实施例涉及半导体器件结构及其形成方法。
半导体器件结构及其形成方法

[发明专利]形成低电阻接触件的方法-CN201410193203.7有效
发明人：聂君文;许宏彰;林威戎;蔡彦明;李振铭;王美匀 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-05-08 - 公布日： 2019-05-24 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了用于形成电接触件的方法。在半导体衬底上方形成第一FET和第二FET。在介电层中蚀刻开口，其中，介电层形成在衬底上方，并且该开口延伸至FET的源极和漏极区。在FET的源极和漏极区上方形成硬掩模。去除硬掩模的第一部分，其中，第一部分形成在第一FET的源极和漏极区上方。在第一FET的源极和漏极区上方形成第一硅化物层。去除硬掩模的第二部分，其中，第二部分形成在第二FET的源极和漏极区上方。在第二FET的源极和漏极区上方形成第二硅化物层。在开口内沉积金属层以填充开口。
形成电阻接触方法

[外观设计]车灯-CN201830466847.8有效
发明人： 许宏彰 -专利权人：西拉雅有限公司
申请日： 2018-08-22 - 公布日： 2019-01-18 - 主分类号： 26-06 文献下载
摘要：1．本外观设计产品的名称：车灯。2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品是一种安装在车辆上的车灯。3．本外观设计产品的设计要点：在于车灯的形状。4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：套件1立体图。5．图面说明：套件1立体图与套件2立体图的箭头A标示部位为透明；使用状态参考图示意本外观设计产品组装在车辆上的状态。6．套件1、套件2为车灯。
外观设计车灯套件产品组装图面标示透明图片

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201611085479.9在审
发明人：刘晓萍;林睿哲;李亚莲;许宏彰;林圣轩;高研硕;苏鸿文;蔡明兴;章勋明 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-11-30 - 公布日： 2017-07-21 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本公开的实施例提供一种制造半导体装置的方法。该方法包括形成第一栅极堆叠于基底上方。第一栅极堆叠包括栅极电极、设置于栅极电极上方的第一硬掩模(HM)及沿着第一栅极堆叠的侧壁的侧壁间隔物。该方法亦包括形成第一介电层于第一栅极堆叠上方；形成第二硬掩模于第一硬掩模及侧壁间隔物的顶表面上方；形成第二介电层于第二硬掩模及第一介电层上方；及移除第二介电层及第一介电层以形成沟槽并暴露基底的一部分，而第二硬掩模设置于第一栅极堆叠上方。
半导体装置制造方法

[实用新型]发光二极管封装部结构-CN200420092564.4无效
发明人： 许宏彰 -专利权人：西拉雅有限公司
申请日： 2004-09-20 - 公布日： 2005-09-21 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本实用新型是有关于一种发光二极管封装部结构，是于发光二极管中的封装部的外周壁设有镀膜层，且利用镀膜层的镀膜材质的不同配置而呈现不同的反光颜色，使该发光二极管的封装部不同于以往透明单色的设计，以据此提升该发光二极管在其所属产业上的竞争力。
发光二极管封装结构

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