专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]生片的制造方法-CN202180067605.0在审
  • 草野大;后藤邦拓;荒木康宏 - 株式会社德山
  • 2021-09-29 - 2023-07-04 - B28B1/30
  • 本发明的一实施方式涉及生片的制造方法、氮化硅烧结体的制造方法或生片成型材料,其中,该生片的制造方法包括如下工序:得到氮化硅水浆料的工序,所述氮化硅水浆料至少包含氮化硅、水和粘结剂,水的配混量相对于每100质量份氮化硅为10~70质量份;减压处理工序,对前述氮化硅水浆料进行减压处理,得到生片成型用浆料;以及,片成型工序,将前述生片成型用浆料成型,得到片成型体。
  • 制造方法
  • [发明专利]氮化硅烧结体的连续制造方法-CN202180043686.0在审
  • 草野大 - 株式会社德山
  • 2021-06-29 - 2023-02-24 - C04B35/587
  • 提供一种氮化硅烧结体的连续制造方法,其能够通过使用了β化率高的氮化硅粉末的烧结连续地进行氮化硅烧结体的制造。将收纳有含有烧结助剂和β化率为80%以上、比表面积为7m2/g~20m2/g的氮化硅粉末、且铝元素的总含量调整为800ppm以下的被烧成体(1)的烧成用治具(2)供给至连续烧成炉,在非活性气体气氛下和0MPa·G以上且小于0.1MPa·G的压力下,加热至1200℃~1800℃的温度,对氮化硅进行烧结,该连续烧成炉具备:在端部具有上述烧成用治具的供给用开闭门(3)和排出用开闭门(4)的密闭式的烧成容器(5)、设置于上述烧成容器(5)的主体部外周的加热机构(6)、用于将前述烧成用治具向烧成容器内供给排出的输送机构、以及用于向烧成容器内供给非活性气体的气体供给机构。
  • 氮化烧结连续制造方法
  • [发明专利]氮化硅烧结基板-CN202180044279.1在审
  • 满村典平;草野大;河合秀昭 - 株式会社德山
  • 2021-06-29 - 2023-02-14 - C04B35/587
  • 提供一种氮化硅烧结基板,其在将氮化硅粉末烧结后未研磨的状态下,能够减少由形成于表面的氮化硅晶体形成的网格状构造引起的、作为脱模材料使用的氮化硼粉末等导致的污染、金属层等的层叠时的接合强度、绝缘耐性等问题的产生。一种氮化硅烧结基板,其是烧结后未研磨的状态的氮化硅基板,通过压汞法测定的细孔直径为1μm~10μm的细孔累积容积为7.0×10‑5mL/cm2以下,优选的是,其表面的Ra为0.6μm以下、峰顶点的算术平均曲率(Spc)的值为4.5[1/mm]以下。
  • 氮化烧结
  • [发明专利]氮化硅衬底的制造方法-CN201580014104.0有效
  • 草野大;田边元;平尾喜代司;日向秀树;周游 - 日本精细陶瓷有限公司
  • 2015-03-31 - 2017-08-25 - C04B35/584
  • 本发明提供一种氮化硅衬底的制造方法,其包括原料粉末准备步骤,其准备含有硅粉末、稀土元素化合物、及镁化合物的原料粉末,其中,当将原料粉末中的硅换算成氮化硅时,该原料粉末含有以氧化物计1摩尔%以上7摩尔%以下的稀土元素化合物,并含有以氧化物计8摩尔%以上15摩尔%以下的镁化合物;片材成形步骤,其将原料粉末成形为片状而形成片材体;氮化步骤,其在氮气氛中以1200℃以上1500℃以下对片材体进行加热,将包含在片材体中的硅氮化;以及烧结步骤,其在氮气氛下对完成了氮化步骤的片材体进行烧结。
  • 氮化衬底制造方法

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