专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]包含具有含硼官能团的氢化共轭二烯改性聚合物的氢化聚合物组合物及其制造方法-CN202280014447.7在审
  • 福原忠仁;稻富敦;唐木田拓朗;太田里美;俊成谦太;藤田明士 - 株式会社可乐丽
  • 2022-02-08 - 2023-10-13 - C08C19/26
  • 提供以高收率得到对于极性材料的改性、无机材料的分散等各种材料的改性而言适合的具有含硼官能团的氢化共轭二烯改性聚合物的制造方法;以及包含具有含硼官能团的氢化共轭二烯改性聚合物的氢化聚合物组合物,所述氢化聚合物组合物兼顾对于各种极性官能团而言的高反应性以及在热塑性聚合物中的分散性、典型而言在乙烯醇系聚合物中的分散性。包含具有含硼官能团的氢化共轭二烯改性聚合物的氢化聚合物组合物的制造方法,其包括:工序(1),通过在能够进行阴离子聚合的活性金属或活性金属化合物的存在下,将包含共轭二烯的单体进行阴离子聚合,从而制造活性末端聚合物(Z);工序(2),使工序(1)中得到的活性末端聚合物(Z)与硼酸化合物发生反应,得到具有含硼官能团的未氢化共轭二烯改性聚合物,所述硼酸化合物具有至少两个以上的下述式(I)所示的部分结构,且与该部分结构(I)中包含的氧原子键合的至少1个R的Taft立体参数Es值为‑0.30以下;以及工序(3),对工序(2)中得到的未氢化共轭二烯改性聚合物所含有的共轭二烯单元中包含的至少一部分碳‑碳双键进行氢化。B‑O‑R(I)(式(I)中,B表示硼原子,O表示氧原子,R表示有机基团)。
  • 包含具有官能团氢化共轭改性聚合物组合及其制造方法
  • [发明专利]π电子共轭的嵌段共聚物及光电转换元件-CN201280018561.3无效
  • 稻垣拓也;涉谷宽政;杉冈尚;伊泽隆文;森原靖;中原淳裕;藤田明士;大木弘之 - 可乐丽股份有限公司
  • 2012-03-09 - 2013-12-18 - C08G61/12
  • 本发明提供了能够控制形态且可实现优异转换效率的共轭嵌段共聚物。π电子共轭嵌段共聚物,所述π电子共轭嵌段共聚物连续或非连续键合聚合物嵌段(A)和聚合物嵌段(B),所述聚合物嵌段(A)涉及在化学结构的一部份上具有至少一种杂芳基骨架的单体单元,所述杂芳基骨架选自噻吩、芴、咔唑、二苯并硅杂环戊二烯和二苯并锗杂环戊二烯;所述聚合物嵌段(B)涉及类似地具有至少一种杂芳基骨架的单体单元的聚合物嵌段(B);其中聚合物嵌段(A)包含具有取代基RnA的单体单元的均聚物嵌段,所述取代基RnA是具有1-18个碳原子的烷氧基或烷基,且聚合物嵌段(B)包含至少两种彼此不同类型的单体单元的共聚物嵌段,所述单体单元具有取代基RnB,所述取代基RnB选自具有1-18个碳原子的烷氧基或烷基,其可以被烷氧基、卤素原子、羟基、氨基、硫醇基、硅烷基、酯基、芳基、杂芳基所取代。
  • 电子共轭共聚物光电转换元件
  • [发明专利]光电转换元件及其制造方法-CN201080036189.X无效
  • 田崎刚;福田始弘;大木弘之;藤田明士 - 可乐丽股份有限公司
  • 2010-08-02 - 2012-05-23 - H01L51/42
  • 本发明的光电转换元件在一对电极之间具备:截面呈梳齿状的电子供给层,由周期性形成有在相对于电极主面交叉的方向延伸的多个截面呈条状部的截面呈条纹状部、和基部构成;截面呈梳齿状的电子接受层,由周期性形成有在相对于电极主面交叉的方向延伸的多个截面呈条状部的截面呈条纹状部、和基部所构成,具有电子供给层的多个截面呈条状部与电子接受层的多个截面呈条状部交替接合的活性层。电子供给层的截面呈条纹状部的条纹宽度a及电子接受层的截面呈条纹状部的条纹宽度b都为5~100nm。a=b时,活性层的层厚c为a(=b)的2倍~40倍。a≠b时,活性层的层厚c为a和b中较小一方的2倍以上、较大一方的40倍以下。
  • 光电转换元件及其制造方法

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