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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]在IBAD织构化衬底上的外延六方材料-CN201680020908.6有效
发明人：弗拉基米尔·马塔斯;克里斯托弗·杨 -专利权人： 艾宾姆材料公司
申请日： 2016-02-10 - 公布日： 2020-08-14 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：包括六方外延层如GaN或其他第III族‑氮化物(III‑N)半导体、111取向的织构化层和非单晶衬底的多层结构，以及其制备方法。所述织构化层具有优选地通过离子束辅助沉积(IBAD)织构化工艺形成的晶体对齐，并且可以双轴对齐。所述织构化层的面内晶体织构足够低以允许高质量六方材料的生长，但是仍可以明显大于六方材料的所需面内晶体织构。IBAD工艺使得低成本、大面积、柔性金属箔衬底能够用作用于制造电子器件的单晶蓝宝石和硅的潜在备选方案，使得能够使用规模化放大的卷到卷、板到板或相似的制造方法。使用者能够针对其机械和热性质选择衬底，如其热膨胀系数与六方外延层的热膨胀系数匹配得多好，同时选择更密切地晶格匹配该层的织构化层。
ibad 织构化衬底外延材料

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