专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]存储器元件及其制造方法-CN202010376547.7有效
  • 杨文忠;陈仕锡;林威璋 - 力晶积成电子制造股份有限公司
  • 2020-05-07 - 2023-09-29 - H10B41/30
  • 本发明公开一种存储器元件及其制造方法,所述制造方法包括以下步骤。在基底上形成有包括隧穿介电层以及浮置栅极的多个堆叠结构。在基底上形成包括氮化衬层的衬材料层。氮化衬层的顶表面低于浮置栅极的顶表面且高于隧穿介电层的顶表面。在基底上形成覆盖衬材料层的隔离材料层。对隔离材料层进行氧化制作工艺且移除部分的隔离材料层,以形成隔离结构。在基底上形成覆盖多个堆叠结构与隔离结构的栅间介电层。在基底上形成覆盖栅间介电层的控制栅极。
  • 存储器元件及其制造方法

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