专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种压阻式MEMS传感器制作方法-CN201710961716.1有效
  • 喻磊;何凯旋;郭群英;王新龙;张胜兵 - 北方电子研究院安徽有限公司
  • 2017-10-17 - 2019-11-05 - B81C1/00
  • 本发明公开一种压阻式MEMS传感器制作方法,包括以下步骤:取P型单晶硅作为衬底,对衬底顶面各向异性腐蚀形成MEMS传感器所需的空腔;取第一SOI硅片,将第一SOI硅片的顶层硅与衬底顶面硅硅键合;去除第一SOI硅片的衬底硅与埋氧层;双面热氧化,形成上、下介质隔离层;在第一SOI硅片的顶层硅制作传感器敏感结构的主梁;取第二SOI硅片,将第二SOI硅片的顶层硅与上介质隔离层硅硅键合;去除第二SOI硅片的衬底硅与埋氧层;在第二SOI硅片的顶层硅制作传感器的压敏电阻区,形成压阻式MEMS传感器的敏感结构;本发明采用两片SOI硅片分别制作敏感结构的主梁与敏感梁,通过介质隔离层实现压敏电阻与衬底的介质隔离,避免了传统PN结隔离的缺陷,提高了传感器的耐高温性能。
  • 一种压阻式mems传感器制作方法

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