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专利名称

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申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]电解装置-CN202280016442.8在审
发明人： 熊谷宗乡 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2022-02-18 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C25B9/60 文献下载
摘要：电解装置(200)生成次氯酸钠水或次氯酸水。电解装置(200)具备第一电极(2)、第二电极(4)、反转部(61)和控制部(8)。第二电极(4)与第一电极(2)相对。第二电极(4)与第一电极(2)一起，将含氯化物离子水溶液作为主电解质进行电解，生成次氯酸钠水或次氯酸水。反转部(61)使第一电极(2)和第二电极(4)的极性反转。控制部(8)控制反转部(61)。控制部(8)在次氯酸钠水或次氯酸水的生成中控制反转部(61)，使第一电极(2)和第二电极(4)的极性反转。
电解装置

[发明专利]加热烹调器-CN202111269515.8在审
发明人： 熊谷宗乡 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H05B6/64 文献下载
摘要：本发明提供一种加热烹调器。加热烹调器具备加热箱、壳体、连通部以及声音检测部。加热箱收容被加热物。壳体收容加热箱。连通部配置在加热箱和壳体之间，将加热箱的内部与壳体的外部连通。声音检测部配置在连通部内，检测声音。
加热烹调

[发明专利]加热烹调器-CN202111217464.4在审
发明人： 熊谷宗乡;朝井淳毅 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2021-10-19 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： H05B6/64 文献下载
摘要：本发明提供加热烹调器。加热烹调器具备加热室、第一检测单元、夹设构件。加热室收容被加热物。第一检测单元与加热室隔开地配置，并检测加热室内的声音。夹设构件介于加热室和第一检测单元之间，并从第一检测单元朝向加热室延伸。夹设构件具有供声音通过的贯通孔。
加热烹调

[发明专利]氢水生成装置-CN201780013088.2有效
发明人： 熊谷宗乡;柿谷笃树 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2017-01-25 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： B01F3/04 文献下载
摘要：本发明可在短时间内生成含有所期望的高浓度氢的氢水。氢水生成装置(101)是以单通方式生成氢水的装置，其包含：使水通过的第一水通道(3)与第二水通道(4)、以及搅拌机(1)，该搅拌机(1)形成于上述第一水通道(3)与第二水通道(4)中，对流过该第一水通道(3)与第二水通道(4)的水和自外部供给的氢气进行搅拌。
水生装置

[发明专利]净水装置及家庭用净水器-CN201980074198.9在审
发明人： 熊谷宗乡;门马哲也 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2019-11-20 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： B01D65/02 文献下载
摘要：实现即使在停电时电磁阀不工作也能够得到净水的净水装置。净水装置(1)在主路径(50)上设置进行该主路径(50)的开闭的电磁阀(31)，此外，还包括绕过该电磁阀(31)的旁通路径(32)和以无电力方式开闭该旁通路径(32)的路径切换机构(33)。
净水装置家庭净水器

[发明专利]净水装置及家庭用净水器-CN201980074224.8在审
发明人： 熊谷宗乡;门马哲也 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2019-11-20 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： B01D61/12 文献下载
摘要：实现能够减少吸附除去部件的消耗、抑制功能的降低的净水装置。净水装置(1)是使用RO膜(18)和DI过滤器(19)来净化水的净水装置，在从RO膜(18)到达DI过滤器(19)的通水路径上设置有阻断该通水路径中的水的往来的开闭机构(32)。
净水装置家庭净水器

[发明专利]全息元件及其制造方法和全息激光器及光拾取器-CN200710197024.0无效
发明人： 熊谷宗乡 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2007-12-04 - 公布日： 2008-06-11 - 主分类号： G02B5/32 文献下载
摘要：本发明涉及全息元件及其制造方法和使用该全息元件的全息激光器及光拾取器。提供一种不损害光学性能、小型化、制造成本低的全息元件。全息元件(1)由具有菱形的两个底面的正柱体状的全息元件主体(1a)构成。在全息元件主体(1a)的一方底面设置由分割线(3)分割成栅格周期不同的多个区域的全息区域(2)，在另一方的底面设置光栅(4)。底面的第一对角线的长度比第二对角线的长度长。全息区域(2)的中心位于第一对角线与第二对角线的交点上。分割线(3)位于第一对角线上。从具有全息区域(2)的底面入射的光垂直于底面，并且投射到包含分割线(3)的平面上。
全息元件及其制造方法激光器拾取

[发明专利]辅助座、半导体激光装置及其制造方法、全息激光装置以及光拾取装置-CN200710306151.X无效
发明人： 熊谷宗乡 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2007-10-08 - 公布日： 2008-05-28 - 主分类号： H01S5/022 文献下载
摘要：本发明涉及辅助座、半导体激光装置及其制造方法、全息激光装置以及光拾取装置。本发明的辅助座(50)包括以Si为主要材料的衬底(1、2)、通过在衬底表面(1a)中的应于上方安装半导体激光器芯片的区域扩散掺杂物而形成的掺杂物扩散层(4、5)。在掺杂物扩散层(5)上依次层积TiW层(7)、Au层(8)、Pt层(11)、及AuSn层(9)。Pt层(11)的厚度根据未图示的半导体激光器芯片下面所设的Au电极层的厚度、Au层(8)的厚度、AuSn层(9)的厚度以及组成比进行设定，使得在用于接合该半导体激光器芯片的AuSn层(9)熔融时残存Pt层(11)。
辅助半导体激光装置及其制造方法全息以及拾取

[发明专利]全息元件-CN200310120371.5无效
发明人： 熊谷宗乡 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2003-11-17 - 公布日： 2004-06-16 - 主分类号： G03H1/04 文献下载
摘要：提供一种光掩膜，用于制造具有期望的光学特性的全息元件；一种方法，用于制造一个全息元件；和一种全息元件，具有期望的光学特性。第一光掩膜(30)用于基于光刻法的一个全息元件的制造，这个全息元件具有一个全息图，全息图分成两个各带有一个衍射光栅的区域。为了形成全息图区域的衍射光栅，第一光掩膜30包括第一、第二掩膜区域(31，32)，掩膜区域(31，32)具有非光透射掩膜部分(31a，32a)和光透射部分(31b，32b)。两个掩膜区域在对于光透射部分的准直方向上排列间隔(E1，E2)不同，和对于光透射部分的准直方向上的宽度(e1，e2)与准直方向上的排列间隔(E1，E2)的比值(e1/E1，e2/E2)不同。
全息元件

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