专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种宽通道单向波导-CN202310850560.5在审
  • 蒲殷;梁力;李飞飞;张潇;范龙臻 - 南京大学
  • 2023-07-12 - 2023-09-29 - G02F1/01
  • 本发明公开了一种宽通道单向波导,包括介质柱阵列、平行板波导和金属畴壁,所述介质柱阵列为由圆形介质柱按三角点阵排列组成的半无限准二维结构,介质柱阵列的上下两面为金属畴壁,第一行和最后一行介质柱由沿中轴线对半切分的半圆介质柱构成,并在切割平面放置金属畴壁;介质柱阵列和金属畴壁均放置于平行板波导之间;介质柱阵列的两行介质柱之间设有可产生左旋/右旋极化的电磁激励源。该宽通道单向波导设计通过金属畴壁诱导手性体传输模式来实现电磁波宽通道单向传输。本发明提出的宽通道单向波导具有原理简单、结构紧凑、传输通道宽、电磁损耗小、可通过尺度不变性改变几何尺寸移植到光波段等优点。
  • 一种通道单向波导
  • [发明专利]一种非对称传输的磁可调亚波长慢光波导-CN202310703446.X在审
  • 蒲殷;刘杰伦;黄河;沈承霆;张苏琦;范龙臻 - 南京大学
  • 2023-06-14 - 2023-09-08 - G02F1/365
  • 本发明公开了一种非对称传输的磁可调亚波长慢光波导,包括光子晶体介质柱阵列、金属板波导、吸波材料和金属电导体;光子晶体介质柱阵列为一块二维三角点阵结构,光子晶体介质柱阵列的一面为金属电导体,另外三面是吸波材料。不同于以往利用光子晶体拓扑边界态的单向传输性,通过两块光子晶体对称耦合完成慢光系统设计,本发明提出只用一块光子晶体即可实现慢光设计的新模型;本发明只采用两排光子晶体即可达到亚波长级别的慢光波导;并且本发明中相反方向传播的电磁波场分布是非对称的,这种前向传输和后向传输不一致的特性可以用于通信、传感器探测等领域。本发明具有低密度、扩展磁带隙宽度等优点,解决了常见慢光系统带隙宽度受约束的缺点。
  • 一种对称传输可调波长波导
  • [发明专利]一种工作频率磁可调的光子晶体慢光波导-CN202310582720.2在审
  • 蒲殷;范龙臻;张潇;沈承霆;刘杰伦 - 南京大学
  • 2023-05-23 - 2023-08-01 - H01P3/00
  • 本发明公开了一种工作频率磁可调的光子晶体慢光波导,该慢光波导包括两块相同尺度的光子晶体介质柱阵列、一个平行板波导、吸波材料以及发射端单极子天线;光子晶体介质柱阵列为二维正方点阵结构,周围四面是吸波材料;光子晶体介质柱阵列和吸波材料均位于平行板波导之间;发射端单极子天线位于两块光子晶体介质柱阵列之间的中心区域,在被施加大小和方向相同的外部磁场时,发射端单极子天线产生的电磁波能够形成沿着阵列的中心区域单向传输的边界态,通过调节外部磁场的大小和两块光子晶体介质柱阵列之间的距离,能够实现对波导中电磁波的工作频率和传输群速度的调节。本发明具有传输速度可控、工作频率可调控、光损耗小、制备工艺简单等优点。
  • 一种工作频率可调光子晶体波导
  • [发明专利]一种抗缺陷的光子编码异或运算器-CN202210342739.5在审
  • 蒲殷;范龙臻;李飞飞;张潇 - 南京大学
  • 2022-04-02 - 2022-05-31 - G02F3/00
  • 本发明公开了一种抗缺陷的光子编码异或运算器,包括光子晶体介质柱阵列、平行板波导、吸波材料、保持打开状态的第一单极子天线、状态能够自由改变的第二和第三单极子天线;光子晶体介质柱阵列为二维正方点阵结构,光子晶体介质柱阵列的一面为理想电导体PEC,另外三面是吸波材料;光子晶体介质柱阵列和吸波材料均位于两个平行板波导之间;第一单极子天线在外加磁场作用下产生的电磁波能形成沿着PEC单向传输的边界态,第二和第三单极子天线与第一单极子天线在同一直线上;通过检测传输路径上的电场值,通过其快速傅里叶变换后的峰值数目来确定逻辑输出。本发明具有对表面缺陷免疫,结构简单,准确性高等优点,解决了传统编码异或运算器对缺陷敏感的缺点。
  • 一种缺陷光子编码运算器
  • [发明专利]一种机械可调的电磁偏折器及其电磁波反射角度调控方法-CN202011388586.5有效
  • 蒲殷;张潇;李飞飞;陶秀锋 - 南京大学
  • 2020-12-02 - 2021-09-07 - H01Q15/02
  • 本发明公开了一种机械可调的电磁偏折器及其电磁波反射角度调控方法,偏折器包括介质柱阵列、平行板波导和吸波材料,其中,介质柱阵列为由介质柱正方点阵组成的准二维结构,介质柱阵列的一面为电磁波入射平面,另外三面设有吸波材料;介质柱阵列和吸波材料均设置于两个平行板波导之间。该电磁偏折器无需改变周期性排列的介质柱的点阵结构和谐振频率以及整个结构的几何尺寸,而是通过介质柱的位移和对最外层介质柱的切割形成线性相位梯度表面来实现电磁偏折的特性。本发明的电磁偏折器具有机械可调、结构简单、电磁损耗少、几何尺寸小、可通过尺度不变性改变几何尺寸移植到光波段等优点。
  • 一种机械可调电磁偏折器及其电磁波反射角度调控方法
  • [发明专利]一种磁可调谐完美磁导体及天线-CN202010185951.6有效
  • 蒲殷;陶秀锋;裴文瑾;李飞飞;梁树炜 - 南京大学
  • 2020-03-17 - 2021-04-27 - H01Q17/00
  • 本发明公开了一种磁可调谐完美磁导体(PMC)及天线,利用单纯铁氧体材料设计了一种可工作于超宽角度电磁波入射的PMC,其形式可以是整块铁氧体或由若干铁氧体磁柱紧密排列的铁氧体阵列;通过调节外加偏置磁场的大小使得铁氧体块或铁氧体阵列工作在自旋共振频率下。本发明的磁可调谐PMC只要满足铁氧体饱和磁化且边界连续无断点,其取样广泛,具有体积小,结构形式多样化,制备工艺简单,频率动态可调,角度不敏感等优点。在无损情况下,自旋共振的铁氧体具有无限大的等效模式磁导率,对应于无限大的波阻抗;引入材料固有损耗后这种由铁氧体实现的PMC在微波1.5GHz以下的低频段仍具有良好的性能,且形式灵活。
  • 一种调谐完美导体天线
  • [发明专利]一种工作于极低磁场下的微波隔离器-CN201910553308.1有效
  • 陶秀锋;蒲殷;裴文瑾 - 南京大学
  • 2019-06-25 - 2021-01-26 - H01P1/36
  • 本发明公开了一种工作于极低磁场下的微波隔离器,所谓极低磁场即该微波隔离器工作时不需要外加磁场,它的隔离特性是由软磁铁氧体圆柱经过饱和磁化后的剩磁决定的,经过饱和磁化后的软磁铁氧体的剩磁通常在0.5~5Oe范围内,软磁铁氧体的剩磁在该范围内都可以用来实现微波隔离器。微波隔离器可由软磁铁氧体柱以正方点阵和三角点阵构成,这个由正方点阵和三角点阵构成的准二维结构整体被置于平行板波导中,平行板为金属铝板。该微波隔离器具有体积小,结构简单,磁场要求极低,散热好,易于实现等优点。
  • 一种工作磁场微波隔离器
  • [发明专利]可编程波束调节器-CN201910449016.3有效
  • 裴文瑾;蒲殷 - 南京大学
  • 2019-05-28 - 2020-12-01 - H03C7/02
  • 本发明公开了一种可编程波束调节器,该波束调节器由宇称和时间对称性同时破缺但宇称‑时间对称性保持的光子晶体周期阵列构成,软磁铁氧体方柱和相同尺寸的氧化铝陶瓷柱上下紧贴着形成原胞,并在空气背景下以一定晶格常数a周期性排列,这个准二维结构被整体置于高为h的平行板波导中。电磁波入射方向与软磁铁氧体和氧化铝陶瓷柱的交界线方向平行。偏置磁场Hz沿z方向,其大小在y方向每隔nya梯度变化时可以实现波束的偏转,而对x方向一定阵列比例,即nx2:nx1的光子晶体分别施加等大反向的偏置磁场Hz时可以实现波束的零相位延迟。该波束调节器可以把x、y方向的周期数nx、ny以及偏置磁场Hz和工作频率f作为编程的自由度,结构简单,灵活且可调性强。
  • 可编程波束调节器
  • [发明专利]半模磁可调基片集成波导天线-CN201410768947.7在审
  • 楼群;蒲殷;伍瑞新 - 南京大学
  • 2014-12-12 - 2015-03-25 - H01Q13/22
  • 本发明公开了一种半模磁可调基片集成波导天线,包括微波介质板、铁氧体条、馈电高频电连接器SMA接头,所述微波介质板上下两面覆铜,在微波介质板上沿一长边两宽边分别设有一排金属通孔,在紧靠长边金属通孔内侧的位置,设一矩形槽,所述铁氧体条填入矩形槽内,所述矩形槽上覆有锡箔;在微波介质板上设一通孔,以通孔为中心,腐蚀半径为R的圆内的铜,所述馈电高频电连接器SMA接头插入通孔中并与腐蚀铜的圆边缘焊接连接。本发明相比传统电调节方式,无需大量的外加电路,天线易调节、易移动;基于半模基片集成波导技术,相比一般谐振缝隙天线剖面低、易于集成且体积尺寸小。
  • 半模磁可调集成波导天线
  • [发明专利]金属薄膜在微波段频率下电导率的测量方法-CN200810124204.0无效
  • 蒲殷;伍瑞新 - 南京大学
  • 2008-07-03 - 2008-12-17 - G01R27/02
  • 本发明公开金属薄膜在微波段频率下电导率的测量方法,步骤如下:利用可发射微波段频率信号的矢量网络分析仪、矩形空波导和设有活塞的可移动短路器;衬底放在矩形空波导和可移动短路器中间,一边观察矢量网络分析仪的史密斯圆图,一边调节可移动短路器的活塞,直至衬底表面的反射系数为纯实数,记下可移动短路器的活塞的测量位置,取出衬底;制作一个金属薄膜样品,包括需要测量的金属薄膜和与上述衬底的材料相同的衬底层;将金属薄膜样品放入矩形空波导和可移动短路器中间,使金属薄膜层朝向矢量网络分析仪发射频率信号的一端,调节可移动短路器的活塞至上述测量位置,并读出金属薄膜样品表面的反射系数;计算出金属薄膜的电导率。
  • 金属薄膜微波频率电导率测量方法

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