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- [发明专利]多功能显示器-CN201410066370.5有效
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薛英家
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薛英家
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2014-02-26
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2019-07-05
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G09F9/30
- 一种多功能显示器包含一个第一基板、一个第二基板,及一个于吸收红外光线后可产生光电流,并可将该光电流进行转换后对外传输电讯号的光感测单元,特别的是,该光感测单元设置于该第一基板并位于黑色矩阵下方,利用将该光感测单元设置在对应于该黑色矩阵下方的位置,因此,该多功能显示器可在不影响原显示器的开口率的状态下,同时具有显示及光感测的功能。
- 多功能显示器
- [发明专利]电湿润元件及其制作方法-CN201310616947.0有效
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薛英家
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李德财
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2013-11-28
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2014-06-11
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G02B26/02
- 一种电湿润元件,包括一基座、一与该基座连接并共同界定出一个密闭空间的封装壳,及一容设于该密闭空间的液体,该基座及该封装壳可彼此配合提供电能,该液体含有一磁性油墨与一极性溶液,且该液体在受到该基座及该封装壳提供的电能时会产生型态变化;另外,本发明还同时提供该电湿润元件的制作方法。借此,于封装过程中,借由一磁力单元与磁性油墨的作用而令磁性油墨朝向磁场方向均匀平铺固定,可减少该磁性油墨及极性溶液于封装时的干扰而增加封装的便利性及有效提升良率。
- 湿润元件及其制作方法
- [发明专利]薄膜晶体管的制作方法-CN201310370062.7有效
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薛英家
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薛英家
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2013-08-22
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2014-03-26
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H01L21/336
- 一种薄膜晶体管的制作方法,首先于形成半导体材料、介电材料及导体材料等层体的基板上用第一灰阶光罩形成由光阻构成且各种不同厚度的第一图案层,逐步移除该第一图案层,并自厚度最薄处供所述层体表面裸露,再搭配蚀刻所述层体及对半导体材料掺杂载子,而形成第一型掺杂区,再移除剩余的第一图案层结构,得到一具有由对应该第一中心部的导电层、介电层和半导体层,及该第一型掺杂区的晶体管,本发明利用一个灰阶光罩,即可制作出一个晶体管的基本架构,较现有使用多个光罩的制程而言,节省更多的材料成本与制程时间。
- 薄膜晶体管制作方法
- [发明专利]双垂直通道薄膜电晶体及其制造方法-CN01136822.5有效
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薛英家
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瀚宇彩晶股份有限公司
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2001-10-24
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2003-04-30
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H01L29/786
- 一种双垂直通道薄膜电晶体及其制造方法,包括闸极层形成于基板的表面,第一绝缘层形成于基板及闸极层的表面,半导体层形成于第一绝缘层的表面,使位于两边缘侧的第一绝缘层露出,分别于两侧形成有源/汲极,于垂直于源/汲极的第一绝缘层的两侧表面分别形成通道,通道之间形成掺杂区;第二绝缘层形成于通道及掺杂区的表面,并令半导体层两侧的源/汲极露出;金属层分别形成于源/汲极及露出的第一绝缘层的表面。双垂直通道薄膜电晶体具有双闸极与截距结构,具有大幅降低漏电流,且不需要另外使用额外的光罩来定义通道,降低制造成本、简化制程步骤;缩减通道长度至深亚微米程度,大幅地的提升组件的效能。
- 垂直通道薄膜电晶体及其制造方法
- [发明专利]双垂直通道薄膜电晶体CMOS的制造方法及其产品-CN01136823.3有效
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薛英家
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瀚宇彩晶股份有限公司
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2001-10-24
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2003-04-30
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H01L21/8238
- 一种双垂直通道薄膜电晶体CMOS的制造方法及其产品,包括形成闸极层于基板的表面。形成第一绝缘层于闸极层及基板的表面。形成半导体层于第一绝缘层的表面,半导体层具有第一区域、第二区域及位于第一区域及第二区域之间的中间区域。形成第一罩幕于第一区域的表面,并施行N+掺杂步骤,于第二区域定义出第一掺杂区与第二通道。形成第二罩幕于第二区域的表面并施行P+掺杂步骤,于第一区域定义出第二掺杂区与第一通道。于中间区域定义出本征区。形成第一绝缘层于第一掺杂区、第二掺杂区、第一通道、第二通道及本征区的表面。形成金属层于露出的第一掺杂区及第二掺杂区的表面。具有简化CMOS的制造步骤及组件面积,有效降低成产成本,大幅降低漏电流及大幅地的提升组件的效能。
- 垂直通道薄膜电晶体cmos制造方法及其产品
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