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[发明专利]高亮度氮化镓基发光二极管外延片的衬底处理方法-CN02117329.X无效
发明人：罗毅;郭文平;胡卉;孙长征;郝智彪 -专利权人：清华大学
申请日： 2002-05-17 - 公布日： 2004-09-15 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种高亮度氮化镓基发光二极管外延片的衬底处理方法，属于光电子材料技术领域。本发明的特征是在待外延生长的蓝宝石衬底表面刻上将蓝宝石衬底表面分成许多小块的沟槽，沟槽宽为20-200微米，深为0.001-300微米，沟槽间距为150-10000微米。本发明的另一种处理方法是先在待外延生长的蓝宝石表面上沉积薄膜，然后在薄膜上刻有许多小块的沟槽，沟槽深度达到蓝宝石衬底的表面，沟槽宽为150-10000微米，沟槽间距为20-200微米。用本发明制备的外延片衬底制作发光二极管，可大幅度降低外延生长过程中外延层与衬底之间的应力积累，进而可获得高亮度及均匀性良好的发光二极管。
亮度氮化发光二极管外延衬底处理方法

[发明专利]一种氮化镓材料的干法刻蚀方法-CN03157390.8无效
发明人：罗毅;韩彦军;薛松;胡卉;郭文平;邵嘉平;孙长征;郝智彪 -专利权人：清华大学
申请日： 2003-09-19 - 公布日： 2004-04-21 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明公开了属于氮化镓材料刻蚀技术领域的一种氮化镓材料的干法刻蚀方法，其特征是通过含有氯气，氮气，氧气Cl₂/N₂/O₂这三种气体混合而形成的反应气体生成的等离子体而进行刻蚀，可获得高的刻蚀选择比和高的GaN的刻蚀速率。混合气体也可为Cl₂/He/O₂或Cl₂/Ne/O₂或Cl₂/N₂O/O₂。由于本发明在干法刻蚀氮化镓材料系中利用了三种气体组合做为反应气体，既可获得高的刻蚀选择比，又可获得高的GaN的刻蚀速率。同时可获得无残渣，无刻痕光滑的刻蚀表面。通过调节氧气在这三种混合气体中的相对含量，即可调节选择性刻蚀比和刻蚀速率，实验结果表明，对GaN和Al_0.28Ga_0.72N的选择性刻蚀比为60∶1，对GaN的刻蚀速率达到320nm/min。
一种氮化材料刻蚀方法

[发明专利]用离子注入和退火制备铌酸锂晶体波导的方法-CN03111918.2无效
发明人：卢霏;胡卉;陈峰;王雪林;王克明 -专利权人：山东大学
申请日： 2003-03-04 - 公布日： 2003-09-03 - 主分类号： C30B31/22 文献下载
摘要：本发明用离子注入和退火制备铌酸锂晶体波导的方法，至少应包含离子注入和电子束退火等步骤。采用能量1MeV～6MeV的C+，Cu+等离子注入，注入剂量在1×1013离子/平方厘米到5×1015离子/平方厘米范围内，在注入区内造成折射率的改变，然后利用聚焦电子束或者激光束扫描，使扫描区的折射率增高，形成埋层或者沟道形式的光波导。光波导的导波模式可以由工艺参数控制。该方法的线宽可以达到纳米量级。可以制成基于条形波导结构的光器件和折射率光栅。
离子注入退火制备铌酸锂晶体波导方法

[发明专利]用离子注入制备钕掺杂钒酸钇晶体波导激光的方法-CN03111917.4无效
发明人：陈峰;王雪林;王克明;卢霏;胡卉 -专利权人：山东大学
申请日： 2003-03-04 - 公布日： 2003-08-06 - 主分类号： H01S3/063 文献下载
摘要：本发明用离子注入制备钕掺杂钒酸钇晶体波导激光的方法，主要在(Nd3+：YVO4)晶体中形成平面及条形波导和实现波导激光输出。采用能量为2.0－6.0MeV，剂量为1×1012～5×1015离子/平方厘米范围的磷离子注入，在钕离子掺杂钒酸钇晶体表面形成平面光波导，或利用先做条形掩膜，再做磷离子注入的方法，形成钕离子掺杂钒酸钇的条形光波导。对波导端面进行激光谐振腔镀膜后，通过一定波长和功率的泵浦激光对钕离子掺杂钒酸钇平面波导或条形波导进行泵浦，输出波长为1064nm左右的红外激光。
离子注入制备掺杂钒酸钇晶体波导激光方法

[实用新型]多功能保健拼接垫板-CN92215607.7无效
发明人：施成桃;胡卉 -专利权人：浙江省乐清县创新无线电厂
申请日： 1992-05-25 - 公布日： 1992-12-02 - 主分类号： E04F15/02 文献下载
摘要：本实用新型是一种多功能保健拼接垫板，它属于装饰件连接结构的镶嵌板。本垫板的板面上具有镂空的花纹和在花纹上设有供防滑及可作保健用半球形的凸点，垫板反面花纹交接处有呈圆柱状的空心凸柱，垫板周边上设置斜楔和嵌套；该垫板连接牢固，不易脱开，它隔水、防滑效果好，对人体有保健作用，拆装简便，清洗方便，可作卫生和灶间的垫板，还可作座垫和桌、台面上垫物之用。
多功能保健拼接垫板