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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]应变片-CN202280010336.9在审
发明人：泷本达也;高田真太郎;户田慎也;浅川寿昭;足立重之 -专利权人：美蓓亚三美株式会社
申请日： 2022-01-13 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： G01B7/16 文献下载
摘要：本应变片具有：基材，具有可挠性；电阻体，在所述基材的一个面上，由包含Cr、CrN、以及Cr2N的膜形成；以及树脂制的阻挡层，覆盖所述电阻体，其中，所述阻挡层的透湿度(g/m2/24h)与厚度(mm)之比为5：1以上，所述阻挡层的厚度为100μm以上3mm以下。
应变

[发明专利]应变片及其制造方法-CN201980022374.4有效
发明人： 浅川寿昭;丹羽真一;高田真太郎;户田慎也 -专利权人：美蓓亚三美株式会社
申请日： 2019-04-01 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： G01B7/16 文献下载
摘要：本应变片包括：基材，具有可挠性；以及电阻体，在所述基材上，由包含铬和镍中的至少一者的材料形成；其中，所述电阻体包括作为最下层的第一层、以及层叠在所述第一层上的作为表面层的第二层，所述第二层是密度高于所述第一层的层。
应变及其制造方法

[发明专利]应变片-CN201980022363.6有效
发明人：户田慎也;浅川寿昭;高田真太郎 -专利权人：美蓓亚三美株式会社
申请日： 2019-04-01 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： G01B7/16 文献下载
摘要：本应变片包括：基材，具有可挠性；电阻体，在所述基材上，由包含铬和镍中的至少一者的材料形成；由无机材料制成的绝缘层，覆盖所述电阻体；以及由有机材料制成的绝缘树脂层，覆盖所述绝缘层。
应变

[发明专利]应变片-CN202310346190.1在审
发明人： 浅川寿昭;相泽祐汰;户田慎也;高田真太郎;丹羽真一 -专利权人：美蓓亚三美株式会社
申请日： 2018-09-26 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： G01B7/16 文献下载
摘要：本应变片包括：基材，具有可挠性；功能层，在所述基材的一个表面上，由金属、合金、或金属的化合物形成；以及电阻体，在所述功能层的一个表面上，由包含铬和镍中的至少一者的材料形成。
应变

[发明专利]应变片-CN201880076802.7有效
发明人： 浅川寿昭;汤口昭代;相泽祐汰;种田翔太 -专利权人：美蓓亚三美株式会社
申请日： 2018-09-27 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： G01B7/16 文献下载
摘要：本应变片包括：基材，具有可挠性；以及电阻体，在所述基材上，由包含铬和镍中的至少一者的材料形成，其中，所述基材的一个表面的表面凹凸为15nm以下，所述电阻体的膜厚为0.05μm以上。
应变

[发明专利]应变片-CN201880076750.3有效
发明人： 浅川寿昭;相泽祐汰;户田慎也;高田真太郎;丹羽真一 -专利权人：美蓓亚三美株式会社
申请日： 2018-09-26 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： G01B7/16 文献下载
摘要：本应变片包括：基材，具有可挠性；功能层，在所述基材的一个表面上，由金属、合金、或金属的化合物形成；以及电阻体，在所述功能层的一个表面上，由包含铬和镍中的至少一者的材料形成。
应变

[发明专利]应变片及传感器模块-CN201880076801.2有效
发明人：美齐津英司;汤口昭代;足立重之;浅川寿昭;北村厚 -专利权人：美蓓亚三美株式会社
申请日： 2018-09-26 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： G01B7/16 文献下载
摘要：本应变片包括：基材，具有可挠性；功能层，在所述基材的一个表面上，由金属、合金、或金属的化合物形成；电阻体，在所述功能层的一个表面上，由包含铬和镍中的至少一者的材料形成；以及绝缘树脂层，覆盖所述电阻体。
应变传感器模块

[发明专利]应变片-CN201880086299.3有效
发明人：美齐津英司;足立重之;北原昂祐;浅川寿昭;北村厚 -专利权人：美蓓亚三美株式会社
申请日： 2018-11-01 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： G01B7/16 文献下载
摘要：本应变片包括：基材，具有可挠性；以及电阻体，在所述基材上，由包含铬和镍中的至少一者的材料形成，其中，所述电阻体包括：第一电阻部，形成在所述基材的预定表面上；第二电阻部，以使栅格方向朝向与所述第一电阻部的栅格方向不同的方向的方式，形成在所述基材的所述预定表面或与所述预定表面平行的表面上；以及第三电阻部，形成在所述基材的与所述预定表面相邻的表面上。
应变

[发明专利]应变片-CN201880085782.X有效
发明人：美齐津英司;足立重之;北原昂祐;浅川寿昭;北村厚 -专利权人：美蓓亚三美株式会社
申请日： 2018-11-01 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： G01B7/16 文献下载
摘要：本应变片包括：基材，具有可挠性；以及电阻体，由Cr混合相膜形成，其中，所述电阻体包括形成在所述基材的一侧的第一电阻部和第二电阻部、以及形成在所述基材的另一侧的第三电阻部和第四电阻部，所述第一电阻部、所述第二电阻部、所述第三电阻部、以及所述第四电阻部构成惠斯通电桥电路。
应变

[发明专利]应变片-CN201880076443.5有效
发明人： 浅川寿昭;丹羽真一;相泽祐汰;北村厚 -专利权人：美蓓亚三美株式会社
申请日： 2018-09-26 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： G01B7/16 文献下载
摘要：本应变片包括：基材，具有可挠性；以及电阻体，在所述基材上，由包含铬和镍中的至少一者的材料形成，其中，所述基材的膨胀系数在7ppm/K～20ppm/K的范围内。
应变

[发明专利]应变片-CN201880084755.0有效
发明人： 浅川寿昭;丹羽真一;高田真太郎 -专利权人：美蓓亚三美株式会社
申请日： 2018-10-30 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： G01B7/16 文献下载
摘要：本应变片具有：基材，具有可挠性；电阻体，在所述基材上由包含铬和镍中的至少一者的材料形成；及防氧化层，形成在非氧化面上，该非氧化面构成所述电阻体的上表面。
应变

[发明专利]应变片和传感器模组-CN201880083538.X有效
发明人：佐藤聪;足立重之;美齐津英司;北村厚;浅川寿昭;饭岛启嗣;木村阳一 -专利权人：美蓓亚三美株式会社
申请日： 2018-10-25 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： G01B7/16 文献下载
摘要：本应变片包括具有可挠性的基材、在所述基材上由包含铬和镍中的至少一者的材料形成的电阻体、形成在所述基材上且与所述电阻体的两个端部进行了电连接的一对配线图案、及形成在所述基材上且与各个所述配线图案进行了电连接的一对电极，其中，所述配线图案具有从所述电阻体延伸的第1层和层叠在所述第1层上的电阻低于所述第1层的电阻的第2层，所述基材上定义有能够安装与所述电极进行电连接的电子部件的电子部件安装区域。
应变传感器模组

[发明专利]应变片-CN201880086187.8有效
发明人：美齐津英司;足立重之;北原昂祐;浅川寿昭;北村厚 -专利权人：美蓓亚三美株式会社
申请日： 2018-11-01 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： G01B7/16 文献下载
摘要：本应变片包括：基材，具有可挠性；以及电阻体，由Cr混合相膜形成，其中，所述电阻体包括形成在所述基材的一侧的第一电阻部、以及形成在所述基材的另一侧的第二电阻部，所述第一电阻部和所述第二电阻部被布置成使栅格方向在平面视图中交叉。
应变

[发明专利]传感器模组-CN201980020106.9有效
发明人： 浅川寿昭;足立重之 -专利权人：美蓓亚三美株式会社
申请日： 2019-01-17 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： G01B7/16 文献下载
摘要：本传感器模组具有：基材；在所述基材的一个表面侧由包含铬和镍中的至少一者的材料所形成的电阻体；实装在所述基材的一个表面侧并与所述电阻体电连接的电子部件；及实装在所述基材的一个表面侧或另一表面侧并与所述电子部件电连接以向所述电子部件供电的电源。
传感器模组

[发明专利]应变仪-CN202180025922.6在审
发明人：北村厚;浅川寿昭;小笠洋介;小野彩;汤口昭代 -专利权人：美蓓亚三美株式会社
申请日： 2021-04-01 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： G01B7/16 文献下载
摘要：本应变仪具备：具有挠性的基材、形成于上述基材上的电阻体以及形成于上述基材上，且介由配线而与上述电阻体电连接的一对电极，上述配线将上述电阻体的栅格宽度方向的各个末端与各个上述电极进行电连接，上述配线包含：第1金属层，以及在上述第1金属层上由与上述第1金属层相比低电阻的材料形成的第2金属层。
应变

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