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[发明专利]异质结增强型紫外可见光探测器及其制备方法和设备-CN202111467316.8有效
发明人：季涛;田高旗;胡鑫;胡俊青 -专利权人：深圳技术大学
申请日： 2021-12-02 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L31/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种异质结增强型紫外可见光探测器及其制备方法和设备。异质结增强型紫外可见光探测器包括探测芯片，探测芯片包括依次设有的接地电极层、衬底层、二氧化钛层和偏压电极层，二氧化钛层为局部掺杂层；偏压电极层为梳状电极层，间隔设有多个条状空隙，以使外部光线照射至二氧化钛层。本发明异质结增强型紫外可见光探测器与现有大多探测器不同，该反开型光电探测器件实现了电流的反转特性。通过控制光的波长和电压范围，就可以实现光电流近乎为零，并实现该光电探测器的反转特性。本发明封装设备采用电热针杆进行接地极导电片、偏压电极导电片的焊接，使得探测芯片的中心部分不会受到焊接高温的影响。并采用一体式结构完成探测芯片的封装，具有效率高、成本低、可靠性强的特点。
异质结增强紫外可见光探测器及其制备方法设备

[实用新型]一种磁控溅射装置中用于制作HFET的掩膜组件-CN202320489685.5有效
发明人：季涛;雷秋梅;卢国佳;艾福金;严砺;田高旗 -专利权人：深圳技术大学
申请日： 2023-03-02 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种磁控溅射装置中用于制作HFET的掩膜组件。掩膜组件的支架上设有至少两个安装位，安装位包括外沉台和内沉台，内沉台设于外沉台之中，内沉台用于固定放置涂有银浆的衬底并且内沉台尺寸与衬底尺寸一致，外沉台用于固定放置图形掩膜板，图形掩膜板上设有若干溅射孔，同一个图形掩膜板上的溅射孔的形状大小相同，不同图形掩膜板上的溅射孔形状或大小不同；图形掩膜板放置于外沉台时，溅射孔对应于内沉台中的衬底。本实用新型可以在磁控溅射时同时完成几种不同异质结宽度器件的镀膜，最终可获得不同异质结结构的HFET，方便了同种工艺形成的不同结构器件之间的性能比较，同时节约了镀膜所耗费的时间和资源。
一种磁控溅射装置用于制作 hfet 组件