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[发明专利]一种陶瓷复合材料及其制备方法和应用-CN202110317658.5有效
发明人： 蔡子田;李蕾蕾;吴功松 -专利权人：深圳市中科纳米科技有限公司
申请日： 2021-03-25 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： B01J20/28 文献下载
摘要：本发明属于污水处理材料领域，公开了一种陶瓷复合材料及其制备方法和应用。该陶瓷复合材料，包括多孔结构的陶瓷，以及嵌入所述多孔结构的陶瓷中的碳纳米管。多孔结构的陶瓷与碳纳米管的质量比为(40‑60)：1。该陶瓷复合材料的结构稳定，使得碳纳米管对有毒有害物质，例如微囊藻毒素类物质具有良好的吸附能力。与传统的粘土矿物等吸附材料相比，该陶瓷复合材料对微囊藻毒素类物质的吸附量是粘土矿物的4倍以上。
一种陶瓷复合材料及其制备方法应用

[发明专利]一种碳纳米管生产设备及其制备碳纳米管的方法-CN202210052812.5在审
发明人：黄少真;覃浩;孔令涌;蔡子田;李承献 -专利权人：深圳市飞墨科技有限公司;曲靖市飞墨科技有限公司
申请日： 2022-01-14 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： C01B32/16 文献下载
摘要：本发明涉及碳纳米管生产技术领域，尤其是指一种碳纳米管生产设备及其制备碳纳米管的方法，其生产设备包括：立式加热炉，所述立式加热炉包括加热区和非加热区；炉管，所述炉管设于立式加热炉内，所述炉管顶部设置开口；反应罐，所述反应罐活动设于炉管内，所述反应罐开设有进料口，所述反应罐设置有与进料口相适配的密封盖，所述反应罐还设置有第二进气口和第二出气口，所述第二进气口和第二出气口均设置有阀门；驱动组件，所述驱动组件连接反应罐用于驱动反应罐升降，所述驱动组件设于立式加热炉外。本发明的碳纳米管生产设备方便收集碳纳米管产品。
一种纳米生产设备及其制备方法

[发明专利]一种铁系碳纳米管催化剂、其制备方法及应用-CN202210124497.2在审
发明人：李承献;黄少真;蔡子田;简环役 -专利权人：深圳市飞墨科技有限公司
申请日： 2022-02-10 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： B01J23/755 文献下载
摘要：本发明属于碳纳米管技术领域，具体涉及一种铁系碳纳米管催化剂、其制备方法及应用，其中，本发明的催化剂包括如下重量份数的原料：50‑80份硝酸铁、5‑20份硝酸镍、75‑90份硝酸铝、35‑50份碳酸铵和35‑50份氨水。本发明的催化剂可以制得高转化率和高产率的碳纳米管，有利于降低碳纳米管的生产成本。
一种铁系碳纳米催化剂制备方法应用

[发明专利]石墨烯改性炭纤维增强碳化硅复合材料的制备方法-CN201711079124.3有效
发明人：田松;蔡子田;梁中天;周露;贾研 -专利权人：重庆交通大学
申请日： 2017-11-06 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： C04B35/80 文献下载
摘要：本发明提供一种石墨烯改性炭纤维增强碳化硅复合材料的制备方法，通过水热化学还原法成功地将氧化石墨烯引入C/SiC复合材料的炭纤维预制体中，构建了多元多尺度网状结构，制得石墨烯‑炭纤维预制体，再利用化学气相渗透(CVI)工艺沉积SiC基体制备出了石墨烯改性C/SiC复合材料。本发明提供的方法使石墨烯与炭纤维预制体进行自组装，石墨烯与炭纤维发生键合作用，构建了由二维石墨烯与炭纤维组成的具有网络结构的多元多尺度预制体，以充分发挥石墨烯对C/SiC复合材料的力学、耐高温、耐磨、电磁屏蔽等性能的改性作用，利用化学还原自组装工艺与CVI工艺简单且可控的优点，可有效控制石墨烯材料和SiC基体的形貌和结构。
石墨改性纤维增强碳化硅复合材料制备方法

[发明专利]有机废弃物的综合处理方法及其处理系统-CN202010462911.1在审
发明人：李蕾蕾;蔡子田;吴功松 -专利权人：深圳市中科纳米科技有限公司
申请日： 2020-05-27 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： C01B3/26 文献下载
摘要：本发明属于废弃物处理技术领域，尤其涉及一种有机废弃物的综合处理方法，包括以下步骤：对有机废弃物进行裂解处理，得到裂解产物；在金属催化剂的作用下，对所述裂解产物进行热催化处理，得到纳米碳材料和氢气。本申请有机废弃物的综合处理方法，以有机废弃物为原料，通过裂解处理和热催化处理，将有机废弃物中碳元素转化为纳米碳材料，将氢元素以氢气的方式纯化富集，得到高纯度的氢气能源，对有机废弃物的处理方法可实现零碳排放、零污染、高回收利用率，降低环境污染，提高社会效益。
有机废弃物综合处理方法及其系统

[发明专利]二维碳化铪纳米片的制备方法-CN201710995647.6在审
发明人：田松;梁中天;蔡子田;周露 -专利权人：重庆交通大学
申请日： 2017-10-23 - 公布日： 2018-01-12 - 主分类号： C01B32/914 文献下载
摘要：本发明提供一种二维碳化铪纳米片的制备方法，采用低压CVD法在H2+CH4+HfCl4+Ar气体系统中实现了形貌规则的矩形二维HfC纳米片的大规模制备，利用了双温区CVD管式炉具有两个独立加热区的特性，先对高温区的含Ni(NO3)2的炭质基底进行升温，并在升温同时以一定流量通入H2提供还原性气氛，使高温区的炭质基底上的Ni(NO3)2先发生还原反应，然后对低温区进行升温，通过控制低温区的升温速率以及恒温温度实现控制HfCl4升华速率，从而实现控制升华后的HfCl4气体通入高温区的流量，同时控制通入双温区CVD管式炉反应气体H2、CH4和Ar的流量，控制炉内压力和反应时间，最终制备出形貌规则的矩形二维HfC纳米片。
二维碳化纳米制备方法