专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种半导体晶片清洗夹具-CN202321081947.0有效
  • 廖彬;张昌文;周铁军;曾琪;王驭辉;翁吉露 - 广东先导微电子科技有限公司
  • 2023-05-08 - 2023-10-24 - H01L21/687
  • 本申请公开了一种半导体晶片清洗夹具,涉及半导体加工技术领域,包括连接板以及夹取模块;连接板的一侧面上一端位置设有第一连接结构;连接板的一侧面上另一端位置设有第二连接结构;夹取模块包括模块本体以及两个晶片夹爪;模块本体上设有与第二连接结构可拆卸连接配合的第三连接结构;模块本体上设有两个可张开或闭合配合的活动部;两个晶片夹爪一一对应可拆卸地连接于两个活动部。实现机器人与晶片的串接,保证机器人对晶片的夹取、清洗和搬运的过程是稳定和可重复性的,有效解决手工清洗晶片稳定性不高的情况。另外,晶片夹爪与模块本体上的活动部可拆卸配合,能够根据晶片尺寸更换对应适配的晶片夹爪,适用性更好。
  • 一种半导体晶片清洗夹具
  • [实用新型]一种加热装置-CN202320696493.1有效
  • 张昌文;周铁军;廖彬;曾琦;王驭辉;翁吉露 - 广东先导微电子科技有限公司
  • 2023-03-31 - 2023-08-22 - F24H7/02
  • 本实用新型公开了一种加热装置,包括第一容器、第二容器和热源,第一容器用于盛放待加热溶液,第一容器置于第二容器内,第一容器与第二容器之间具有用于容纳导热介质的容纳空间,导热介质能够与第一容器的多个不同位置相接触;热源能够将热量传递至导热介质,并通过导热介质将热量分别传递至待加热溶液的不同位置,以将待加热溶液加热至预设温度。和现有技术相比,上述加热装置对待加热容器的加热位置增多,可实现从不同的方位对待加热溶液进行分别加热,使得待加热溶液的温度得到均匀控制,因此上述加热装置能够实现对待加热溶液的温度的精确控制,从而有效提高了产品质量。
  • 一种加热装置
  • [实用新型]一种晶片夹具底座-CN202320696530.9有效
  • 张昌文;周铁军;廖彬;曾琦;王驭辉;翁吉露 - 广东先导微电子科技有限公司
  • 2023-03-31 - 2023-08-22 - H01L21/687
  • 本实用新型公开了一种晶片夹具底座,包括底座本体,和至少两个设置于底座本体上的分区,且不同的分区分别用于放置不同规格的晶片夹具。由于底座本体上至少设置有两个分区,因此,相应的可以至少放置两种不同规格尺寸的晶片夹具。和现有技术相比,采用本实用新型实施例所公开的晶片夹具底座进行工作时,无需频繁的更换晶片夹具底座,一个晶片夹具底座可以适用于2种以上不同规格尺寸的晶片夹具,从而有效降低了成本,大大提高了生产效率。
  • 一种晶片夹具底座
  • [发明专利]一种锗镀膜片的返修方法-CN202211701933.4在审
  • 廖彬;周铁军;曾琦;张昌文;王驭辉;翁吉露 - 广东先导微电子科技有限公司
  • 2022-12-26 - 2023-03-21 - H01L21/02
  • 本发明公开了一种锗镀膜片的返修方法,涉及半导体晶片加工技术领域。本发明提供了一种锗镀膜片的返修方法,包括以下步骤:(1)将锗镀膜片进行预处理;(2)将预处理后的锗镀膜片的非镀膜面涂覆保护层,所述保护层为液体蜡、表面活性剂的混合物;(3)将涂覆保护层后的锗镀膜片浸入退镀液中进行溶解得到退镀后的晶片;所述退镀液为氢氟酸、磷酸、柠檬酸、水的混合物;(4)将退镀后的晶片冲水,中和后检测薄膜是否去除完全,如未完成去除,则重复步骤(1)‑(3);(5)去除完全的晶片去除保护层后,得到返修后的晶片。
  • 一种镀膜返修方法
  • [实用新型]一种晶片清洗溶液加热装置-CN202222154810.5有效
  • 廖彬;周铁军;曾琦;张昌文;王驭辉;翁吉露 - 广东先导微电子科技有限公司
  • 2022-08-16 - 2022-12-30 - F24H7/04
  • 本实用新型提供了一种晶片清洗溶液加热装置。可通过加热底座对烧杯内清洗溶液加热,并在烧杯内液体温度高于所需温度时,通过进水水路向筒体的冷却水路输送冷却液,使冷却液流经冷却水路,然后通过出水水路的出水口流出,由于烧杯放置于筒体的内腔,且筒体的外壁与筒体的内壁贴合,因此,烧杯内清洗溶液的热量能够通过烧杯传递至筒体,而冷却液流经筒体的冷却水路后,能够快速将筒体的热量带走,进而使筒体温度快速降低,使得烧杯内清洗溶液的热能会持续向筒体传递,进而实现对烧杯内清洗溶液降温的目的,相较于现有的自然降温方式,本实用新型降温所需时间较短,因此,通过本实用新型提供的晶片清洗溶液加热装置,能够有效提升晶片的生产效率。
  • 一种晶片清洗溶液加热装置
  • [实用新型]一种用于裁剪抛光垫的裁剪工具-CN202123160704.X有效
  • 翁吉露;郑金龙;周铁军;廖彬;曾琦;王驭辉;张昌文 - 广东先导微电子科技有限公司
  • 2021-12-15 - 2022-06-28 - B26D7/26
  • 本实用新型公开了一种用于裁剪抛光垫的裁剪工具,旨在可以适用于不同尺寸抛光底盘的抛光垫的裁剪,并方便收纳存放,其技术方案:一种用于裁剪抛光垫的裁剪工具,包括主杆、伸缩杆和副杆,所述主杆上设有可转动的转动件,所述伸缩杆的一端通过第一锁紧件与转动件连接、另一端通过第二锁紧件与副杆连接,所述副杆的底部设有刀片;当第一锁紧件和第二锁紧件均处于紧固状态时,将主杆抵紧在抛光垫上且其轴线穿过抛光底盘的圆心与抛光底盘相垂直,刀片抵紧在抛光底盘的外缘跟随伸缩杆的转动进行裁剪;当第一锁紧件和第二锁紧件均处于解锁状态时,主杆和副杆可分别绕伸缩杆的两个端部进行转动,属于半导体晶片加工技术领域。
  • 一种用于裁剪抛光工具
  • [发明专利]一种降低晶片表面硅残留的方法-CN202111638679.3在审
  • 廖彬;周铁军;曾琦;王驭辉;张昌文;翁吉露 - 广东先导微电子科技有限公司
  • 2021-12-28 - 2022-04-08 - H01L21/02
  • 本发明公开了一种降低晶片表面硅残留的方法,属于半导体技术领域。本发明的一种降低晶片表面硅残留的方法,包括以下步骤:(1)将表面活性剂和强碱弱酸盐溶于去离子水中,得晶片清洗液;(2)用晶片清洗液处理晶片后并用去离子水冲洗;(3)用HF水溶液处理晶片后并用去离子水冲洗;(4)用碱性溶液处理晶片后并用去离子水冲洗,接着干燥冲洗后的晶片;本发明先用表面活性剂和强碱弱酸盐对晶片进行初步清洗,接着再依次酸洗、碱洗,此种清洗方法组合能够在尽可能少用量的清洗剂下有效的降低晶片表面的硅浓度、提升晶片的清洗质量、保证清洗后晶片表面的平整度,同时,本发明技术方案提供的方法操作简单、耗时短,能够应用于实际。
  • 一种降低晶片表面残留方法

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