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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]存储阵列电路、存储阵列版图以及验证方法-CN202110937301.7有效
发明人： 汪配焕 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-08-16 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： G11C7/12 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种存储阵列电路、存储阵列版图以及验证方法，存储阵列电路包括：M条字线；M个字线断线节点，每一所述字线断线节点用于将对应的一所述字线分隔为第一字线引脚和第二字线引脚；N条位线；N个位线断线节点，每一所述位线断线节点用于将对应的一所述位线分隔为第一位线引脚和第二位线引脚；其中，所述M和所述N均为正偶数。本申请实施例能够对字线层和位线层的版图布局进行验证。
存储阵列电路版图以及验证方法

[发明专利]半导体结构、其版图以及半导体器件-CN202110915940.3在审
发明人： 汪配焕 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-08-10 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本申请提供了一种半导体结构、其版图以及半导体器件，该半导体结构包括：多个间隔的第一导电层；多个电容组，电容组一一对应地位于第一导电层上，电容组包括至少一个电容，各电容包括由下至上依次叠置的下电极层、电容介质层和上电极层；电容极板，位于各上电极层上；第二导电层，位于电容极板上方且与电容极板连接。上述的半导体结构中，在电容极板的上方形成第二导电层，并且第二导电层与电容极板连接，这样上述半导体结构中，第二导电层相当于并联在电容极板两端，即第二导电层与电容极板并联，二者并联形成的电阻比电容极板自身的电阻小，从而避免了由于电阻较大影响性能的问题，提高了半导体结构的性能。
半导体结构版图以及半导体器件

[发明专利]MOS管电容版图及其形成方法、验证方法-CN202110939081.1在审
发明人： 汪配焕 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-08-16 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： G06F30/392 文献下载
摘要：本申请实施例涉及半导体领域，特别涉及一种MOS管电容版图及其形成方法、验证方法，MOS管电容版图包括：工作层，所述工作层包括有源层、栅极层、位于所述栅极层一侧的源极层以及位于所述栅极层另一侧的漏极层，所述栅极层、所述源极层和所述漏极层均位于所述有源层的正上方；电容识别层，所述电容识别层至少覆盖所述工作层的部分区域。本申请实施例有利于提高LVS一致性验证的效率。
mos 电容版图及其形成方法验证

[发明专利]标准单元版图模板以及半导体结构-CN202110163720.X有效
发明人： 汪配焕 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-02-05 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种标准单元版图模板以及半导体结构，标准单元版图模板包括：沿第一方向排布的第一阱区和第二阱区；第一栅极图形，位于所述第一阱区且沿所述第一方向延伸，用于定义第一栅极；第二栅极图形，位于所述第二阱区且沿所述第一方向延伸，用于定义第二栅极；栅电连接图形，位于所述第一栅极图形与所述第二栅极图形之间，用于定义栅电连接结构，所述栅电连接结构与所述第一栅极以及所述第二栅极同层设置，以电连接所述第一栅极和/或所述第二栅极。本发明实施例能够降低半导体结构的功耗，提升半导体结构的运行速度。
标准单元版图模板以及半导体结构

[实用新型]一种晶体振荡器电路-CN200620045116.8无效
发明人：姜自力;汪配焕;潘建强 -专利权人：百利通电子(上海)有限公司
申请日： 2006-08-25 - 公布日： 2007-09-26 - 主分类号： H03B5/36 文献下载
摘要：一种晶体振荡器电路，它包括倒相信号放大器、工作使能/限流器件、晶体负载电容、晶体谐振器，倒相信号放大器由CMOS倒相器和反馈电阻组成，晶体负载电容分成相等的两部分，分别接在CMOS倒相器的输入/输出端和CMOS倒相器的高/低电位电源线之间，用以减少输出时钟对倒相信号放大器的高电位电平和低电位电平的干扰，晶体谐振器连接在倒相信号放大器的反馈电阻两端，其特征在于还包括一个电压稳定器件，该电压稳定器件一端连接到CMOS倒相器的高电位电源线，另一端连接到CMOS倒相器的低电位电源线。其输出时钟的质量高，噪声小。
一种晶体振荡器电路

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