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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]存储器及其制造方法、电子设备-CN202310542074.7在审
发明人：贺学兵;林华堂;晏昌杰;田宝毅 -专利权人：长江先进存储产业创新中心有限责任公司
申请日： 2023-05-11 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H10B63/10 文献下载
摘要：本公开实施例提供一种存储器及其制造方法、电子设备，其中存储器包括：衬底；在衬底上沿第一方向依次层叠设置的第一导电线、存储单元、停止条、第二导电线；其中，停止条与第二导电线共形设置，停止条与第二导电线的材料不同，且停止条包括导电材料；第一导电线和第二导电线均平行于衬底表面且二者在衬底表面的正投影相交；存储单元至少包括依次层叠设置的第一电极、第一功能单元、第二电极；第一方向与衬底表面的方向垂直。
存储器及其制造方法电子设备

[发明专利]一种三维相变存储器的制备方法及三维相变存储器-CN202110390849.4有效
发明人：刘峻;杨红心;田宝毅;高王荣 -专利权人：长江先进存储产业创新中心有限责任公司
申请日： 2021-04-12 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H10B63/10 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种三维相变存储器的制备方法，包括：提供半导体结构；采用一道刻蚀工艺，在所述半导体结构上形成第一接触件沟槽和第一对准标记沟槽；生长相变存储堆叠材料层，形成位于所述第一接触件沟槽中的第一接触件和位于所述第一对准标记沟槽上方的凹陷，所述凹陷为第一对准标记。
一种三维相变存储器制备方法

[发明专利]一种硬掩膜叠层结构及半导体器件的形成方法-CN202110460771.9在审
发明人：唐平;刘峻;鞠韶复;李喆;田宝毅 -专利权人：长江先进存储产业创新中心有限责任公司
申请日： 2021-04-27 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种硬掩膜叠层结构，用于自对准四重构图工艺，其特征在于，所述硬掩膜叠层结构包括：层叠设置的第一硬掩膜层、第一核心层和第二核心层，所述第一核心层位于所述第一硬掩膜层和所述第二核心层之间；其中，所述第一硬掩膜层包括无定形碳层，所述第一核心层和所述第二核心层均包括旋涂的含碳材料层。
一种硬掩膜叠层结构半导体器件形成方法

[发明专利]一种模拟型HfOx-CN201911090016.5有效
发明人：孙华军;田宝毅;缪向水 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2019-11-08 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明属于微电子器件技术领域，公开了一种模拟型HfOx/HfOy同质结忆阻器及其调控方法，该同质结忆阻器包括自下而上依次堆叠的下电极层、功能层和上电极层，其中，所述功能层是由HfOx层与HfOy层自下而上堆叠形成的HfOx/HfOy同质结功能层；对于该HfOx/HfOy同质结功能层，1.6x1.8，1.9y2，且所述HfOx层的厚度大于所述HfOy层的厚度。本发明通过对关键的器件结构尤其是功能层组成等进行改进，采用堆叠生长高/低氧空位的氧化铪叠层作为阻变功能层，与现有技术相比能够有效解决模拟型忆阻器及基于模拟型忆阻器的电子突触仿生器件阻值渐变窗口小、操作速度慢以及一致性的技术的问题。
一种模拟 hfo base sub

[发明专利]一种硬掩膜叠层结构及半导体器件的形成方法-CN202110440990.0在审
发明人：鞠韶复;刘峻;李喆;田宝毅 -专利权人：长江先进存储产业创新中心有限责任公司
申请日： 2021-04-23 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： H01L21/308 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种硬掩膜叠层结构，用于自对准双重构图工艺，其特征在于，所述硬掩膜叠层结构包括：层叠设置的第一硬掩膜层和核心层；其中，所述第一硬掩膜层包括类金刚石碳层，所述核心层包括旋涂的含碳材料层。
一种硬掩膜叠层结构半导体器件形成方法

[发明专利]相变存储器的制造方法-CN202011501781.4在审
发明人：高王荣;田宝毅;刘峻 -专利权人：长江先进存储产业创新中心有限责任公司
申请日： 2020-12-17 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本公开提供了一种相变存储器的制造方法，包括：提供包括器件区域和对位区域的衬底；其中，衬底上形成有互连线和覆盖互连线的第一介质层；互连线，用于连接相变存储器的外围电路和地址线连接部；第一介质层包括位于器件区域中的第一部分和位于对位区域中的第二部分；对准对位区域中第一条互连线的位置，在所述第二部分中形成第一对位凹槽；第一对位凹槽的深度，小于所述第二部分的深度；形成覆盖第一介质层的存储器材料层；其中，位于对位区域中的部分存储器材料层共性地覆盖第一对位凹槽，并基于第一对位凹槽的形貌形成第一子凹槽；基于第一子凹槽，在对准对位区域中第二条互连线的位置，形成贯穿存储器材料层的第二对位凹槽。
相变存储器制造方法

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