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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]基座、外延生长装置、外延硅晶片的制造方法及外延硅晶片-CN201780094456.0有效
发明人： 楢原和宏 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2017-08-31 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：提供一种能够提高外延硅晶片的外延层的平坦度的周向均匀性的基座。本发明的基座（100）设有载置硅晶片（W）的凹形状的锪孔部；基座的中心与锪孔部的开口缘之间的径向距离L以90度周期在周向上变动，并且当将径向距离L成为最小的位置的角度设为0度时，在90度、180度、270度的各处，径向距离L成为最小值L1，并且在45度、135度、225度、315度的各处，径向距离L成为最大值L2，将基座（100）俯视时的开口缘（110C）描绘使径向外侧为凸的4个椭圆弧。
基座外延生长装置晶片制造方法

[发明专利]外延生长装置及外延晶片的制造方法-CN202080046677.2在审
发明人：胡盛珀;楢原和宏 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2020-05-13 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： C30B25/10 文献下载
摘要：本发明提供一种能够在不损坏预热环的前提下抑制预热环与下部衬垫之间的起尘的外延生长装置。本发明的外延生长装置具备：腔室；配置在腔室内壁的环状的上部衬垫及下部衬垫；设置在腔室内部且用于载置半导体晶片的基座；及载置在向下部衬垫（26）的开口部突出的支承部（26a）上，并且配置在基座的外周的预热环（60），预热环（60）构成为，在半导体晶片（W）被运入至腔室内部并载置在基座（4）上为止的输送路径中半导体晶片（W）所通过的区域的正上方的至少一部分区域，不被支承部（26a）支承。
外延生长装置晶片制造方法

[发明专利]晶片传送装置、气相沉积装置、晶片传送方法及外延硅晶片的制造方法-CN201980086218.4在审
发明人： 楢原和宏;辻雅之;胡盛珀 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2019-09-25 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明的晶片传送装置包括搬运机构以及将利用搬运机构搬运的硅晶片载置至基座（3）的载置机构，载置机构包括多个升降销（71、72、73）以及使多个升降销（71、72、73）与基座（3）相对移动的相对移动机构，搬运机构与载置机构中至少一者的结构构成为当以多个升降销（71、72、73）支承硅晶片时，特定的升降销（71）最初接触硅晶片的下表面。
晶片传送装置沉积方法外延制造

[发明专利]气相沉积装置及外延硅晶片的制造方法-CN201980086205.7在审
发明人： 楢原和宏;辻雅之;胡盛珀 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2019-09-11 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明提供一种气相沉积装置，该气相沉积装置包括圆板状的基座（3）及支承基座（3）并使其旋转的基座支承部件，在基座（3）上设置有多个嵌合沟（32），在基座支承部件上设置有分别嵌入于多个嵌合沟（32）的多个支承销（53），在嵌合沟（32）中设置：倾斜部（321B），以基座（3）的自身重量来维持支承销（53）与倾斜部（321B）接触的状态，并使该支承销（53）相对于该嵌合沟（32）沿基座（3）的圆周方向相对移动；及定位部（321A），将由倾斜部（321B）相对移动的支承销（53）定位于圆周方向的特定位置上，倾斜部（321B）及定位部（321A）向基座（3）的径向连续形成。
沉积装置外延晶片制造方法

[发明专利]外延硅晶片的制造方法和外延硅晶片-CN201380040947.9有效
发明人： 楢原和宏;增田纯久 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2013-07-24 - 公布日： 2017-03-29 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：[课题]提供一种周边部的平坦度高的外延硅晶片的制造方法以及由此得到的外延硅晶片。[解决方法]一种外延硅晶片的制造方法，其特征在于，在硅晶片2的顶面23上形成外延层3，所述硅晶片2的顶面23的面取向为（100）面或（110）面，顶面23侧的端部的倒角宽度A1为200μm以下。
外延晶片制造方法

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