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[发明专利]一种半导体处理设备-CN202310965852.3在审
发明人：刘强;陈辉江;聂喻梅 -专利权人：重庆理工大学
申请日： 2023-07-31 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：本发明涉及半导体加工领域，公开了一种半导体处理设备，包括基座、外壳和晶舟基座上设有注气端口，外壳上设有抽气端口，外壳罩覆在晶舟外侧，晶舟每层支撑平台的上方均设有注气盘，注气盘包括上盘体和转动在上盘体底部的下盘体，上盘体内部设有加压气道和叶轮腔，加压气道与注气端口连通，叶轮腔内设有与下盘体固定的叶轮，下盘体内部设有与叶轮腔连通的布气腔，布气腔的底部开设有条形布气口。本发明可解决现有技术中对晶圆沉积过程中薄膜厚度均匀程度的解决方式，或采用气体从外环绕向晶圆中心扩散接触的方式，或采用晶圆在大量气体环境中旋转接触气体的方式，均存在沉积的薄膜边缘厚度大于中心厚度的情况，薄膜厚度仍存在不均匀的问题。
一种半导体处理设备

[实用新型]一种双端面泵浦装置-CN201420298445.8有效
发明人： 聂喻梅;梁霄;刘强;龚恒翔;田源 -专利权人：重庆理工大学
申请日： 2014-06-06 - 公布日： 2014-10-22 - 主分类号： H01S3/0941 文献下载
摘要：本实用新型提供一种双端面泵浦装置，包括光路调节结构；所述光路调节结构由两个倾斜角度相同的玻璃块，玻璃块为带楔角的圆柱体，两玻璃块带楔角的平面互相平行；两块玻璃块平行面之间的距离为L；两个玻璃块、玻璃块柱体上设有螺纹，以使绕中心轴CD旋转；其中任一玻璃块随螺纹旋转、另一玻璃块不动，使距离L发生变化，从而改变出射光偏离光轴的距离h；当两个玻璃块同时旋转，出射光以偏离光轴的距离h绕中心轴CD旋转，实现泵浦光入射到激光晶体的任何位置。使用本实用新型装置，在规避激光晶体上的坏点时，不需要移动激光晶体，也不需要重新调试另一端泵浦光的光路。还具有结构简单、成本低和制作容易等优点。
一种端面装置

[发明专利]一种便于调试光路的双端面泵浦装置-CN201410248416.5在审
发明人： 聂喻梅;梁霄;刘强;龚恒翔;田源 -专利权人：重庆理工大学
申请日： 2014-06-06 - 公布日： 2014-09-03 - 主分类号： H01S3/0941 文献下载
摘要：本发明提供一种便于调试光路的双端面泵浦装置，包括光路调节结构；所述光路调节结构由两个倾斜角度相同的玻璃块，玻璃块为带楔角的圆柱体，两玻璃块带楔角的平面互相平行；两块玻璃块平行面之间的距离为L；两个玻璃块、玻璃块柱体上设有螺纹，以使绕中心轴CD旋转；其中任一玻璃块随螺纹旋转、另一玻璃块不动，使距离L发生变化，从而改变出射光偏离光轴的距离h；当两个玻璃块同时旋转，出射光以偏离光轴的距离h绕中心轴CD旋转，实现泵浦光入射到激光晶体的任何位置。使用本发明装置，在规避激光晶体上的坏点时，不需要移动激光晶体，也不需要重新调试另一端泵浦光的光路。还具有结构简单、成本低和制作容易等优点。
一种便于调试端面装置

[实用新型]泊松亮斑实验演示仪-CN201320160544.5有效
发明人：刘强;梁霄;冯文林;聂喻梅;魏强;龚恒翔;田源 -专利权人：重庆理工大学
申请日： 2013-04-02 - 公布日： 2013-08-14 - 主分类号： G09B23/22 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种泊松亮斑实验演示仪，包括光源、不透明圆形障碍物和光屏，不透明圆形障碍物设于光源与光屏之间的光路中，还包括至少一个平面镜，所述平面镜将光源发射的光经过折回反射后投射至光屏，所述平面镜设置在光源与不透明圆形障碍物之间的光路中，和设置在不透明圆形障碍物和光屏之间的光路中；其采用多面平面镜折叠设置用以反射光，实现了实验场地小型化，避免了演示光路过长，占用场地过大的问题，整个实验占用场地约0.6m2。
泊松亮斑实验演示

[实用新型]横梁弯曲衍射法测杨氏模量实验仪-CN200920126037.3无效
发明人：梁霄;田源;聂喻梅;杨长中;刘强 -专利权人：重庆工学院
申请日： 2009-01-06 - 公布日： 2009-10-21 - 主分类号： G01N3/08 文献下载
摘要：本实用新型涉及测杨氏模量实验仪，包括加力机构、挠度放大机构和测试衍射条纹分布的测试机构，加力机构由螺旋加力装置和拉力传感器组成，螺旋加力装置设于支架上，挠度放大机构包括产生狭缝的上刀口、下刀口和半导体激光器，测试对象中部与上刀口连接，测试对象两端定位于支架上，拉力传感器将螺旋加力装置和上刀口连接，下刀口安装于可调高度支撑架上。本实用新型与同类仪器相比解决了仪器稳定性方面的问题，测量对象范围更广，在测量精度上有很大的提高，精度可达到3％以内。可在很短的距离对衍射条纹进行测量，节约实验场地。
横梁弯曲衍射法测杨氏模量实验

[发明专利]基于金汞齐中高频交流电流变化测量汞含量的方法-CN200810233026.5无效
发明人：石孝洪;李军;郑光平;桑雪梅;王敏;杨明波;聂喻梅;赵玮霖 -专利权人：重庆工学院
申请日： 2008-11-11 - 公布日： 2009-04-08 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于金汞齐中高频交流电流变化的测量汞含量的方法，其特征在于：在设定的时间和温度条件下，一定流速的含汞大气通过含有金丝的汞探测器时，汞首先在金丝表面形成金汞齐，导致金丝的表面电阻发生变化，利用高频交流电流的“趋肤”特性，采用交流电桥检测高频电流的变化；根据高频电流的变化可得到大气汞含量。本发明的测量汞含量方法，测量用的汞探测器是利用金汞齐中电阻变化导致电流变化的原理来测定大气中汞含量，省略了冷原子吸收法和原子荧光法中的光电转换过程，选择性好，抗干扰能力强；容易实现大气汞污染的个体检测和实时检测，以适应快速、在线检测的需要；与金膜探测器相比，不需要复杂的镀膜工艺。
基于金汞齐中高频交流电流变化测量含量方法