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[发明专利]一种同轴线/双脊波导复合魔T-CN201710486151.6在审
发明人： 詹明周;何望栋;李宁晓;刘珂玮;杨涛 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2017-06-23 - 公布日： 2017-11-03 - 主分类号： H01P5/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种适用于微波/毫米波频率超宽带大功率同轴‑双脊波导复合魔T结构。该同轴‑双脊波导复合魔T包括三个双脊波导端口两合成臂和E臂、一个同轴端口H臂，以及魔T内匹配结构矩形金属谐振片。当魔T中两合成臂端口输入等幅反相的信号时，这两路信号经过魔T中的匹配结构，最后在E臂端口合为一路信号输出，H臂为隔离端口。该发明在H臂使用同轴端口，好处是可以减小魔T体积、增加E—H臂隔离度；两合成臂端口设计成渐变脊波导形式，用来增加魔T带宽、减小信号反射；魔T内的矩形金属膜片可以使功分、匹配一体化，也能降低加工装配难度。该结构尤其适用于微波/毫米波超宽带大功率合成领域。
一种同轴线波导复合

[发明专利]多倍频程3dB正交电桥-CN201710490805.2在审
发明人： 詹明周;何望栋;刘珂玮;李宁晓;杨涛 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2017-06-23 - 公布日： 2017-08-29 - 主分类号： H01P5/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种适用于微波多倍频程3dB正交电桥。该正交电桥，包括强耦合结构一个和弱耦合结构两个，这三部分耦合结构按照“弱耦合—强耦合—弱耦合”顺序级联。所设计的电桥在可在多个倍频程的频率范围内，将输入信号分为两路幅度相等、相位相差90度的信号。该发明在电桥中弱耦合部分以倾斜渐变耦合线进行耦合，这样可以改善电桥中由奇、偶模传输速度不相等所造成的定向性变差等问题；在电桥中强耦合部分则以圆弧耦合线形式进行交叉耦合，并且整个强耦合部分设计成一个圆环形状，大大减小整体电路体积、降低加工成本。该结构尤其适用于微波多倍频程功率合成/分配领域。
倍频 db 正交电桥