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[发明专利]DME燃料用燃气轮机燃烧器的燃烧喷嘴和其设计方法-CN200810126830.3有效
发明人： 李旼哲;安达洪;朱庸镇;徐锡斌;郑在和;朴元植;徐惠京 -专利权人：韩国电力公社
申请日： 2008-06-24 - 公布日： 2009-04-01 - 主分类号： F23R3/28 文献下载
摘要：本发明提供使用煤气或DME燃料的燃气轮机燃烧器的燃烧喷嘴和其设计方法，特别是可使该DME燃料在应用于燃气轮机燃烧器时最适合地燃烧、并寻求发展原料的成本削减、可靠度的提高以及燃料多样化的DME燃料用燃气轮机燃烧器的燃烧喷嘴和其设计方法。根据本发明，针对以喷射DME燃料目的而配置有位于中央的引导燃料喷射口，和在上述引导燃料喷射口的周边以相等的角度配置的多个燃料喷射口的燃气轮机燃烧器的燃烧喷嘴，将上述各个燃料喷射口形成为一对DME燃料上部喷射口和DME燃料下部喷射口，且与燃烧喷嘴的燃料-空气混合喷射旋转翼相连通，将上述DME燃料上部喷射口形成为放大型孔，上述DME燃料下部喷射口形成为缩小型孔。
dme 燃料燃气轮机燃烧喷嘴设计方法

[发明专利]显示装置及其驱动方法-CN200810129815.4无效
发明人：白承洙;李龙淳;李旼哲;李成荣 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2008-08-07 - 公布日： 2009-02-11 - 主分类号： G09G3/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种显示装置及其驱动方法。该显示装置包括具有多条栅极线、多条数据线和多个像素的面板部分、数据驱动器和栅极驱动器部分。该多个像素中的每个像素包括第一子像素和第二子像素。该第一子像素连接到该多条栅极线的第一栅极线，该第二子像素连接到该多条栅极线的第二栅极线。该第一子像素和第二子像素均共同连接到该多条数据线中的一条数据线。该栅极驱动器部分位于该面板部分上，并且将多个栅极信号施加到该多条栅极线。该多个栅极信号中的当前栅极信号在时间上与前一栅极信号重叠预定时间间隔。
显示装置及其驱动方法

[发明专利]显示装置及驱动其的方法-CN200810083128.3有效
发明人： 李旼哲;安炳宰;李钟焕;文然奎;李钟赫 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2008-03-07 - 公布日： 2008-09-10 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：一种显示装置，包括：栅极驱动器，其响应于栅极控制信号顺序地输出处于高状态的栅极信号；以及数据驱动器，其响应于数据控制信号将图像数据转换为数据信号。该显示装置进一步包括显示面板，所述显示面板包括：多条栅极线，其顺序地接收所述栅极信号；多条数据线，其接收所述数据信号；以及连接到所述栅极和数据线的多个像素，其响应于所述栅极信号接收所述数据信号以显示图像。所述数据信号的极性在所述栅极信号转变为低状态之后被反转。
显示装置驱动方法

[发明专利]显示装置-CN200710167069.3无效
发明人： 李旼哲;罗东均 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-10-31 - 公布日： 2008-08-27 - 主分类号： G02F1/133 文献下载
摘要：本发明提供了一种显示装置，该显示装置包括显示面板、第一源极驱动器芯片和连接部分。显示面板包括多条源极线，源极线中的每条电连接到多个像素。第一源极驱动器芯片电连接到包括源极线中的第一源极线的第一组，以将具有第一极性的数据信号输出到第一源极线。连接部分将源极线中的第一源极线电连接到源极线中的最后源极线，以将具有第一极性的数据信号提供到最后源极线，而不需要用于驱动第(mk+1)源极线的另外的源极驱动器芯片。
显示装置

[发明专利]栅极驱动电路、具有其的液晶显示器以及制造薄膜晶体管基板的方法-CN200810000326.9有效
发明人：金晶日;白承洙;李昌洙;李旼哲 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2008-01-04 - 公布日： 2008-07-09 - 主分类号： G09G3/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种包括彼此依赖地连接的多个级的栅极驱动电路。每一级包括：形成于栅极线的一端的栅极焊盘；输出用于驱动栅极线的栅极驱动信号的上拉晶体管；形成有设置在连接至上拉晶体管的栅电极的第一电极与连接至上拉晶体管的漏电极的第二电极之间的介电物质的电容器；将栅极焊盘连接至第二电极的第一连接电极；连接至上拉晶体管以维持栅极驱动信号的电压电平的保持晶体管；连接至上拉晶体管和电容器以通过栅极驱动信号控制保持晶体管的开关晶体管；以及将第二电极连接至开关晶体管的栅电极的第二连接电极。
栅极驱动电路具有液晶显示器以及制造薄膜晶体管方法

[发明专利]液晶显示器及其栅极驱动电路-CN200710198617.9无效
发明人：白承洙;李龙淳;李旼哲;金容范;全相镇 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-12-11 - 公布日： 2008-06-18 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：本发明公开了一种液晶显示器和双栅极驱动电路，其中，信号线的数量由于共享起始脉冲和伪级的输出信号而减少。液晶显示器包括：定时控制器，响应于外部输入信号产生输出使能信号、栅极时钟和单一起始信号；电平移位器，响应于输出使能信号和栅极时钟产生栅极时钟脉冲和栅极时钟条脉冲，并响应于起始信号和栅极时钟产生单一起始脉冲；以及第一栅极驱动电路和第二栅极驱动电路，响应于单一起始脉冲，输出栅极时钟脉冲或栅极时钟条脉冲作为提供给多条栅极线的栅极驱动信号。
液晶显示器及其栅极驱动电路

[发明专利]液晶显示器装置-CN200710135762.2无效
发明人： 李旼哲 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-08-16 - 公布日： 2008-03-12 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：一种液晶显示器装置，包括第一基板，该第一基板包括多个像素，其中所述像素形成有薄膜晶体管和电连接于该薄膜晶体管的像素电极。该第一基板包括彼此绝缘地交叉的栅极线和数据线，以及将栅极驱动信号提供给栅极线的栅极驱动器。薄膜晶体管包括：连接于栅极线的栅电极；连接于数据线的源电极；以及连接于像素电极的漏电极。像素在Cp/(Cp+Clc+Cst)的数值方面朝向栅极驱动器减小(其中，Cp：栅电极与源电极之间的寄生电容和栅电极与漏电极之间的寄生电容的总和，Clc：液晶电容，以及Cst：存储电容)。
液晶显示器装置

[发明专利]栅极驱动电路及具有该栅极驱动电路的显示装置-CN200710111454.6有效
发明人： 李旼哲;文胜焕 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-06-20 - 公布日： 2007-12-26 - 主分类号： G09G3/36 文献下载
摘要：在栅极驱动电路和显示装置中，栅极驱动电路包括多个级。这些级中的至少一个包括响应于第一节点信号的上拉部；响应于第二输入信号的下拉部；响应于第二输入信号而使第一节点信号放电的放电部；响应于第一时钟信号的第一保持部，其将第一节点信号保持在截止电压；以及响应于第二时钟信号的第二保持部，其将第一节点信号保持在截止电压。第二保持部具有大于第一保持部的晶体管宽长比。因此，出现异常栅极导通信号的可能性较小，减少了该显示装置的驱动缺陷。
栅极驱动电路具有显示装置

[发明专利]显示基板及具有该显示基板的显示装置-CN200710004907.5有效
发明人：朴幸源;姜南洙;李龙淳;李旼哲 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-02-07 - 公布日： 2007-08-15 - 主分类号： G02F1/133 文献下载
摘要：一种提供了更可靠操作的显示基板，包括：栅极驱动器，具有级组，每一级均连接至各个栅极导体组的每个栅极导体的一端；以及子栅极驱动器组，连接至各个栅极导体组的栅极导体的另一端，栅极驱动器将驱动信号传送至一组栅极导体的一端，而子栅极驱动器将另一组栅极导体中的每一个的另一端拉至预定电压。
显示具有显示装置

[发明专利]包括自动文档送进器的图像读取装置-CN200610171136.4无效
发明人： 李旼哲 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-12-25 - 公布日： 2007-06-27 - 主分类号： H04N1/04 文献下载
摘要：本发明提供一种包括自动文档送进器的图像读取装置。该图像读取装置具有：包括面对扫描单元并将文档偏压向平玻璃板面的本体单元的接触件；以及将本体单元弹性地偏压向平玻璃板面并与本体单元一体形成的多个弹性肋。
包括自动文档送进图像读取装置

[发明专利]液晶显示器及其显示方法-CN200610110891.1有效
发明人： 李旼哲 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-05-31 - 公布日： 2007-01-10 - 主分类号： G02F1/136 文献下载
摘要：提供了一种液晶显示器，包括：第一栅极电极；具有主体和延伸部的存储电极；形成在栅极绝缘层上的第一半导体；形成在第一半导体上的第一漏极电极，第一漏极电极与第一源极电极分隔，并具有与第一栅极电极重叠的末端部分和与存储电极的主体重叠并远离末端部分的展开部，以及连接末端部分和展开部并与存储电极的延伸部重叠的连接部；具有暴露第一漏极电极的展开部的接触孔的钝化层；和通过接触孔连接到第一漏极电极的第一电场生成电极。
液晶显示器及其显示方法

[发明专利]制造多晶硅薄膜的方法及用其制造晶体管的方法-CN200410082255.3无效
发明人：权章渊;韩民九;赵世泳;朴敬培;金道暎;李旼哲;韩相勉;野口隆;朴永洙;郑智心 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2004-12-06 - 公布日： 2005-07-13 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：提供了一种制造多晶硅薄膜的方法及用其制造多晶硅TFT的方法。该多晶硅薄膜是使用ICP－CVD在低温时形成的。ICP－CVD后，在能量以预定梯级增加的同时实施ELA。使用ICP－CVD在大约150℃的温度沉积多晶硅活性层和SiO₂栅极绝缘层。该多晶硅具有大约3000或更高的大结晶粒度。SiO₂的界面阱密度可以高达10¹¹/cm²。可以在低温下制造具有良好电特性的晶体管，并因而能够形成在耐热塑料衬底上。
制造多晶薄膜方法晶体管

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